CV の意味・用法を知る
CV とは、化合物または医薬の治療活性 や突然変異または遺伝子工学 などの分野において活用されるキーワードであり、トヨタ自動車株式会社 やノバルティスバクシンズアンドダイアグノスティックス,インコーポレーテッド などが関連する技術を249,442件開発しています。
このページでは、 CV を含む技術文献に基づき、その意味・用法のみならず、活用される分野や市場、法人・人物などを網羅的に把握することができます。
CVの意味・用法
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前記方法は、誘導加熱コイルに流す高周波電流を得るために、交流電流を直流電流に変換するコンバータ手段と、コンバータ手段から出力される直流電流を高周波変換して高周波電流を得るインバータ手段とを有しており、予め、炭化珪素単結晶の成長時における前記コンバータ手段で変換した直流電圧値(D CV )と直流電流値(DCI)とから算出される直流等価抵抗値(DCV/DCI)の経時的変化と、成長させた炭化珪素単結晶に形成されたマイクロパイプ密度との関係を把握し、前記予め把握した直流等価抵抗値とマイクロパイプ密度の関係に基づいて、前記コンバータ手段のDCV又はDCIの少なくとも一方を調整することを特徴とする。
- 公開日:2018/01/11
- 出典:炭化珪素単結晶の製造方法
- 出願人:昭和電工株式会社
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多相コンバータ1は、多相変換部2を制御する制御部3を備え、この制御部3は、多相変換部2の動作を開始する際に駆動開始時期をずらして複数の電圧変換部CV1,CV2,CV3,CV4を順次駆動する。そして、制御部3は、電圧変換部CV1,CV2,CV3,CV4の各々の駆動を開始する毎に、検出部8で検出される値が駆動済みの電圧変換部の個数に対応付けられた個別閾値に達したか否かを判断し、達した場合に次の電圧変換部の駆動を開始する。
- 公開日:2017/05/18
- 出典:多相コンバータ
- 出願人:株式会社オートネットワーク技術研究所
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充電器側ダクトDcにおける充電器冷却用配管部Dccと加熱用配管部Dchとの分岐部分に対しては、可動弁CV1を有する風路切替部C1が設けられている。風路切替部C1は、可動弁CV1を駆動する例えばモータ等のアクチュエータを有し、可動弁CV1を図中破線により示す第一位置、すなわち吸気口Dciからの吸気を排気口Dco側にのみ流入させる位置と、図中の実線で示す第二位置、すなわち吸気口Dciからの吸気を加熱用配管部Dch側にのみ流入させる位置との間で開閉動作させることが可能に構成されている。 後述するように、可動弁CV1を用いた風路切替は充電器ECU4の制御によって行われる。
- 公開日:2016/08/12
- 出典:車載電池温調システム
- 出願人:株式会社SUBARU
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ビデオの向きの調整(CVO)を伴うストリーミングを提供する技術を提供する。
- 公開日:2017/08/17
- 出典:ビデオの向きの調整(CVO)を伴うストリーミング
- 出願人:インテルコーポレイシヨン
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本発明は、以下のパラメーター:抗ウイルス性効力;全遺伝子型カバレッジ;耐性発現の好ましいプロフィール;毒性および遺伝毒性の欠如;好ましい薬物動態および薬力学;ならびに配合および投与の容易さ;の1以上に関し有用な特性を有する新規HCV阻害性化合物を提供する
- 公開日:2016/09/23
- 出典:HCVポリメラーゼ阻害剤
- 出願人:メデイヴイル・アクチエボラーグ
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傾斜可能な回転軸線を各々が有する複数のトラクション遊星を有する無段変速機(CVT)の速度比を調節する方法であって、前記方法が、傾斜可能な各回転軸線にスキュー状態を独立して適用するように前記CVTのステータを構成するステップを含む方法。
- 公開日:2018/02/08
- 出典:無段変速機
- 出願人:フォールブルックインテレクチュアルプロパティーカンパニーエルエルシー
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本発明の一態様は、補機と補機に結合された無段変速機(CVT)とを有する補機駆動用無段変速機(continuously variable accessory drive)(CVAD)に関する。補機駆動用無段変速機は、トラクション遊星群を有する。各トラクション遊星を、傾斜可能軸を中心に回転するように適合させることができる。CAVDはまた、CVTに動作可能に結合されたスキューアクチュエータを有する。スキューアクチュエータを、CVTにスキュー状態を適用することによりトラクション遊星の軸を傾斜させるように適合させることができる。
- 公開日:2017/07/27
- 出典:無段変速機
- 出願人:フォールブルックインテレクチュアルプロパティーカンパニーエルエルシー
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前記仮想固定ギア比が、GRvirtual(t)=c・f(GR CV T(t))により決定され、ここで、GRvirtual(t)は前記仮想固定ギア比であり、cは定数であり、GRCVT(t)は前記CVTの前記現在のギア比であり、f(GRCVT(t))は前記現在のギア比を所定の仮想固定ギア比の組にマッピングするためのマッピング関数である、請求項2に記載の方法。
- 公開日:2017/04/06
- 出典:エンジン音管理
- 出願人:ボーズ・コーポレーション
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...となるp-エピタキシャル領域EPおよびp型ウエル領域WLが形成されている。ゲート電極層GEは、チャネル領域上にゲート絶縁膜GIを介在して形成され、かつ凹部CP1内の素子分離絶縁膜SI上に延びている。凹部CP1および凹部CP2は、凹部CP1および凹部CP2の各々の底部よりも主表面側に突き出した基板凸部CVを挟んで互いに隣合うように配置されている。半導体基板SUBは、基板凸部CV上に位置する凹部CP4をさらに有し、凹部CP4は凹部CP1および凹部CP2よりも浅く形成されている。
- 公開日:2017/07/13
- 出典:半導体装置
- 出願人:ルネサスエレクトロニクス株式会社
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特定のアミノ酸配列を含むヒトインターロイキン−4受容体(hIL−4R)に特異的に結合する、抗体又はその抗原結合フラグメントであって、特定のアミノ酸配列を含む重鎖可変領域(HCVR)及び軽鎖可変領域(LCVR)を含む、上記抗体又は抗原結合フラグメント。
- 公開日:2016/03/31
- 出典:ヒトIL−4受容体に対する高親和性ヒト抗体
- 出願人:リジェネロンファーマシューティカルズ,インコーポレイテッド
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