BL の意味・用法を知る
BL とは、半導体メモリ やDRAM などの分野において活用されるキーワードであり、株式会社東芝 やルネサスエレクトロニクス株式会社 などが関連する技術を25,855件開発しています。
このページでは、 BL を含む技術文献に基づき、その意味・用法のみならず、活用される分野や市場、法人・人物などを網羅的に把握することができます。
BLの意味・用法
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メモリーセルアレイ10は、行方向(図中の横方向)及び列方向(図中の縦方向)にマトリックス状に配置されたM行N列のメモリーセルを含んでいる。また、メモリーセルアレイ10は、複数のワード線WL0、WL1、WL2、・・・と、複数のソース線SL0、SL1、SL2、・・・と、複数のグローバルビット線GBL0、GBL1、GBL2、・・・とを含んでいる。
- 公開日:2018/03/01
- 出典:半導体記憶装置、集積回路装置、及び、電子機器
- 出願人:セイコーエプソン株式会社
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BLEを用いた通信から他の通信への切り替えに時間がかかる場合があった。
- 公開日:2018/02/15
- 出典:通信装置、通信装置の制御方法、プログラム
- 出願人:キヤノン株式会社
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...モリセルアレイの例を示すブロック図である。 図1を参照すると、半導体メモリ素子1はメモリセルアレイ10、アドレスデコーダ20、読出し/書込み回路30、データ入出力回路40、及び制御ロジック50を含む。 メモリセルアレイ10はワードラインWLを通じてアドレスデコーダ20に接続され、ビットラインBLを通じて読出し/書込み回路30に接続される。メモリセルアレイ10は複数個のメモリセルを含む。例えば、メモリセルアレイ10はセル当たり1つ又はそれ以上のビットを格納することができるように構成される。
- 公開日:2016/12/22
- 出典:補助ビットラインを含む半導体素子およびその製造方法
- 出願人:三星電子株式會社
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本実施形態において、複数の発光部40は、それぞれ半導体レーザーから構成される。 複数の発光部40は、支持部材20Bの上面20B1においてX方向に一次元的に実装されている。各発光部40は青色(発光強度のピーク:約445nm)の光ビームからなる光線BLを射出する。
- 公開日:2017/11/16
- 出典:光源装置及びプロジェクター
- 出願人:セイコーエプソン株式会社
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当初のBluetooth(登録商標)プロトコルと比較して、 BL Eは、同様の通信距離を維持しつつ相当に低減された消費電力およびコストを提供する
- 公開日:2017/09/07
- 出典:改善された低エネルギーデータ通信のための方法および装置
- 出願人:アセンシア・ディアベティス・ケア・ホールディングス・アーゲー
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また、他の無線通信方式として、同じくISMバンドの利用により、携帯端末装置等との近距離での無線通信を目的とする、Bluetooth(登録商標)もその採用が進んでいる。近年、Bluetoothにおいてはその消費電力の低減を目的としたBluetooth Low Energy(以下、BLEと略記する。)の規格が追加され、さらに普及が進むことが期待されている。これらの無線通信方式はそれぞれに特徴があり、ユーザによる使われ方も異なることから、近年の傾向として、1台の装置でなるべく多くの無線通信方式に対応することが求められている。
- 公開日:2018/01/11
- 出典:情報処理装置、その制御方法、及びプログラム
- 出願人:キヤノン株式会社
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光源ユニット21は、固体光源としての複数の半導体レーザー21aを備える。複数の半導体レーザー21aは光軸AX0と直交する面内において、アレイ状に配置されている。半導体レーザー21aは、例えば青色の光線BL(例えばピーク波長が445nmのレーザー光)を射出する。
- 公開日:2018/04/05
- 出典:照明装置及びプロジェクター
- 出願人:セイコーエプソン株式会社
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第一リガンドおよび第二リガンドがCD40L、CD27L、4−1BBL、OX40L、APRIL、CD30L、EDA−A1、EDA−A2、FasL、GITRL、LIGHT、LT−アルファ、TL1A、TNF−アルファ、TRAIL、RANKLおよびTWEAKからなる群、好ましくはCD40L、CD27L、4−1BBLおよびOX40Lからなる群から選択される、請求項1〜18のいずれかに記載のサイトカイン融合タンパク質。
- 公開日:2018/02/08
- 出典:サイトカイン融合タンパク質
- 出願人:ビオエンテッヒ・アールエヌエイ・ファーマシューティカルズ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング
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本実施の形態に示す半導体装置は、半導体基板120に設けられたセンスアンプ61と、センスアンプ61の上に設けられたメモリセル51aa及びメモリセル51abと、配線WLaa及び配線WLabと、メモリセル51aa及びメモリセル51abの上に設けられた配線BLaと、を有する。
- 公開日:2017/02/09
- 出典:半導体装置
- 出願人:株式会社半導体エネルギー研究所
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配線WLは、トランジスタOS2のオン・オフを制御する信号を供給する機能を有する。すなわち、配線WLはメモリセルMCのワード線としての機能を有する。配線BLは、トランジスタOS2を介して、容量素子C0に電荷を書き込む機能を有する。すなわち、配線BLはメモリセルMCのビット線としての機能を有する。メモリセルMCは、容量素子C0に電荷を書き込んだ後に、トランジスタOS2をオフにすることで、容量素子C0に書き込まれた電荷を保持することができる。
- 公開日:2017/02/09
- 出典:メモリセルの作製方法及び半導体装置の作製方法
- 出願人:株式会社半導体エネルギー研究所