ウェル の意味・用法を知る

前記化合物半導体は、前記化合物半導体に対するｐ型不純物を含むｐ型 ウェル を有する請求項７に記載の半導体装置の製造方法。

• 公開日：2017/11/24
• 出典：処理装置および半導体装置の製造方法
• 出願人：富士電機株式会社

このような構成において、ｐ型 ウェル 領域７の外側周縁部９の不純物濃度が、ｐ型ウェル領域７の内側周縁部８の不純物濃度よりも低くされている。

• 公開日：2017/10/05
• 出典：半導体装置の製造方法
• 出願人：ローム株式会社

更に、参考例品１のコントロール（被験試料無添加）として、被験試料液２μＬと供試菌液１９８μＬを ウェル に加えるのに替えて、被験試料を用いずにジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）２μＬと供試菌液１９８μＬをウェルに加える以外は同様の操作を行って各ウェル中にバイオフィルムを形成した。

• 公開日：2017/01/05
• 出典：バイオフィルム形成抑制剤
• 出願人：理研ビタミン株式会社

本例において、不純物がドープされた領域とは、おもて面１４から所定の深さ範囲に形成されたｐ型 ウェル ２４、ｐ＋型ウェル２６およびｎ＋型ウェル２８である。

• 公開日：2017/11/24
• 出典：窒化物半導体装置の製造方法
• 出願人：富士電機株式会社

筐体と、血液検体を収集するための血液分離 ウェル であって、前記筐体の表面と交差する凹所を有する血液分離ウェルと、前記凹所の中に位置し、血液検体を濾過して濾過血漿を提供する分離膜と、血漿収集容器と、前記血液分離ウェルを前記血漿収集容器へ連通させるべく前記凹所の底部から前記血漿収集容器まで設けられた第１通路と、前記血漿収集容器から負圧口まで設けられた第２通路と、を備えた装置であって、前記第１通路から前記血漿収集容器への第１出口が、前記血漿収集容器から前記第２通路への開口の位置よりも、前記血漿収集容器の底部に近いところに配置され、前記第２通路、前記血漿収集容器及び前記第１通路は、前記負圧口に提供される...

• 登録日：2020/06/10
• 出典：圧力補助血漿分離
• 出願人：シーメンス・ヘルスケア・ダイアグノスティックス・インコーポレイテッド

...つのドリフト領域であって、半導体基板の一部に配置され、第１の導電型にドープされる、前記少なくとも１つのドリフト領域と、前記半導体基板の表面における少なくとも１つの隔離構造であって、前記少なくとも１つのドリフト領域の一部の中に位置する、前記少なくとも１つの隔離構造と、前記半導体基板の別の一部におけるＤ ウェル 領域であって、第２の導電型にドープされ、前記少なくとも１つのドリフト領域の一部に近接して位置し、前記ドリフト領域と前記Ｄウェル領域との交差部が、前記第１及び第２の導電型の間の接合を形成する、前記Ｄウェル領域と、前記半導体基板の表面上に配置され、チャネル領域と前記隔離構造の一部とに重なるゲート構...

• 登録日：2020/06/05
• 出典：カスケードされたリサーフ注入及び二重バッファを備えるＬＤＭＯＳデバイスのための方法及び装置
• 出願人：日本テキサス・インスツルメンツ株式会社

そして、 ウェル 領域６１の引き出し部６３は、その周縁が、平面視においてドレインメタル３１の周縁よりも外側まで引き出されている。

• 公開日：2017/11/30
• 出典：半導体装置
• 出願人：ローム株式会社

実施形態において本開示は、例えばスフェロイド細胞塊を培養および分析するための ウェル 製品を提供する

• 登録日：2020/05/12
• 出典：スフェロイド細胞培養ウェル製品およびその方法
• 出願人：コーニングインコーポレイティッド

本例において、不純物がドープされた領域とは、おもて面１６から所定の深さ範囲に形成されたｐ型 ウェル ２４、ｐ＋型ウェル２６およびｎ＋型ウェル２８である。

• 公開日：2017/11/24
• 出典：窒化物半導体装置および窒化物半導体装置の製造方法
• 出願人：富士電機株式会社

ｐ型 ウェル 領域とｎ+型ソース領域がセルフアライメントで形成することができるとともに、ゲートしきい値電圧を上昇させることなくゲート絶縁膜の厚い高いゲート耐量を有するＭＯＳ型半導体装置および半導体装置の製造方法の提供。

• 公開日：2014/05/29
• 出典：半導体装置の製造方法
• 出願人：富士電機株式会社