BL の意味・用法を知る

メモリーセルアレイ１０は、行方向（図中の横方向）及び列方向（図中の縦方向）にマトリックス状に配置されたＭ行Ｎ列のメモリーセルを含んでいる。また、メモリーセルアレイ１０は、複数のワード線ＷＬ０、ＷＬ１、ＷＬ２、・・・と、複数のソース線ＳＬ０、ＳＬ１、ＳＬ２、・・・と、複数のグローバルビット線ＧＢＬ０、ＧＢＬ１、ＧＢＬ２、・・・とを含んでいる。

• 公開日：2018/03/01
• 出典：半導体記憶装置、集積回路装置、及び、電子機器
• 出願人：セイコーエプソン株式会社

ＢＬＥを用いた通信から他の通信への切り替えに時間がかかる場合があった。

• 公開日：2018/02/15
• 出典：通信装置、通信装置の制御方法、プログラム
• 出願人：キヤノン株式会社

...モリセルアレイの例を示すブロック図である。 図１を参照すると、半導体メモリ素子１はメモリセルアレイ１０、アドレスデコーダ２０、読出し／書込み回路３０、データ入出力回路４０、及び制御ロジック５０を含む。 メモリセルアレイ１０はワードラインＷＬを通じてアドレスデコーダ２０に接続され、ビットラインＢＬを通じて読出し／書込み回路３０に接続される。メモリセルアレイ１０は複数個のメモリセルを含む。例えば、メモリセルアレイ１０はセル当たり１つ又はそれ以上のビットを格納することができるように構成される。

• 公開日：2016/12/22
• 出典：補助ビットラインを含む半導体素子およびその製造方法
• 出願人：三星電子株式會社

本実施形態において、複数の発光部４０は、それぞれ半導体レーザーから構成される。 複数の発光部４０は、支持部材２０Ｂの上面２０Ｂ１においてＸ方向に一次元的に実装されている。各発光部４０は青色（発光強度のピーク：約４４５ｎｍ）の光ビームからなる光線ＢＬを射出する。

• 公開日：2017/11/16
• 出典：光源装置及びプロジェクター
• 出願人：セイコーエプソン株式会社

当初のBluetooth（登録商標）プロトコルと比較して、 BL Eは、同様の通信距離を維持しつつ相当に低減された消費電力およびコストを提供する

• 公開日：2017/09/07
• 出典：改善された低エネルギーデータ通信のための方法および装置
• 出願人：アセンシア・ディアベティス・ケア・ホールディングス・アーゲー

また、他の無線通信方式として、同じくＩＳＭバンドの利用により、携帯端末装置等との近距離での無線通信を目的とする、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ（登録商標）もその採用が進んでいる。近年、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈにおいてはその消費電力の低減を目的としたＢｌｕｅｔｏｏｔｈ Ｌｏｗ Ｅｎｅｒｇｙ（以下、ＢＬＥと略記する。）の規格が追加され、さらに普及が進むことが期待されている。これらの無線通信方式はそれぞれに特徴があり、ユーザによる使われ方も異なることから、近年の傾向として、１台の装置でなるべく多くの無線通信方式に対応することが求められている。

• 公開日：2018/01/11
• 出典：情報処理装置、その制御方法、及びプログラム
• 出願人：キヤノン株式会社

光源ユニット２１は、固体光源としての複数の半導体レーザー２１ａを備える。複数の半導体レーザー２１ａは光軸ＡＸ０と直交する面内において、アレイ状に配置されている。半導体レーザー２１ａは、例えば青色の光線ＢＬ（例えばピーク波長が４４５ｎｍのレーザー光）を射出する。

• 公開日：2018/04/05
• 出典：照明装置及びプロジェクター
• 出願人：セイコーエプソン株式会社

第一リガンドおよび第二リガンドがＣＤ４０Ｌ、ＣＤ２７Ｌ、４−１ＢＢＬ、ＯＸ４０Ｌ、ＡＰＲＩＬ、ＣＤ３０Ｌ、ＥＤＡ−Ａ１、ＥＤＡ−Ａ２、ＦａｓＬ、ＧＩＴＲＬ、ＬＩＧＨＴ、ＬＴ−アルファ、ＴＬ１Ａ、ＴＮＦ−アルファ、ＴＲＡＩＬ、ＲＡＮＫＬおよびＴＷＥＡＫからなる群、好ましくはＣＤ４０Ｌ、ＣＤ２７Ｌ、４−１ＢＢＬおよびＯＸ４０Ｌからなる群から選択される、請求項１〜１８のいずれかに記載のサイトカイン融合タンパク質。

• 公開日：2018/02/08
• 出典：サイトカイン融合タンパク質
• 出願人：ビオエンテッヒ・アールエヌエイ・ファーマシューティカルズ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング

本実施の形態に示す半導体装置は、半導体基板１２０に設けられたセンスアンプ６１と、センスアンプ６１の上に設けられたメモリセル５１ａａ及びメモリセル５１ａｂと、配線ＷＬａａ及び配線ＷＬａｂと、メモリセル５１ａａ及びメモリセル５１ａｂの上に設けられた配線ＢＬａと、を有する。

• 公開日：2017/02/09
• 出典：半導体装置
• 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

配線ＷＬは、トランジスタＯＳ２のオン・オフを制御する信号を供給する機能を有する。すなわち、配線ＷＬはメモリセルＭＣのワード線としての機能を有する。配線ＢＬは、トランジスタＯＳ２を介して、容量素子Ｃ０に電荷を書き込む機能を有する。すなわち、配線ＢＬはメモリセルＭＣのビット線としての機能を有する。メモリセルＭＣは、容量素子Ｃ０に電荷を書き込んだ後に、トランジスタＯＳ２をオフにすることで、容量素子Ｃ０に書き込まれた電荷を保持することができる。

• 公開日：2017/02/09
• 出典：メモリセルの作製方法及び半導体装置の作製方法
• 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所