構成元素 の意味・用法を知る
構成元素 とは、電気メッキ方法,物品 や雄雌型接触部材 などの分野において活用されるキーワードであり、JX金属株式会社 やソニー株式会社 などが関連する技術を32,045件開発しています。
このページでは、 構成元素 を含む技術文献に基づき、その意味・用法のみならず、活用される分野や市場、法人・人物などを網羅的に把握することができます。
構成元素の意味・用法
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懸濁液製造工程における固体の元素Aは、蛍光体の 構成元素 を含む水溶液の元素MとMnに対して特定の比率で用いた。
- 公開日:2017/01/12
- 出典:蛍光体の製造方法
- 出願人:デンカ株式会社
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電子部品用金属材料は、基材と、Niで構成された下層と、(i)Ag及びPdからなる群であるA 構成元素 群から選択された1種又は2種、又は、(ii)A構成元素群と、Sn及びInからなる群であるB構成元素群から選択された1種又は2種との合金で構成された上層とをこの順に備え、XPS分析を行ったときに最表面から深さ1nmまでの領域に単体のSn又はInが残存せず、SEMによる3.5nm間隔の線分析を行ったときに下層側表面から上層側へ0.1μmの厚み領域における酸素濃度が10ppm以下である。
- 公開日:2015/12/21
- 出典:電子部品用金属材料、それを用いたコネクタ端子、コネクタ及び電子部品
- 出願人:JX金属株式会社
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電子部品用金属材料は、基材と、Niで構成された下層と、(i)Ag及びPdからなる群であるA 構成元素 群から選択された1種又は2種類、又は、(ii)A構成元素群と、Sn及びInからなる群であるB構成元素群から選択された1種又は2種との合金で構成された上層とをこの順に備え、最表面から深さ1nmまでの領域に単体のSn又はInが残存せず、超微小硬さ試験により、前記上層側の表面に荷重20mNで打痕を打って測定して得られた硬度である、前記上層側の表面の平均押し込み硬さが2700〜3500MPaである。
- 公開日:2015/11/19
- 出典:電子部品用金属材料、それを用いたコネクタ端子、コネクタ及び電子部品
- 出願人:JX金属株式会社
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空気極材料の 構成元素 、キレート剤及びアニオン性界面活性剤を含み、構成元素の難溶性粒子が生成しかつ該粒子表面の負電荷が0を超えるpHである原料液を使用し、該難溶性粒子を含む原料液を乾燥して前駆体粉末を得、さらに焼成することで空気極材料を作製する。
- 公開日:2016/03/03
- 出典:固体酸化物形燃料電池の空気極材料の製造方法、空気極材料、これを用いた空気極及び燃料電池。
- 出願人:日産自動車株式会社
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この窒化層17の配置により、パッシベーション膜15の 構成元素 としての酸素が、第1化合物半導体層31及び第2化合物半導体層33に接することを回避できる。
- 公開日:2015/11/24
- 出典:半導体受光素子
- 出願人:住友電気工業株式会社
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中心部は、ケイ素(Si)を 構成元素 として含み、被覆部は、炭素(C)および水素(H)を構成元素として含む。
- 公開日:2014/09/22
- 出典:二次電池用活物質、二次電池用電極、二次電池、電池パック、電動車両、電力貯蔵システム、電動工具および電子機器
- 出願人:ソニー株式会社
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表裏関係にある第1の面及び第2の面を有する酸化物半導体膜と、前記第1の面に形成されたゲート絶縁膜と、前記第2の面に形成されたソース・ドレイン電極と、前記第2の面における前記酸化物半導体膜と前記ソース・ドレイン電極とが重ならない部分及び前記酸化物半導体膜と前記ソース・ドレイン電極とが重なる部分に形成され、前記酸化物半導体膜の 構成元素 とフッ素及び塩素の少なくとも一方を含む表面層と、前記表面層上のチャネル保護絶縁膜と、を有することを特徴とする薄膜デバイス。
- 公開日:2016/10/06
- 出典:薄膜デバイス及びその製造方法
- 出願人:TianmaJapan株式会社
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熱電変換材料の製造方法であって、(1)熱電変換材料の 構成元素 の粒子を、極性を有する有機溶媒中において、熱電変換材料の構成元素の合金化温度よりも低い温度において水熱処理することにより極性を有する有機溶媒由来の炭化水素化合物を熱電変換材料の構成元素の粒子表面に結合させる工程、(2)次いで熱電変換材料の構成元素の合金化温度以上の温度において水熱処理することにより熱電変換材料の構成元素を合金化して熱電変換材料粒子を形成する工程、を含む。
- 公開日:2015/12/21
- 出典:熱電変換材料及びその製造方法
- 出願人:トヨタ自動車株式会社
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電子部品用金属材料は、基材と、基材上に形成された、Ni,Cr,Mn,Fe,Co及びCuからなる群であるA 構成元素 群から選択された1種又は2種以上で構成された下層と、下層上に形成された、Ag,Au,Pt,Pd,Ru,Rh,Os及びIrからなる群であるB構成元素群から選択された1種又は2種類以上で構成された中層と、中層上に形成された、Ag,Au,Pt,Pd,Ru,Rh,Os及びIrからなる群であるB構成元素群から選択された1種又は2種類以上と、Sn及びInからなる群であるC構成元素群から選択された1種又は2種との合金で構成された上層と、上層上に形成されたSn及びInからなる群であるC構成元素群から...
- 公開日:2014/02/13
- 出典:電子部品用金属材料及びその製造方法、それを用いたコネクタ端子、コネクタ及び電子部品
- 出願人:JX金属株式会社
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電磁放射(λ)を受け取って電気信号に変換することが可能であり、動作温度定格を有する半導体構造体(5)であって、同一の導電型を有し、それぞれが第1および第2の半導体材料により形成された第1および第2の領域(20、60)であって、前記第1および第2の半導体材料が同一の、 構成元素 と呼ばれる元素により構成されており、前記構成元素のうち少なくとも2種類の元素の異なる含有率が前記材料のバンドギャップエネルギーの差に対応し、前記第1の材料が直接バンドギャップ半導体材料である、第1および第2の領域(20、60)と、前記第1および第2の領域(20、60)間に設けられ、バリア厚み(e1)において前記第1および第2...
- 公開日:2015/04/16
- 出典:半導体構造体、構造体を含むデバイス、および半導体構造体を製造する方法
- 出願人:コミサリアアレネルジィアトミーク
構成元素の問題点 に関わる言及
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また、本実施の一形態の酸化物半導体膜は、単層の酸化物半導体膜に限定されず、 構成元素 の異なる酸化物半導体、同じ構成元素であっても組成比の異なる酸化物半導体を積層した酸化物半導体膜にも適用できる。
- 公開日: 2011/10/13
- 出典: 半導体膜の作製方法
- 出願人: 株式会社半導体エネルギー研究所
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また、原料として多結晶混晶を用いる場合には、その多結晶混晶を予め製造する際に、 構成元素 のうち蒸気圧の高い元素が欠如し易いので、均一な所望組成の多結晶混晶を得難いという問題点があった。さらに、多結晶混晶を製造する際、例えばZnのように偏析し易い元素を含む場合には、その偏析が起こり、得られた多結晶のうち早く固化した部位ほどZnの濃度が高くなってしまうという問題点もあった。
- 公開日: 1994/11/22
- 出典: 単結晶の製造方法
- 出願人: ジャパンエナジー電子材料株式会社
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また、酸化物超伝導体の 構成元素 と同じで組成が異なっている溶媒を用いる理由は、酸化物超伝導体は分解溶融するので、原料だけで育成すると目的物質以外の化合物が析出するためである。
- 公開日: 2002/04/23
- 出典: 酸化物超伝導体単結晶の製造方法
- 出願人: 独立行政法人科学技術振興機構
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なお、金属層や金属化合物層の表面処理によって得られる金属化合物層では、金属化合物の堆積によって得られる金属化合物層と比較して、十分なバリア性が得られない場合もある。この点、上記製造方法によれば、層間において 構成元素 が異なるように複数の金属化合物層が積層されることから、複数の金属化合物層による相乗効果によってバリア性を担保することが可能にもなる。
- 公開日: 2011/11/04
- 出典: 半導体装置の製造方法
- 出願人: 株式会社アルバック
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めっき処理の判別法としては、鋼板を切り出し、めっき層を溶解してめっき層 構成元素 を分析する方法があるが、分析に時間を要するため、現場で簡単に判別することはできない。また、蛍光X線分析法やグロー放電発光分析法等の機器分析法により、めっき層を分析する方法がある。このような方法は迅速性に優れるが、高価な分析装置が必要となる。
- 公開日: 1995/01/31
- 出典: 化成処理鋼板の判別用試薬およびこれを用いた化成処理鋼板の判別方法
- 出願人: JFEスチール株式会社
構成元素の特徴 に関わる言及
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さらに、 構成元素 の欠損を有するペロブスカイト構造の第一の酸化物層の上に導電性を有するペロブスカイト構造の第二の酸化物層を形成した後に、熱処理によって第一の酸化物層中の欠損を第二の酸化物層に伝搬させたので、第二の酸化物層の導電率を小さくなるように変化できる。
- 公開日: 2006/11/02
- 出典: ペロブスカイト構造の酸化物層を有する酸化物素子の製造方法及び誘電体ベーストランジスタの製造方法
- 出願人: 富士通株式会社
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このように試料を構成してあるので、蒸着膜の組成分布の検出と同時にマーカ層の 構成元素 も検出される。このマーカ層は、絶縁膜の所定の深さの位置に設けられているので、蒸着膜の組成分布における深さの校正が行える。
- 公開日: 1999/02/12
- 出典: ホール内表面の組成分布検出方法
- 出願人: 沖電気工業株式会社
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多元蒸着室A30は、光電変換半導体層30を成膜するチャンバーであり、S30は光電変換半導体層の 構成元素 の各蒸着源からなる蒸着源群を備えている。例えば、光電変換半導体層30がCIGS層である場合は、Cu、Ga、Inの各蒸着源からなる蒸着源群およびSe蒸着源が備えられている。
- 公開日: 2012/01/12
- 出典: 光電変換素子の製造方法及び光電変換半導体層付き基板
- 出願人: 富士フイルム株式会社
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- 目的
- 半導体素子等への用途
- 機能的用途
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- 半導体層の選択成長
- 絶縁体成長層の構造・絶縁体層の選択成長
- 装置の形式(1)基板支持の形態・成膜中の基板の運動 図面+詳細な説明に例示されている形式をすべて付与する(除く従来例)
- 装置の形式(2)成膜室の形態 図面+詳細な説明に例示されている形式をすべて付与する(除く従来例)
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