活性層 の意味・用法を知る
活性層 とは、半導体レーザ や半導体レーザ などの分野において活用されるキーワードであり、ソニー株式会社 やパナソニック株式会社 などが関連する技術を56,019件開発しています。
このページでは、 活性層 を含む技術文献に基づき、その意味・用法のみならず、活用される分野や市場、法人・人物などを網羅的に把握することができます。
活性層の意味・用法
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レーザ光は、複数の開口部を通過し 活性層 に対して概ね垂直方向に出射される。
- 公開日:2017/09/21
- 出典:半導体レーザ装置
- 出願人:株式会社東芝
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回折格子層6の屈折率を高めることにより、光閉じ込め係数Γを高めると共に、これによって生じる不具合、すなわち、回折格子層6からの距離が離れるほどに、井戸層4Bの厚みを大きくし、 活性層 内の位置に伴って、光電界強度が急激に低下する点を補う構成とした。
- 公開日:2017/07/13
- 出典:分布帰還型半導体レーザ素子
- 出願人:浜松ホトニクス株式会社
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さらに、光ガイド層(13)の上に設けられた 活性層 (14)と、活性層(14)の上に設けられた電子障壁層(15)、AlGaNからなるp型の第2クラッド層(16)、第2クラッド層(16)の上方に設けられたp型コンタクト層(17)、p型のGaNからなるp型コンタクト層(17)上に設けられた酸化インジウム錫よりなる導電性酸化物層(18)を備えている。
- 公開日:2017/03/16
- 出典:半導体発光素子
- 出願人:パナソニックIPマネジメント株式会社
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基板と、 活性層 で発生する光を共振させる共振部、および前記共振部に接続され前記活性層に歪みを付与する第1歪付与部を有し、前記基板に設けられている積層体と、前記基板に設けられ、前記活性層に歪みを付与する第2歪付与部と、を含み、前記積層体は、前記活性層と、前記活性層を挟む第1ミラー層および第2ミラー層と、を有し、積層方向から見て、前記第1歪付与部は、前記共振部から互いに反対方向に突出する第1部分および第2部分を有し、前記積層方向から見て、前記第2歪付与部の長手方向と前記第1歪付与部の長手方向とは同じ方向であり、前記基板の線膨張係数に対する前記第2歪付与部の線膨張係数の大小関係は、前記基板の線膨張係数...
- 公開日:2018/03/08
- 出典:面発光レーザーおよび原子発振器
- 出願人:セイコーエプソン株式会社
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単セルの構成として、空気極が、第1の空気極層(「集電層」とも呼ばれる)と、第1の空気極層と電解質層との間に配置された第2の空気極層(「 活性層 」とも呼ばれる)とを含む構成が知られている(例えば、特許文献1参照)。
- 公開日:2018/04/05
- 出典:電気化学反応単セルの製造方法および電気化学反応セルスタックの製造方法
- 出願人:日本特殊陶業株式会社
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この構成において、互いに隣り合う導波路構造8の間には、 活性層 6を分断する溝30と、当該溝30に充填され、かつ半導体層4の熱伝導率よりも高い熱伝導率を有する放熱材34とを含む分断構造29が形成されている。
- 公開日:2017/11/24
- 出典:半導体レーザ装置およびその製造方法
- 出願人:ローム株式会社
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CMOSイメージセンサは更に、第1の導電型のウェルの真下の 活性層 における第2の導電型のドープ埋込層111を含む。
- 公開日:2015/10/05
- 出典:CMOSイメージセンサ
- 出願人:マルコニアップライドテクノロジーズリミテッド
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活性層 InAsXSb1−XのAs組成Xを制限することにより、吸収ピーク波長の長波長シフト及びキャリア濃度増加に伴う素子抵抗及び感度低下の抑制を両立させ、また、キャリア濃度の増加を回避し得る濃度の、例えばZn等のp型ドーパントを活性層にドーピングすることで、感度及び素子抵抗の低下を抑制することができ、SNRの劣化を回避することができる。
- 公開日:2017/08/17
- 出典:赤外線受光素子
- 出願人:旭化成エレクトロニクス株式会社
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この発明の赤外線センサは、基板1と、基板1上に形成されたn型コンタクト層2と、AlInAsSb主成分とする化合物半導体層からなりn型コンタクト層上に形成されたn型バリア層3と、InAsxSb(1-x)(0≦x≦1)主成分とする化合物半導体層からなりn型バリア層3上に形成された 活性層 4と、AlGaSb主成分とする化合物半導体層からなり活性層4上に形成されたp型バリア層5と、を備える。
- 公開日:2018/04/12
- 出典:赤外線センサ
- 出願人:旭化成エレクトロニクス株式会社
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レーザ素子1Aは、 活性層 12と、一対のクラッド層11,13と、クラッド層13と活性層12との間に設けられた位相変調層15Aと、を備える。
- 公開日:2018/03/15
- 出典:半導体発光素子及び発光装置
- 出願人:浜松ホトニクス株式会社
活性層の問題点 に関わる言及
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汚染した地下水と生物学的 活性層 との間の良好な接触が重要であるが、汚染した地下水を収容する領域の位置、および地上の条件も、生物学的活性層の形状および大きさに影響を及ぼす。生物学的活性層の少なくとも一部が、汚染した地下水に導入されると、汚染した地下水は、生物学的活性層と接触し、汚染した地下水は、限られた程度しか移動させる必要がない。
- 公開日: 2007/06/07
- 出典: 汚染した地下水から汚染物質を除去する方法
- 出願人: テレコビー.ヴィー.
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つまり、この場合には、上部遮光層はゲート配線層およびメタル配線層によっては遮光できない 活性層 の部分に対して局所的に配置すれば良い。こうすれば、上部遮光層よりも上位にあるメタル配線層またはゲート配線層の面積もできるだけ大きくせずに済む。
- 公開日: 2003/06/27
- 出典: 液晶表示装置及びその製造方法
- 出願人: シャープ株式会社
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従来では、亜鉛拡散抑止層がp型クラッド層内ではなくp型クラッド層の下側に設けられ、 活性層 に対する亜鉛拡散抑止層としてのみ作用していたため、p型クラッド層に対する亜鉛の拡散抑止が十分になされない構造であった。このため、コンタクト層の成長に際し、その成長温度を下げる必要があった。
- 公開日: 2006/01/19
- 出典: 半導体光素子用エピタキシャルウエハ
- 出願人: 日立金属株式会社
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また、一般に、GaN系化合物半導体層のA面成長はサファイア基板のR面上で行うことができるが、得られたGaN系化合物半導体層は結晶欠陥を極めて多く含んでおり、表面には凹凸が存在する。それ故、そのまま、このGaN系化合物半導体層上にGaN系化合物半導体層から成る 活性層 等を形成すると、凹凸が更に拡大し、得られたGaN系半導体発光素子の発光も極めて弱くなる。
- 公開日: 2006/12/28
- 出典: GaN系化合物半導体層の形成方法、及び、GaN系半導体発光素子の製造方法
- 出願人: ソニー株式会社
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また、単結晶SiC基板として、結晶欠陥が比較的多い安価な単結晶SiC基板を用いた場合でも、 活性層 に結晶欠陥が伝播しないため、結晶欠陥が少ない活性層を生成することができる。
- 公開日: 2011/06/30
- 出典: 単結晶SiCの成長方法
- 出願人: 公益財団法人地球環境産業技術研究機構
活性層の特徴 に関わる言及
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窒化物LEDは、基板の上に、n型窒化物半導体層、窒化物半導体層からなる 活性層 、およびp型窒化物半導体層がこの順に積層され、n型窒化物半導体層上にn側電極が形成され、p型窒化物半導体層上にp側電極が形成された構造を有している。
- 公開日: 2013/07/04
- 出典: 窒化物半導体発光素子および窒化物半導体発光素子の製造方法
- 出願人: シャープ株式会社
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また、InGaN 活性層 と、活性層を挟む一対のAlGaInN光ガイド層と、光ガイド層を挟む一対のAlGaInNクラッド層と、光ガイド層またはクラッド層中に配置された可飽和吸収層とを備え、可飽和吸収層は、活性層から光を吸収するとともに、光の吸収量が飽和する特性をもつものである。
- 公開日: 1997/07/22
- 出典: 半導体発光素子
- 出願人: パナソニック株式会社
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n型窒化物半導体層上に、窒化物半導体層、p型窒化物半導体層および 活性層 が順に積層されている窒化物半導体発光素子である。また、n型窒化物半導体層上に、少なくとも一部に極性面を有する窒化物半導体層、p型窒化物半導体層および活性層が順に積層されている窒化物半導体発光素子である。
- 公開日: 2010/03/18
- 出典: 窒化物半導体発光素子
- 出願人: シャープ株式会社
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上記拡散抑止層が形成された構成において、拡散抑止層を、 活性層 と半絶縁性半導体層との間に配置するとともに、活性層および半絶縁性半導体層のそれぞれに接触するように形成することができる。
- 公開日: 2008/09/11
- 出典: 半導体発光素子および半導体発光素子アレイ
- 出願人: 三洋電機株式会社
活性層の使用状況 に関わる言及
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このように、偏波無依存型半導体光増幅器において、ファイバ結合飽和光出力が小さかった原因は、偏波無依存とするために課せられている 活性層 の構造上の制約が、大きな飽和光出力を得ることを阻んでいるためである。
- 公開日: 2001/02/23
- 出典: 偏波無依存型半導体光増幅器
- 出願人: 富士通株式会社
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このような構成によれば、上記高屈折率層から上記低屈折率層へと入射する場合の臨界角、および上記低屈折率層から空気へと入射する場合の臨界角の双方を、上記高屈折率層から空気へと直接入射する場合の臨界角よりも大きくすることが可能である。したがって、上記 活性層 からの光が上記高屈折率層、上記低屈折率層、および空気の界面において全反射される割合を小さくすることが可能であり、光の取り出し効率を高めることができる。
- 公開日: 2008/07/10
- 出典: 半導体発光素子
- 出願人: ローム株式会社
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半導体レーザ
- 半導体レーザの構造(垂直共振器を除く)−(1)
- 半導体レーザの構造(垂直共振器を除く)−(2)
- 垂直共振器を有するレーザの構造
- モノリシックな集積(同じ成長基板上に複数の素子を備えたもの)
- 半導体の積層方向の構造−1
- 半導体の積層方向の構造−2
- 活性層の材料系−基板材料
- 不純物に特徴があるもの
- 電極構造・材料に特徴があるもの
- 被覆構造・材料に特徴があるもの
- 製造方法1
- 製造方法2
- 課題・目的
- レーザ動作のタイプ
- モジュール・パッケージの用途
- モジュール・パッケージのタイプ(典型的なタイプを抽出)
- マウント・モジュール・パッケージにおける目的
- LDチップのマウント
- パッケージ・光モジュールの構成
- 発明の特徴となっている組合せ光学要素(LDチップ外)
- 駆動におけるレーザーのタイプ
- 用途(駆動)
- 駆動において特徴となる目的
- 安定化制御(主に検知・帰還制御)
- 駆動制御
- 異常対策
- 回路構成に特徴があるもの
- 被試験・被検査形状
- 試験・検査する項目
- 試験・検査において特徴と認められる点
- 試験・検査の内容
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気相成長(金属層を除く)
- 成長法
- 成長層の組成
- 導入ガス
- 成長条件(1)成膜温度T 請求項+実施例に記載されている成膜温度を全て付与する(除く従来例)
- 成長条件(2)成膜時の圧力P 請求項+実施例に記載されている成膜時の圧力を全て付与する(除く従来例)
- 被成膜面の組成・基板の特徴・ダミー基板・マスク
- 目的
- 半導体素子等への用途
- 機能的用途
- 半導体成長層の構造
- 半導体層の選択成長
- 絶縁体成長層の構造・絶縁体層の選択成長
- 装置の形式(1)基板支持の形態・成膜中の基板の運動 図面+詳細な説明に例示されている形式をすべて付与する(除く従来例)
- 装置の形式(2)成膜室の形態 図面+詳細な説明に例示されている形式をすべて付与する(除く従来例)
- 成膜一般
- 成膜室・配管構造・配管方法
- ガス供給・圧力制御
- ノズル・整流・遮蔽・排気口
- 排気・排気制御・廃ガス処理
- プラズマ処理・プラズマ制御
- 冷却
- 加熱(照射)・温度制御
- 基板支持
- 搬出入口・蓋・搬送・搬出入
- 測定・測定結果に基づく制御・制御一般
- 機械加工プロセスとの組み合わせ
- 他プロセスとの組合せ