格子定数 の意味・用法を知る

ＳｉＣ基板は、ＩＩＩ族窒化物結晶と 格子定数 の差が小さく、かつ耐熱性の高い材料であるので、高品質で厚みの大きなＩＩＩ族窒化物結晶をより安定して製造することができる。

• 公開日： 2010/02/25
• 出典： ＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法およびＩＩＩ族窒化物結晶
• 出願人： 住友電気工業株式会社

なお、上記の例では、拡散防止下部層と拡散防止上部層を設けていたが、拡散防止層におけるｃ軸 格子定数 を厚さ方向において局所的に大きくでき、バッファ層の絶縁性が確保でき、かつバッファ層の上に結晶性の良好なキャリア層を成長できる限りにおいて、拡散防止下部層と拡散防止上部層は必ずしも必要ではない。例えば、キャリア層のｃ軸格子定数が拡散防止層よりも小さな場合には、拡散防止上部層を用いないことも可能である。

• 公開日： 2012/09/20
• 出典： 半導体装置
• 出願人： サンケン電気株式会社

この窒化物半導体発光素子を製造するためには、高品質の窒化物単結晶を成長させる技術が必須となる。しかし、窒化物単結晶の 格子定数 及び熱膨張係数に適した普遍的な窒化物単結晶成長用基板が存在しないとの問題がある。

• 公開日： 2005/11/10
• 出典： シリコン基板上における窒化物単結晶の成長方法、これを利用した窒化物半導体発光素子及びその製造方法
• 出願人： 三星電機株式会社

このような窒化物半導体発光素子を製造するためには、高品位の窒化物単結晶を成長させる技術が必須として要される。ところが、窒化物単結晶の 格子定数 及び熱膨張係数に適した窒化物単結晶成長用の基板が普及ではいないという問題がある。

• 公開日： 2008/02/14
• 出典： シリコン基板上の窒化物単結晶成長方法、これを用いた窒化物半導体発光素子及びその製造方法
• 出願人： 三星電機株式会社

上記の問題を解消するために、緩衝層の形成を含めた成長技術を開発した。この技術における目的は、基板とエピタキシャル薄膜層との間の 格子定数 の差異に誘発される歪みを緩和することである。

• 公開日： 2010/09/24
• 出典： 薄膜層の特性を変化させるプロセス、及び前記プロセスを適用する基板
• 出願人： ユニベルシテ・クロード・ベルナール・リヨン・プルミエ

バッファ層の第二の機能に関し、バッファ層は二構造間の中間層であり、その表面の一つの周りに第一の構造の 格子定数 にほぼ等しい第一の格子定数を有し、他の表面の周りに第二の構造の格子定数にほぼ等しい第二の格子定数を有する。

• 公開日： 2005/12/08
• 出典： 薄層除去後のバッファ層を有するウエハの再利用
• 出願人： エス．オー．アイ．テックシリコンオンインシュレータテクノロジーズエス．アー．

リチウム含有遷移金属酸化物の 格子定数 が上記の範囲であることによって、副酸化物がリチウム含有遷移金属酸化物と共通の酸素配列を有し易くなるという好ましい効果を得ることができる。

• 公開日： 2012/03/15
• 出典： 正極活物質およびこれを含む正極を備える非水系二次電池
• 出願人： シャープ株式会社

従って、バッファ層として機能する層は必要なものではない。また、基板の上に歪み印加層を形成する必要もない。例えば、振動部形成層に対して 格子定数 が大きな材料からなる基板を用い、この基板の上に振動部形成層を形成すれば、基板が歪み印加層として機能し、基板の一部を除去すれば、歪み印加層としての基板の側に空間を備えた振動部が振動部形成層に形成された状態が得られる。

• 公開日： 2009/10/08
• 出典： 微小機械共振器およびその製造方法
• 出願人： 東日本電信電話株式会社

ここで、種結晶基板２としては、ＡｌＮ結晶４を成長させることが可能な基板であれば特に制限はないが、成長させるＡｌＮ結晶４と 格子定数 の整合性が高い観点から、ＳｉＣ種結晶基板またはＡｌＮ種結晶基板が好ましい。ここで、ＳｉＣ種結晶基板はＡｌＮ種結晶基板よりもさらに口径の大きい種結晶基板の入手が容易であるため、さらに大口径で結晶性のよいＡｌＮ結晶の成長に適している。また、ＡｌＮ種結晶基板は、ＳｉＣ種結晶基板よりもさらにＡｌＮ結晶との格子定数の整合性が高いため、より結晶性のよいＡｌＮ結晶の成長に適している。

• 公開日： 2007/03/08
• 出典： ＡｌＮ結晶の成長方法
• 出願人： 住友電気工業株式会社