活性層 の意味・用法を知る

汚染した地下水と生物学的 活性層 との間の良好な接触が重要であるが、汚染した地下水を収容する領域の位置、および地上の条件も、生物学的活性層の形状および大きさに影響を及ぼす。生物学的活性層の少なくとも一部が、汚染した地下水に導入されると、汚染した地下水は、生物学的活性層と接触し、汚染した地下水は、限られた程度しか移動させる必要がない。

• 公開日： 2007/06/07
• 出典： 汚染した地下水から汚染物質を除去する方法
• 出願人： テレコビー．ヴィー．

つまり、この場合には、上部遮光層はゲート配線層およびメタル配線層によっては遮光できない 活性層 の部分に対して局所的に配置すれば良い。こうすれば、上部遮光層よりも上位にあるメタル配線層またはゲート配線層の面積もできるだけ大きくせずに済む。

• 公開日： 2003/06/27
• 出典： 液晶表示装置及びその製造方法
• 出願人： シャープ株式会社

従来では、亜鉛拡散抑止層がｐ型クラッド層内ではなくｐ型クラッド層の下側に設けられ、 活性層 に対する亜鉛拡散抑止層としてのみ作用していたため、ｐ型クラッド層に対する亜鉛の拡散抑止が十分になされない構造であった。このため、コンタクト層の成長に際し、その成長温度を下げる必要があった。

• 公開日： 2006/01/19
• 出典： 半導体光素子用エピタキシャルウエハ
• 出願人： 日立金属株式会社

また、一般に、ＧａＮ系化合物半導体層のＡ面成長はサファイア基板のＲ面上で行うことができるが、得られたＧａＮ系化合物半導体層は結晶欠陥を極めて多く含んでおり、表面には凹凸が存在する。それ故、そのまま、このＧａＮ系化合物半導体層上にＧａＮ系化合物半導体層から成る 活性層 等を形成すると、凹凸が更に拡大し、得られたＧａＮ系半導体発光素子の発光も極めて弱くなる。

• 公開日： 2006/12/28
• 出典： ＧａＮ系化合物半導体層の形成方法、及び、ＧａＮ系半導体発光素子の製造方法
• 出願人： ソニー株式会社

また、単結晶ＳｉＣ基板として、結晶欠陥が比較的多い安価な単結晶ＳｉＣ基板を用いた場合でも、 活性層 に結晶欠陥が伝播しないため、結晶欠陥が少ない活性層を生成することができる。

• 公開日： 2011/06/30
• 出典： 単結晶ＳｉＣの成長方法
• 出願人： 公益財団法人地球環境産業技術研究機構

窒化物ＬＥＤは、基板の上に、ｎ型窒化物半導体層、窒化物半導体層からなる 活性層 、およびｐ型窒化物半導体層がこの順に積層され、ｎ型窒化物半導体層上にｎ側電極が形成され、ｐ型窒化物半導体層上にｐ側電極が形成された構造を有している。

• 公開日： 2013/07/04
• 出典： 窒化物半導体発光素子および窒化物半導体発光素子の製造方法
• 出願人： シャープ株式会社

また、ＩｎＧａＮ 活性層 と、活性層を挟む一対のＡｌＧａＩｎＮ光ガイド層と、光ガイド層を挟む一対のＡｌＧａＩｎＮクラッド層と、光ガイド層またはクラッド層中に配置された可飽和吸収層とを備え、可飽和吸収層は、活性層から光を吸収するとともに、光の吸収量が飽和する特性をもつものである。

• 公開日： 1997/07/22
• 出典： 半導体発光素子
• 出願人： パナソニック株式会社

ｎ型窒化物半導体層上に、窒化物半導体層、ｐ型窒化物半導体層および 活性層 が順に積層されている窒化物半導体発光素子である。また、ｎ型窒化物半導体層上に、少なくとも一部に極性面を有する窒化物半導体層、ｐ型窒化物半導体層および活性層が順に積層されている窒化物半導体発光素子である。

• 公開日： 2010/03/18
• 出典： 窒化物半導体発光素子
• 出願人： シャープ株式会社

上記拡散抑止層が形成された構成において、拡散抑止層を、 活性層 と半絶縁性半導体層との間に配置するとともに、活性層および半絶縁性半導体層のそれぞれに接触するように形成することができる。

• 公開日： 2008/09/11
• 出典： 半導体発光素子および半導体発光素子アレイ
• 出願人： 三洋電機株式会社

このように、偏波無依存型半導体光増幅器において、ファイバ結合飽和光出力が小さかった原因は、偏波無依存とするために課せられている 活性層 の構造上の制約が、大きな飽和光出力を得ることを阻んでいるためである。

• 公開日： 2001/02/23
• 出典： 偏波無依存型半導体光増幅器
• 出願人： 富士通株式会社

このような構成によれば、上記高屈折率層から上記低屈折率層へと入射する場合の臨界角、および上記低屈折率層から空気へと入射する場合の臨界角の双方を、上記高屈折率層から空気へと直接入射する場合の臨界角よりも大きくすることが可能である。したがって、上記 活性層 からの光が上記高屈折率層、上記低屈折率層、および空気の界面において全反射される割合を小さくすることが可能であり、光の取り出し効率を高めることができる。

• 公開日： 2008/07/10
• 出典： 半導体発光素子
• 出願人： ローム株式会社