CV の意味・用法を知る

前記方法は、誘導加熱コイルに流す高周波電流を得るために、交流電流を直流電流に変換するコンバータ手段と、コンバータ手段から出力される直流電流を高周波変換して高周波電流を得るインバータ手段とを有しており、予め、炭化珪素単結晶の成長時における前記コンバータ手段で変換した直流電圧値（D CV ）と直流電流値（DCI）とから算出される直流等価抵抗値（DCV/DCI）の経時的変化と、成長させた炭化珪素単結晶に形成されたマイクロパイプ密度との関係を把握し、前記予め把握した直流等価抵抗値とマイクロパイプ密度の関係に基づいて、前記コンバータ手段のDCV又はDCIの少なくとも一方を調整することを特徴とする。

• 公開日：2018/01/11
• 出典：炭化珪素単結晶の製造方法
• 出願人：昭和電工株式会社

多相コンバータ１は、多相変換部２を制御する制御部３を備え、この制御部３は、多相変換部２の動作を開始する際に駆動開始時期をずらして複数の電圧変換部ＣＶ１，ＣＶ２，ＣＶ３，ＣＶ４を順次駆動する。そして、制御部３は、電圧変換部ＣＶ１，ＣＶ２，ＣＶ３，ＣＶ４の各々の駆動を開始する毎に、検出部８で検出される値が駆動済みの電圧変換部の個数に対応付けられた個別閾値に達したか否かを判断し、達した場合に次の電圧変換部の駆動を開始する。

• 公開日：2017/05/18
• 出典：多相コンバータ
• 出願人：株式会社オートネットワーク技術研究所

充電器側ダクトＤｃにおける充電器冷却用配管部Ｄｃｃと加熱用配管部Ｄｃｈとの分岐部分に対しては、可動弁ＣＶ１を有する風路切替部Ｃ１が設けられている。風路切替部Ｃ１は、可動弁ＣＶ１を駆動する例えばモータ等のアクチュエータを有し、可動弁ＣＶ１を図中破線により示す第一位置、すなわち吸気口Ｄｃｉからの吸気を排気口Ｄｃｏ側にのみ流入させる位置と、図中の実線で示す第二位置、すなわち吸気口Ｄｃｉからの吸気を加熱用配管部Ｄｃｈ側にのみ流入させる位置との間で開閉動作させることが可能に構成されている。 後述するように、可動弁ＣＶ１を用いた風路切替は充電器ＥＣＵ４の制御によって行われる。

• 公開日：2016/08/12
• 出典：車載電池温調システム
• 出願人：株式会社ＳＵＢＡＲＵ

ビデオの向きの調整（ＣＶＯ）を伴うストリーミングを提供する技術を提供する。

• 公開日：2017/08/17
• 出典：ビデオの向きの調整（ＣＶＯ）を伴うストリーミング
• 出願人：インテルコーポレイシヨン

本発明は、以下のパラメーター：抗ウイルス性効力；全遺伝子型カバレッジ；耐性発現の好ましいプロフィール；毒性および遺伝毒性の欠如；好ましい薬物動態および薬力学；ならびに配合および投与の容易さ；の１以上に関し有用な特性を有する新規ＨＣＶ阻害性化合物を提供する

• 公開日：2016/09/23
• 出典：ＨＣＶポリメラーゼ阻害剤
• 出願人：メデイヴイル・アクチエボラーグ

傾斜可能な回転軸線を各々が有する複数のトラクション遊星を有する無段変速機（ＣＶＴ）の速度比を調節する方法であって、前記方法が、傾斜可能な各回転軸線にスキュー状態を独立して適用するように前記ＣＶＴのステータを構成するステップを含む方法。

• 公開日：2018/02/08
• 出典：無段変速機
• 出願人：フォールブルックインテレクチュアルプロパティーカンパニーエルエルシー

本発明の一態様は、補機と補機に結合された無段変速機（ＣＶＴ）とを有する補機駆動用無段変速機（ｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓｌｙ ｖａｒｉａｂｌｅ ａｃｃｅｓｓｏｒｙ ｄｒｉｖｅ）（ＣＶＡＤ）に関する。補機駆動用無段変速機は、トラクション遊星群を有する。各トラクション遊星を、傾斜可能軸を中心に回転するように適合させることができる。ＣＡＶＤはまた、ＣＶＴに動作可能に結合されたスキューアクチュエータを有する。スキューアクチュエータを、ＣＶＴにスキュー状態を適用することによりトラクション遊星の軸を傾斜させるように適合させることができる。

• 公開日：2017/07/27
• 出典：無段変速機
• 出願人：フォールブルックインテレクチュアルプロパティーカンパニーエルエルシー

前記仮想固定ギア比が、GRvirtual(t)=c・f(GR CV T(t))により決定され、ここで、GRvirtual(t)は前記仮想固定ギア比であり、cは定数であり、GRCVT(t)は前記CVTの前記現在のギア比であり、f(GRCVT(t))は前記現在のギア比を所定の仮想固定ギア比の組にマッピングするためのマッピング関数である、請求項2に記載の方法。

• 公開日：2017/04/06
• 出典：エンジン音管理
• 出願人：ボーズ・コーポレーション

...となるｐ-エピタキシャル領域ＥＰおよびｐ型ウエル領域ＷＬが形成されている。ゲート電極層ＧＥは、チャネル領域上にゲート絶縁膜ＧＩを介在して形成され、かつ凹部ＣＰ１内の素子分離絶縁膜ＳＩ上に延びている。凹部ＣＰ１および凹部ＣＰ２は、凹部ＣＰ１および凹部ＣＰ２の各々の底部よりも主表面側に突き出した基板凸部ＣＶを挟んで互いに隣合うように配置されている。半導体基板ＳＵＢは、基板凸部ＣＶ上に位置する凹部ＣＰ４をさらに有し、凹部ＣＰ４は凹部ＣＰ１および凹部ＣＰ２よりも浅く形成されている。

• 公開日：2017/07/13
• 出典：半導体装置
• 出願人：ルネサスエレクトロニクス株式会社

特定のアミノ酸配列を含むヒトインターロイキン−４受容体（ｈＩＬ−４Ｒ）に特異的に結合する、抗体又はその抗原結合フラグメントであって、特定のアミノ酸配列を含む重鎖可変領域（ＨＣＶＲ）及び軽鎖可変領域（ＬＣＶＲ）を含む、上記抗体又は抗原結合フラグメント。

• 公開日：2016/03/31
• 出典：ヒトＩＬ−４受容体に対する高親和性ヒト抗体
• 出願人：リジェネロンファーマシューティカルズ，インコーポレイテッド