アモルファスシリコン の意味・用法を知る

さらに、三接合型 アモルファスシリコン 積層膜（３−Ｓｉ）を光吸収体、金属触媒を二酸化炭素還元電極として用いた二酸化炭素還元反応に関する技術が開示されている（特許文献１４及び１５）。

• 公開日：2016/07/25
• 出典：還元反応用電極及びそれを用いた反応デバイス
• 出願人：株式会社豊田中央研究所

生産性を低下させることなく、粒径が大きな単結晶領域を得ることが可能な アモルファスシリコン の結晶化方法を提供すること。

• 公開日：2015/06/22
• 出典：アモルファスシリコンの結晶化方法、結晶化シリコン膜の成膜方法、半導体装置の製造方法および成膜装置
• 出願人：東京エレクトロン株式会社

ボロメータ膜２０４には、遠赤外線の吸収による温度変化を高感度で検出するために、電気的抵抗の温度依存性が大きい材料（例えば アモルファスシリコン ）が用いられる。

• 公開日：2015/08/03
• 出典：半導体装置の製造方法および半導体装置の製造装置
• 出願人：キヤノン株式会社

本発明の目的は、メソポーラスシリコン、特にメソポーラス アモルファスシリコン を作製する方法であって、好ましくは、既存の方法よりも経済的に行える方法を提供する

• 公開日：2014/05/15
• 出典：メソポーラスシリコン
• 出願人：サイメデイカリミテツド

本発明は、Ｌｉイオン電池のアノード内の活物質としてのメチル化 アモルファスシリコン アロイの使用に関する。

• 公開日：2014/08/07
• 出典：Ｌｉイオン電池のアノード
• 出願人：エコールポリテクニック

プロセス８００は、 アモルファスシリコン 又はアモルファスシリコンに適合可能なプロセスを用いて、ディスプレイパネル用のポリ−最終構造を形成する（ブロック８１０）。

• 公開日：2010/06/24
• 出典：フラットパネルディスプレイ半導体の製造方法
• 出願人：パロアルトリサーチセンターインコーポレイテッド

ウェハＷにマイクロ波を照射して、当該ウェハＷ上の アモルファスシリコン において、ウェハＷとアモルファスシリコンとの界面において当該アモルファスシリコンが単結晶化し、且つ界面以外の領域で核生成がおこらない温度である第１の温度に昇温する。

• 公開日：2014/10/02
• 出典：マイクロ波加熱処理方法
• 出願人：東京エレクトロン株式会社

半導体素子に影響を及ぼすアルカリ金属を用いずに、多結晶シリコンまたは アモルファスシリコン からなるシリコン膜を高速でエッチングし、窒化シリコン（ＳｉＮ）との良好な選択性を実現するキャパシタの形成方法を提供する。

• 公開日：2013/09/05
• 出典：キャパシタ形成方法、半導体基板製品の製造方法、およびエッチング液
• 出願人：富士フイルム株式会社

前記シリコン膜を形成する工程は、 アモルファスシリコン を堆積させる第１工程と、アモルファスシリコンを堆積させると共にシリコン結晶粒を生成し、前記シリコン結晶粒の成長速度よりも前記アモルファスシリコンの堆積速度を高くする第２工程と、を有する。

• 公開日：2012/04/26
• 出典：半導体装置及びその製造方法
• 出願人：株式会社東芝

導電性基体上に少なくとも アモルファスシリコン からなる感光層が形成されている潜像担持部と、弾性ブレードを有するクリーニング部とを備え、潜像担持部における導電性基体の感光層側の表面から潜像担持部の最表面までの距離が３０μｍ以下である画像成形装置において、潜像担持部の絶縁破壊を防止でき、長期間にわたって画像濃度の低下等の画像欠陥の発生を抑制でき、且つ、１成分現像剤としても２成分現像剤としても使用可能な静電潜像現像用トナーを提供すること。また、潜像担持部の絶縁破壊を防止でき、長期間にわたって画像濃度の低下等の画像欠陥の発生を抑制できる、前述の画像形成装置による画像形成方法を提供すること。

• 公開日：2012/08/16
• 出典：静電潜像現像用トナー、及び画像形成方法
• 出願人：京セラドキュメントソリューションズ株式会社