消滅 の意味・用法を知る
消滅 とは、固体廃棄物の処理 や電子ゲーム機 などの分野において活用されるキーワードであり、ルネサスエレクトロニクス株式会社 や株式会社東芝 などが関連する技術を36,247件開発しています。
このページでは、 消滅 を含む技術文献に基づき、その意味・用法のみならず、活用される分野や市場、法人・人物などを網羅的に把握することができます。
消滅の意味・用法
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広範囲の泡を寄せ集めて効率よく 消滅 し得る消泡装置を提供する。
- 公開日:2018/01/25
- 出典:消泡装置
- 出願人:豊興工業株式会社
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透明石英ガラスからなる内層を有する石英ガラスルツボにおいて、局所的に前記内層内の気泡を縮小または除去することで、シリコン単結晶引上げ時にルツボ内に保持したシリコン溶融液内への気泡の発生を抑制し、更には結晶中のエアポケット発生率を低下させ、シリコン単結晶の歩留まりを向上させる石英ガラスルツボの気泡 消滅 方法及び石英ガラスルツボの提供。
- 公開日:2018/03/22
- 出典:石英ガラスルツボ
- 出願人:コバレントマテリアル株式会社
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陽電子 消滅 特性測定装置は、装置内に固定される陽電子線源424と、陽電子線源424に対向する位置に被測定体Sを保持する保持手段70と、陽電子線源424に対して保持手段70に保持される被測定体Sとは反対側に配置されており、陽電子線源424で生成された陽電子のうち被測定体Sに入射されなかった陽電子を検出する陽電子検出手段40と、陽電子線源424で生成された陽電子が消滅するときに発生する放射線を検出する放射線検出手段14と、陽電子検出手段40の検出結果と、放射線検出手段14の検出結果に基づいて、被測定体内における陽電子の消滅特性を算出する消滅特性算出手段50を備えている。
- 公開日:2018/03/15
- 出典:陽電子消滅特性測定装置
- 出願人:独立行政法人産業技術総合研究所
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検出器要素は、対 消滅 ターゲットにおけるポジトロンの対消滅の結果生じる同時計数事象の対を検出する。
- 公開日:2014/12/08
- 出典:イメージングシステムおよび校正方法
- 出願人:東芝メディカルシステムズ株式会社
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そして、n型正孔 消滅 領域は、p型終端領域と対向する第1端面と、第1端面と反対側の第2端面とを有し、n型正孔消滅領域の深さをdTM、p型終端領域の深さをdNR、n−型エピタキシャル層の厚さをdEpi、n型正孔消滅領域の第1端面から第2端面までの距離をLNR、n型正孔消滅領域の第1端面から半導体基板の周縁までの距離を|XNR|、とすると、dNR≧dTM、(|XNR|+dNR)≧dEpi、0<LNR<|XNR|の関係を有する。
- 公開日:2018/04/19
- 出典:半導体装置およびその製造方法、電力変換装置、3相モータシステム、自動車並びに鉄道車両
- 出願人:ルネサスエレクトロニクス株式会社
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...って、前記第1の表面および前記第2の表面は、3次元座標系におけるx−y平面に対して略平行である、基板と、z軸に平行な第1の方向に延在する第1の厚さ、第3の表面、前記第3の表面と反対の第4の表面、第5の表面、第6の表面、前記第5の表面と反対の第7の表面、および前記第6の表面と反対の第8の表面を有する、 消滅 層であって、前記消滅層の第3および第4の表面は、前記x−y平面に対して略平行であり、前記消滅層の第5および第7の表面は、x−z平面に対して略平行であり、前記x−z平面は、前記x−y平面に直交し、前記消滅層の第6および第8の表面は、y−z平面に対して略平行であり、前記y−z平面は、前記x−y平面お...
- 登録日:2019/07/19
- 出典:磁気分極光子素子
- 出願人:ティーエーイーテクノロジーズ,インコーポレイテッド
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トリチウム汚染水からトリチウムを効果的に 消滅 できるトリチウム消滅装置およびトリチウム消滅方法を提供する。
- 公開日:2017/09/28
- 出典:トリチウム消滅装置およびトリチウム消滅方法
- 出願人:貝沼鋼
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本発明のファイルエージングサービス提供方法は、コンテンツアップロードサーバーを経由してユーザー端末からコンテンツアップロードイベントを受信する段階と、受信したコンテンツアップロードイベントに含まれているコンテンツ 消滅 時点をユーザー端末とマッピングして保存する段階と、コンテンツ消滅時点と現時点との期間差に基づいてコンテンツのエージング信号(Aging Signal)を出力してコンテンツを変形させる段階と、コンテンツ消滅時点から所定の期間内にユーザー端末へコンテンツの消滅予定メッセージを伝送する段階とを含む。
- 公開日:2017/01/19
- 出典:ファイルエージングサービス提供方法
- 出願人:ソン、ミョンビン
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オブジェクト再配置モジュールは、オブジェクトの 消滅 が、第1の特殊効果を生じるキャラクタオブジェクトの発生条件を充足する場合に、消滅したオブジェクトの色属性に関連付けられている特定キャラクタに対応するキャラクタオブジェクトを発生させて配置する。
- 公開日:2016/03/22
- 出典:パズルゲームを提供するためのプログラム、システム、及び方法
- 出願人:株式会社ディー・エヌ・エー
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さらに本発明は、本方法を実施するように設計された、PVシステム(1)におけるPV発生器(2)のアークの場所を突き止めて 消滅 させるための装置と、このような装置を備えるPVシステム(1)とに関する。
- 公開日:2015/08/20
- 出典:アークの場所を突き止めて消滅させるための方法および装置
- 出願人:エスエムエーソーラーテクノロジーアーゲー
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結晶、結晶のための後処理
- 目的・対象とする結晶の形態
- 結晶自体の特徴(クレーム)
- 材料1(元素状、合金)
- 材料2(酸化物)
- 材料3(複合酸化物)
- 材料4(酸素酸塩)
- 材料5(〜化物)
- 材料6(有機物)
- 固相成長
- 液相成長1(常温で液体の溶媒を使用する)
- 液相成長2(溶融溶媒を使用するもの)CG優先
- 液相成長3(融液の凝固によるもの)
- 液相成長4(ゾーンメルティング)
- 液相成長5(融液からの引き出し)
- 液相成長6(液相エピタキシャル)
- 気相成長1(蒸着、昇華)
- 気相成長2(CVD)
- 結晶成長共通1(成長条件の制御)固相成長を除く
- 結晶成長共通2(不純物のドーピング)
- 結晶成長共通3(原料の調製、原料組成)
- 結晶成長共通4(種結晶、基板)
- 結晶成長共通5(成長前の基板の処理、保護)
- 結晶成長共通6(基板への多層成長)
- 結晶成長共通7(装置、治具)
- 結晶成長共通8(検知、制御)
- 結晶成長共通9(特定の成長環境の付加)
- 後処理1(拡散源、その配置)
- 後処理2(後処理のための基板表面の前処理)
- 後処理3(気相からのドーピング)
- 後処理4(電磁波、粒子線照射によるドーピング)
- 後処理5(加熱、冷却処理)
- 後処理6(結晶の接合)
- 後処理7(エッチング、機械加工)
- 後処理8(電場、磁場、エネルギー線の利用)
- 後処理9(その他)
- 後処理10(装置、治具の特徴)
- 結晶の物理的、化学的性質等の評価、決定
- 用途
- 固相からの直接単結晶成長
- 単結晶成長プロセス・装置
- 圧力を加えるもの 例、水熱法
- 塩溶媒を用いるもの 例、フラックス成長
- るつぼ、容器またはその支持体
- ノ−マルフリ−ジングまたは温度勾配凝固
- ゾ−ンメルティングによる単結晶成長、精製
- 溶媒を用いるもの
- るつぼ、容器またはその支持体
- 誘導による溶融ゾ−ンの加熱
- 電磁波による加熱(集光加熱等)
- 制御または調整
- 材料またはヒ−タ−の移動機構、保持具
- 融液からの引出し(保護流体下も含む)
- 結晶化物質(原料)、反応剤の充填、添加
- 引出し方向に特徴
- 融液を入れるるつぼ、容器またはその支持体
- 融液、封止剤または結晶化した物質の加熱
- 制御または調整
- 融液、封止剤、結晶の回転、移動機構
- 種結晶保持器
- 種結晶
- 縁部限定薄膜結晶成長
- 液相エピタキシャル成長
- 特殊な物理的条件下での単結晶成長
- PVD
- イオン化蒸気の凝縮
- 分子線エピタキシャル法
- CVD
- エピタキシャル成長法、装置
- 製造工程
- 反応室
- 反応室または基板の加熱
- 基板保持体またはサセプタ
- 基板とガス流との関係
- ガスの供給・排出手段;反応ガス流の調節
- 制御または調節
- 基板
- 特殊な物理的条件下での単結晶成長
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放射線を利用した材料分析
- 試料入射粒子(源),刺激(含意図外,直分析外)
- 利用,言及生起現象;分折手法(含意図外、直分析外)
- 試料出射粒子(含意図外,直分析外)
- 検出器関連言及
- 分光;弁別(E,λ;e/m;粒子)
- 信号処理とその周辺手段(測定出力提供とその精度向上関連
- 測定内容;条件;動作等関連変数,量ψ
- 表示;記録;像化;観察;報知等
- 制御;動作;調整;安定化;監視;切換;設定等
- 分析の目的;用途;応用;志向
- 対象試料言及(物品レベル)
- 試料形状言及
- 検出;定量;着目物質とその構成元素;関連特定状態等
- 測定前後の試料の動き
- 試料保特,収容手段;状態等
- 試料作成;調製;試料及び他部分に対する処理;措置等
- 機能要素;部品素子;技術手段要素等;雑特記事項その他