BL の意味・用法を知る

癌を患う個体における癌の再発リスクを予測する方法であって、該方法は、ＦＯＸＭ１、ＰＴＴＧ１、ＺＮＦ３６７、ＵＨＲＦ１、Ｅ２Ｆ１、ＭＹＢＬ２、ＨＭＧＢ２、ＡＴＡＤ２、Ｅ２Ｆ８、及びＴＣＦ１９から選択される少なくとも３つの遺伝子又は該遺伝子によりコード化されたタンパク質の陽性発現について、個体から得た癌のサンプルを分析する工程を含み、ここで、少なくとも３つの遺伝子又は該遺伝子によりコード化されたタンパク質の陽性発現は、少なくとも３つの遺伝子又は該遺伝子によりコード化されたタンパク質の陽性発現を示さない、癌を患う個体と比較して、癌の再発リスクが増加することに相関し；ここで、少なくとも３つの遺伝子又は...

• 登録日：2020/07/07
• 出典：癌の再発リスクを予測する方法
• 出願人：ザプロボスト，フェローズ，ファウンデーションスカラーズ，アンドジアザーメンバーズオブボード，オブザカレッジオブザホーリーアンドアンディブ．トリニティーオブクイーンエリザベス，ニアーダブリン

通信システム１は、仲介機１０、ＭＦＰ１２、ＩＷＢ１３、プロジェクタ１４がＬＡＮ等のネットワークＮ１に接続されている。また、通信システム１は仲介機１０が無線ＬＡＮ通信及びＢＬＥ（Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ（登録商標） Ｌｏｗ Ｅｎｅｒｇｙ）通信により１台以上のスマートデバイス１１とアクセス可能である。

• 公開日：2016/09/23
• 出典：通信装置、通信システム、プログラム及び通信制御方法
• 出願人：株式会社リコー

これにより、メガネをかけていないユーザと、普段メガネを着用しているユーザとの両方に、面倒さや煩わしさを感じさせることなく、ＢＬＣ機能を提供する

• 公開日：2017/11/24
• 出典：表示制御装置および表示制御プログラム
• 出願人：富士通クライアントコンピューティング株式会社

...導体基板（シリコン基板）の拡散領域ＦＬ及び素子分離のためのシリコン酸化膜４ａを示すレイアウト図である。図１（Ｃ）は、メモリセル間を分離すためのポリシリコン層の分離用ゲート４ｂを示すレイアウト図である。図２（Ａ）は、ポリシリコン層のワード線ＷＬ１〜ＷＬ６を示すレイアウト図である。図２（Ｂ）は、ビット線ＢＬ１〜ＢＬ４を示すレイアウト図である。図２（Ｃ）は、強誘電体容量の下部電極４ｇ、強誘電体膜４ｈ及び上部電極４ｉを示すレイアウト図である。図３（Ａ）は、図１（Ａ）のＡ−Ａ線に沿った断面図である。図３（Ｂ）は、図１（Ａ）のＢ−Ｂ線に沿った断面図である。図４は、メモリセルの構成例を示す回路図である。

• 公開日：2017/12/28
• 出典：強誘電体メモリ装置
• 出願人：富士通セミコンダクター株式会社

前記送電側超音波振動子および前記受電側超音波振動子は、共に、ボルト締めランジュバン振動子（ＢＬＴ）であることを特徴とする請求項１〜８の何れかに記載の超音波非接触給電システム。

• 公開日：2017/12/14
• 出典：超音波非接触給電システム
• 出願人：国立大学法人神戸大学

パラメータ同定装置１２は、モータに対するトルクτと、モータの角度θＭ及び角速度ωＭの実測データと、負荷の角度θＬ及び角速度ωＬの実測データと、を取得するデータ取得部１２０と、取得された各種実測データに基づいて複数の位相面図を生成する位相面図生成部１２１と、生成された複数の位相面図に基づいて、モータの摩擦、負荷の摩擦、連結部材の剛性、及び、連結部材の不感帯幅を示すモデルパラメータ（τｆＭ０、τｆＬ０、ＢＬ０、ＫＲ０）を同定するパラメータ同定部と、を備える。

• 公開日：2017/11/30
• 出典：パラメータ同定装置、モータ制御システム、パラメータ同定方法及びプログラム
• 出願人：三菱重工業株式会社

半導体記憶装置１は、アレイ状に配置された複数のメモリセルＭＣと、行方向に配列される複数のメモリセルＭＣ毎に、何れか１つを選択する第１選択回路３１と、ビット線ＢＬの何れか１つを選択する第２選択回路３２とを有する。また、半導体記憶装置１は、リーク電流判定回路２５と、バックゲート電圧記憶回路２６と、バックゲート電圧供給回路２７とを更に有する。リーク電流判定回路２５は、接続されているすべてのメモリセルが非選択状態であるリーク電流の大きさが基準電流値以下であるか否かを判定する。バックゲート電圧記憶回路２６はバックゲート電圧を示すバックゲート電圧情報を１つ又は２つ以上記憶し、バックゲート電圧供給回路２７は...

• 公開日：2018/02/08
• 出典：半導体記憶装置及びその制御方法
• 出願人：三重富士通セミコンダクター株式会社

...信号ＷＣＬＫの立ち上がりに応答し、行デコーダ２０を制御して、選択中のワードラインＷＬの電圧を非アクティブレベルに設定する。制御部４０は、所定の期間ＴＷＬＦが経過して、そのワードラインＷＬの電圧が非アクティブレベルに達した後、列デコーダ３０と協働して、次に選択するメモリセルＭＣに接続されたビットラインＢＬ，／ＢＬに書き込みデータＥＤに対応する電圧を印加する。さらに、行デコーダ２０を制御して、次に選択するメモリセルＭＣに接続されているワードラインＷＬをアクティブレベルとする。

• 公開日：2017/08/24
• 出典：磁気抵抗変化型記憶装置及びそのアクセス方法
• 出願人：国立大学法人東北大学

通信システムには、２つの携帯端末と２つのＢＬＥ端末がある。携帯端末はＢＬＥ端末と接続を確立する。具体的には、携帯端末をセントラルとし、ＢＬＥ端末をペリフェラルとして携帯端末とＢＬＥ端末とが接続される。ＢＬＥ端末は、携帯端末と接続された状態で、他の携帯端末と接続された状態の他のＢＬＥ端末と通信を行う。ＢＬＥ端末同士は、接続を確立して通信を行う場合と、接続を確立せずに通信を行う場合とがある。

• 公開日：2017/02/09
• 出典：無線システム、無線機器、通信プログラム、および通信方法
• 出願人：任天堂株式会社

アレイ光源２１は、複数の半導体レーザー２１ａが配列されたものからなる。具体的には、光軸と直交する面内に複数の半導体レーザー２１ａがアレイ状に並ぶことによって構成されている。半導体レーザー２１ａの個数は特に限定されない。なお、半導体レーザー２１ａは、例えばピーク波長が４５０ｎｍのレーザー光からなる励起光ＢＬを射出する。半導体レーザーは特許請求の範囲の「発光素子」に相当する。

• 公開日：2017/08/17
• 出典：波長変換素子、照明装置及びプロジェクター
• 出願人：セイコーエプソン株式会社