比誘電率 の意味・用法を知る

比誘電率 計測装置により地盤の比誘電率を計測することで地盤の飽和度を計測し、さらに比抵抗トモグラフィ計測装置により地盤の比抵抗変化率を計測することで地盤の飽和度を計測し、比抵抗トモグラフィ計測装置による計測結果および比誘電率計測装置による計測結果から地盤の飽和度の相関を導出し、比抵抗トモグラフィ計測装置による計測結果を比誘電率計測装置による計測結果に基づき較正する。

• 公開日： 2009/06/04
• 出典： 空気注入による地盤の飽和度の計測方法
• 出願人： 独立行政法人産業技術総合研究所

これはＦ添加自体による電子分極率およびイオン分極率の低下による屈折率および 比誘電率 の低下効果の他に、密度減少による屈折率および比誘電率の低下効果が加わるからである。

• 公開日： 1998/04/10
• 出典： 半導体装置の製造方法
• 出願人： 株式会社東芝

以上の説明では、直線偏波、直交偏波及び円偏波の切り替え加熱を行うことについて説明したが、相状態の変化に関係なく、 比誘電率 の変化に応じて、それらの偏波の合成波を使用して加熱すると、さらに加熱ムラが解消される可能性が高い。

• 公開日： 2013/01/24
• 出典： 使用済み核燃料の再処理溶液のマイクロ波加熱方法
• 出願人： 独立行政法人日本原子力研究開発機構

しかしながら、上述したような 比誘電率 の測定方法は、それほど能率的ではないという問題がある。この問題を解決するため、粉体の比誘電率を、粉体の状態のままで求める方法も提案されている。その方法は、以下のとおりである。

• 公開日： 1994/05/20
• 出典： 粉体の比誘電率の測定方法
• 出願人： 株式会社村田製作所

従って、以上の方法によって得られた各粉体の 比誘電率 の大小関係は、焼結品の比誘電率の大小関係と一致するため、異なる材料の粉体の比誘電率の大小関係の相対比較を上記の方法によって行うことができる。

• 公開日： 2005/03/10
• 出典： 誘電体の複素誘電率の測定装置
• 出願人： ＴＤＫ株式会社

従って、従来より、強誘電体薄膜中に形成される自発分極が飽和する程度の電圧を印加することができるように、この強誘電体薄膜の材料として 比誘電率 の小さな強誘電体材料を用いた強誘電体ゲートメモリ、この強誘電体薄膜の形成方法およびこの方法に用いる前駆体溶液の出現が望まれていた。

• 公開日： 1997/08/15
• 出典： 強誘電体ゲートメモリ、これに用いる強誘電体薄膜の形成方法およびこの形成方法に用いる前駆体溶液
• 出願人： 沖電気工業株式会社

粉体量を電極間に通過させ、その静電容量の変化を測定する粉体計測用静電容量計測装置は、粉体を搬送させる空気又は気体に加える圧力による空気又は気体の 比誘電率 の変化が大きく、正確に粉体量を計測出来ない問題があり、空気又は気体の圧力に影響されない正確な粉体計測用静電容量計測装置が望まれている。

• 公開日： 2006/06/22
• 出典： 粉粒体計測用静電容量計測装置
• 出願人： 相原弘志

比誘電率 の高い誘電体基板や厚い誘電体基板の電気的物性値を、測定したい周波数帯で測定できるとともに、誘電体基板の物性値の測定精度を大きく向上できる電気的物性値測定法及び測定用冶具を提供する。

• 公開日： 2004/10/21
• 出典： 電気的物性値測定法
• 出願人： 京セラ株式会社

従来の強誘電体薄膜と同程度の 比誘電率 を有し、かつ、低いリーク電流密度が得られる、高容量密度の薄膜キャパシタ用途に適した強誘電体薄膜形成用組成物、強誘電体薄膜の形成方法並びに該方法により形成された強誘電体薄膜を提供する。

• 公開日： 2010/09/16
• 出典： 強誘電体薄膜形成用組成物、強誘電体薄膜の形成方法並びに該方法により形成された強誘電体薄膜
• 出願人： 三菱マテリアル株式会社

尚、キャップ膜は高誘電率絶縁膜と比較して薄く形成されるため、キャップ膜と高誘電率絶縁膜とを反応させて高誘電率ゲート絶縁膜を形成した場合、高誘電率ゲート絶縁膜の 比誘電率 は元の高誘電率絶縁膜の比誘電率と比べてほとんど変化しない。

• 公開日： 2010/02/18
• 出典： 半導体装置及びその製造方法
• 出願人： パナソニック株式会社

さらに、ガスと絶縁油の 比誘電率 の違いから変圧器の様な複合絶縁構成では、ガス部分の電界は絶縁油の場合より高くなる。従って、ガス絶縁変圧器の絶縁構成においては、油絶縁変圧器以上に電界の不平等を除去する必要がある。

• 公開日： 1996/03/12
• 出典： ガス絶縁静止誘導電器
• 出願人： 株式会社東芝

この 比誘電率 の上昇は、絶縁用ガス、複合絶縁樹脂、導体の接近している箇所、特に、スペーサの絶縁樹脂部においては電界上昇を引き起こし、機器の絶縁破壊や劣化に結び付く。

• 公開日： 2013/05/20
• 出典： 複合絶縁樹脂及びそれを用いた絶縁スペーサ並びにガス絶縁機器
• 出願人： ルネサスエレクトロニクス株式会社

マイクロ波帯やミリ波帯において、誘電体薄膜の 比誘電率 、誘電正接などの誘電定数や、抵抗率といった電気的物性値を高精度で測定することが可能な半同軸共振器型測定治具及び誘電体薄膜の電気的物性値測定方法を提供する。

• 公開日： 2005/07/21
• 出典： 半同軸共振器型測定治具及び誘電体薄膜の電気的物性値測定方法
• 出願人： 京セラ株式会社