温度勾配 の意味・用法を知る
温度勾配 とは、結晶、結晶のための後処理 や固相または液相からの単結晶成長 などの分野において活用されるキーワードであり、トヨタ自動車株式会社 やパナソニック株式会社 などが関連する技術を45,992件開発しています。
このページでは、 温度勾配 を含む技術文献に基づき、その意味・用法のみならず、活用される分野や市場、法人・人物などを網羅的に把握することができます。
温度勾配の意味・用法
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地球温暖化への影響が少なく、 温度勾配 が小さく、吐出温度が十分に低く、かつサイクル性能（冷凍能力と成績係数）に優れる熱サイクル用作動媒体、熱サイクルシステム用組成物および熱サイクルシステムの提供。
- 公開日：2017/04/13
- 出典：熱サイクル用作動媒体、熱サイクルシステム用組成物および熱サイクルシステム
- 出願人：旭硝子株式会社
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前記熱サイクル用作動媒体の、蒸発温度を−１５℃（ただし、非共沸混合物の場合は、蒸発開始温度と蒸発完了温度の平均温度）、凝縮温度を３０℃（ただし、非共沸混合物の場合は、凝縮開始温度と凝縮完了温度の平均温度）、過冷却度（ＳＣ）を５℃、過熱度（ＳＨ）を０℃とする基準冷凍サイクルに適用した際の蒸発器における蒸発の開始温度と完了温度の差で示される 温度勾配 が、８℃以下である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の熱サイクルシステム用組成物。
- 公開日：2017/03/30
- 出典：熱サイクルシステム用組成物および熱サイクルシステム
- 出願人：旭硝子株式会社
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ただし、Ｔ０は、前記底吹き羽口の中心における稼動面の温度（℃）を表し、Ｔｒは、前記Ｔ０を定義した位置から半径方向にｒ離れた位置における底吹き羽口の外縁稼動面温度（℃）を表し、Ａは、前記底吹き羽口の軸方向の 温度勾配 （℃／ｍｍ）を表す。
- 公開日：2017/04/13
- 出典：底吹き羽口によるガス吹き込み方法および鋼の精錬方法
- 出願人：ＪＦＥスチール株式会社
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徐冷炉は、シートガラスが搬送される炉内と外空間の炉外とを区画する壁と、壁を貫通する回転軸と、回転軸の先端部に設けられ回転軸により片持ち支持されるローラと、回転軸の長さ方向の 温度勾配 を小さくするように調節する温度調節手段と、を備える。
- 公開日：2015/11/09
- 出典：ガラス基板の製造方法およびガラス基板の製造装置
- 出願人：ＡｖａｎＳｔｒａｔｅ株式会社
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これまでに、Ｒ４１０Ａの代替候補として、能力、効率および 温度勾配 とのバランスを総合的に勘案して実用に供せられる作動媒体を得る観点から、ＨＦＯ−１２３４ｙｆとＨＦＯ−１１２３とを組合せるという知見や示唆は文献等により示されていない。
- 公開日：2016/04/21
- 出典：熱サイクルシステム用組成物および熱サイクルシステム
- 出願人：旭硝子株式会社
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温度勾配 生成手段は、冷気制御装置２１を含む。
- 公開日：2017/04/27
- 出典：冷蔵庫
- 出願人：三菱電機株式会社
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育成中の単結晶８を囲繞する水冷体１１を配置するとともに、この水冷体１１の外周面および下端面を包囲する熱遮蔽体１０を配置した単結晶育成装置を用い、直径が３００ｍｍの単結晶８の育成時に、単結晶８の固液界面近傍にて、引き上げ軸方向の 温度勾配 を単結晶８の中心部でＧc、外周部でＧeとし、単結晶８の中心部の温度勾配Ｇcと外周部の温度勾配Ｇeとの比Ｇc／Ｇeが下記の（ａ）式を満足する条件で単結晶の引き上げを行う。
- 公開日：2015/06/11
- 出典：シリコン単結晶の育成方法
- 出願人：株式会社ＳＵＭＣＯ
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燃料電池装置における燃料電池集合体の 温度勾配 を緩和し、発電性能を高めた燃料電池装置を提供する。
- 公開日：2015/04/20
- 出典：燃料電池装置
- 出願人：京セラ株式会社
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初期窒化段階（Ｎｉ）は、単純な加熱段階と比べて小さい 温度勾配 を用いて実行される。
- 公開日：2014/12/08
- 出典：初期窒化段階で小さい温度勾配を用いる低圧浸炭窒化方法
- 出願人：イーシーエムテクノロジーズ
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蒸発によらないで大部分の液体を除去できるということは、また、 温度勾配 が緩やかになり、いわゆる印刷誤差を起こす恐れがある基板の熱による変形を避けることができることを意味する。
- 公開日：2015/05/28
- 出典：リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
- 出願人：エーエスエムエル・ネザーランズ・ビー．ブイ．
温度勾配の原理 に関わる言及
温度勾配の問題点 に関わる言及
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組織に損傷を起す皮膚内の温度に違いがあるということが、試験でわかっている。それ故、治療領域の周囲を予熱することによって、加熱されない組織と治療領域間の 温度勾配 ばかりでなく温度の違いが、最小にできる。一方、同じ時間で、連続する治療のために、毛の小胞あるいは所望の皮膚層へ十分なエネルギーが達するのは可能である。
- 公開日： 2010/06/17
- 出典： 皮膚疾患の非侵襲性の治療又は不必要な毛の除去のための治療用装置
- 出願人： サイデンリミテッド
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冷却材流路の後方にあっては 温度勾配 が存在していないので、熱による負荷が等しい場合の背壁と冷却材流路間の鋳型板厚みを増大させることによる鋳型板剛性の向上は鋳型板幅全体にわたる張力と延びの均一な分布を誘起する。
- 公開日： 2000/08/08
- 出典： 金属を連続鋳造するための漏斗状の鋳込み領域を備えている鋳型の鋳型板
- 出願人： エスエムエス・グループ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング
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このような構成によれば、転移用被着体として、基板よりも熱伝導率が高いものを用いているので、基板、転移用接着剤及び転移用被着体間の 温度勾配 がより大きくなり、転移性が向上する。
- 公開日： 2007/06/07
- 出典： 表示装置の製造方法
- 出願人： シャープ株式会社
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溶接すべき縁を溶接に先立って予熱することにより、従来に比して溶接速度が同じならば、溶接すべき縁内の 温度勾配 が小さくなり、従って、従来に比して溶接速度を高めることができるか、又は高い温度勾配では溶接の質の悪化を招くような材料をも溶接することができる。
- 公開日： 1995/07/25
- 出典： 缶胴を溶接するための装置
- 出願人： エルパトローニクアクチエンゲゼルシヤフト
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薄板若しくは容器胴体の溶接すべき縁を溶接に先立って予熱することにより、従来に比して溶接速度が同じならば、溶接すべき縁内の 温度勾配 を小さくでき、従って、従来に比して溶接速度を高めることができるか、又は高い温度勾配では溶接の質の悪化を招くような材料をも溶接することができる。
- 公開日： 1996/09/10
- 出典： 薄板の縁を溶接するための方法
- 出願人： エルパトローニクアクチエンゲゼルシヤフト
温度勾配の特徴 に関わる言及
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そこで、上記の遮熱部材下端面と原料融液面との間の距離の制御方法により、遮熱部材下端面と原料融液面との距離を制御し、シリコン単結晶を製造すれば、遮熱部材下端面と原料融液面との間の距離を高精度に制御できるので、結晶成長軸方向の結晶軸 温度勾配 を極めて精密に制御でき、高品質のシリコン単結晶を効率的に高い生産性で製造できる。
- 公開日： 2012/01/05
- 出典： 遮熱部材下端面と原料融液面との間の距離の測定方法、遮熱部材下端面と原料融液面との間の距離の制御方法、シリコン単結晶の製造方法
- 出願人： 信越半導体株式会社
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以前より、ゼーベック効果を利用して、熱を電気に変換する熱電変換装置が存在する。熱電変換装置には、 温度勾配 を与えることで起電力を発生する半導体からなる熱電変換材料が用いられる。半導体の熱電変換材料には、導電型の違いによりｐ型熱電変換材料とｎ型熱電変換材料とがある。ｐ型熱電変換材料とｎ型熱電変換材料とでは、温度勾配の方向が同一の場合に、起電力の向きが逆転する。
- 公開日： 2013/10/17
- 出典： 熱電変換装置
- 出願人： パナソニックＩＰマネジメント株式会社
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そして、再生層側に情報再生用のＧＭＲヘッドを配置し、記録層から中間層を介して転写形成された記録情報の転写磁区を、再生層での 温度勾配 により、温度が高い方向へ移動させようとする。
- 公開日： 2004/06/10
- 出典： 光磁気記録媒体、光磁気記録媒体の製造方法、光磁気記録媒体の記録方法、および光磁気記録媒体の再生方法
- 出願人： パナソニック株式会社
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なお、副発熱抵抗体ＳＨの温度Ｔｓと主発熱抵抗体ＭＨの温度Ｔｍが同じ温度の場合には、周囲ガスへの放熱のため、主発熱抵抗体ＭＨと副発熱抵抗体ＳＨの間のリード線ＬＤの温度が下がり、Ａ点での 温度勾配 がゼロとならず、主発熱抵抗体ＭＨからリード線ＬＤへの熱流れが発生する。
- 公開日： 2009/11/19
- 出典： 熱式流量計
- 出願人： 日立オートモティブシステムズ株式会社
温度勾配の使用状況 に関わる言及
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結晶、結晶のための後処理
- 目的・対象とする結晶の形態
- 結晶自体の特徴（クレーム）
- 材料１（元素状、合金）
- 材料２（酸化物）
- 材料３（複合酸化物）
- 材料４（酸素酸塩）
- 材料５（〜化物）
- 材料６（有機物）
- 固相成長
- 液相成長１（常温で液体の溶媒を使用する）
- 液相成長２（溶融溶媒を使用するもの）ＣＧ優先
- 液相成長３（融液の凝固によるもの）
- 液相成長４（ゾーンメルティング）
- 液相成長５（融液からの引き出し）
- 液相成長６（液相エピタキシャル）
- 気相成長１（蒸着、昇華）
- 気相成長２（ＣＶＤ）
- 結晶成長共通１（成長条件の制御）固相成長を除く
- 結晶成長共通２（不純物のドーピング）
- 結晶成長共通３（原料の調製、原料組成）
- 結晶成長共通４（種結晶、基板）
- 結晶成長共通５（成長前の基板の処理、保護）
- 結晶成長共通６（基板への多層成長）
- 結晶成長共通７（装置、治具）
- 結晶成長共通８（検知、制御）
- 結晶成長共通９（特定の成長環境の付加）
- 後処理１（拡散源、その配置）
- 後処理２（後処理のための基板表面の前処理）
- 後処理３（気相からのドーピング）
- 後処理４（電磁波、粒子線照射によるドーピング）
- 後処理５（加熱、冷却処理）
- 後処理６（結晶の接合）
- 後処理７（エッチング、機械加工）
- 後処理８（電場、磁場、エネルギー線の利用）
- 後処理９（その他）
- 後処理１０（装置、治具の特徴）
- 結晶の物理的、化学的性質等の評価、決定
- 用途
- 固相からの直接単結晶成長
- 単結晶成長プロセス・装置
- 圧力を加えるもの 例、水熱法
- 塩溶媒を用いるもの 例、フラックス成長
- るつぼ、容器またはその支持体
- ノ−マルフリ−ジングまたは温度勾配凝固
- ゾ−ンメルティングによる単結晶成長、精製
- 溶媒を用いるもの
- るつぼ、容器またはその支持体
- 誘導による溶融ゾ−ンの加熱
- 電磁波による加熱（集光加熱等）
- 制御または調整
- 材料またはヒ−タ−の移動機構、保持具
- 融液からの引出し（保護流体下も含む）
- 結晶化物質（原料）、反応剤の充填、添加
- 引出し方向に特徴
- 融液を入れるるつぼ、容器またはその支持体
- 融液、封止剤または結晶化した物質の加熱
- 制御または調整
- 融液、封止剤、結晶の回転、移動機構
- 種結晶保持器
- 種結晶
- 縁部限定薄膜結晶成長
- 液相エピタキシャル成長
- 特殊な物理的条件下での単結晶成長
- ＰＶＤ
- イオン化蒸気の凝縮
- 分子線エピタキシャル法
- ＣＶＤ
- エピタキシャル成長法、装置
- 製造工程
- 反応室
- 反応室または基板の加熱
- 基板保持体またはサセプタ
- 基板とガス流との関係
- ガスの供給・排出手段；反応ガス流の調節
- 制御または調節
- 基板
- 特殊な物理的条件下での単結晶成長
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半導体の露光（電子、イオン線露光を除く）
- 半導体の露光の共通事項
- 紫外線，光露光の種類
- 紫外線，光露光用光源
- 光学系
- ステージ，チャック機構，及びそれらの動作
- ウェハ，マスクの搬送
- 露光の制御，調整の対象，内容
- 検知機能
- 検知機能の取付場所
- 制御，調整に関する表示，情報
- 位置合わせマーク
- 位置合わせマークの配置
- 位置合わせマークの特殊用途
- 位置を合わせるべき２物体上のマーク
- 位置合わせマークの光学的検出
- 検出用光学系
- 位置合わせマークの検出一般及び検出の補助
- Ｘ線露光
- Ｘ線光学系
- Ｘ線源
- Ｘ線露光用マスク
- レジスト塗布以前のウェハの表面処理
- レジスト塗布
- ベーキング装置
- 湿式現像，リンス
- ドライ現像
- レジスト膜の剥離
- 多層レジスト膜及びその処理
- 光の吸収膜，反射膜
