形成過程 の意味・用法を知る
形成過程 とは、化学的手段による非生物材料の調査、分析 や粒子の特徴の調査 などの分野において活用されるキーワードであり、NSウエスト株式会社 や大日本印刷株式会社 などが関連する技術を17,451件開発しています。
このページでは、 形成過程 を含む技術文献に基づき、その意味・用法のみならず、活用される分野や市場、法人・人物などを網羅的に把握することができます。
形成過程の意味・用法
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接続部材22のこの微細構造には、その 形成過程 が関連している。
- 公開日:2015/02/05
- 出典:電子モジュール、電子モジュールの製造方法
- 出願人:大日本印刷株式会社
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また、本発明におけるスペーサーを配置する微小突起物形配置部近傍あるいは非配置部は、形成する微小突起物の転写による 形成過程 において干渉しない程度の十分な距離を持った場所であることが好ましい。
- 公開日:2008/05/29
- 出典:微小突起物の形成方法
- 出願人:凸版印刷株式会社
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内層導電パターン 形成過程 P1aで,内層導体パターン1aを形成し,次にアンダーコート形成過程P1bで,クリーム半田1eを形成すべき開口部を除いて絶縁材料のアンダーコート1bを形成し,次に導電ペースト形成過程P1cで,該開口部の約半分程度の間に架橋して導電ペースト1cを形成し,次にレジスト形成過程P1dで,該開口部を除いてレジスト1dを形成し,次にクリーム半田形成過程P1eで,該開口部にクリーム半田を印刷し,そして次に加熱過程P1fで,該クリーム半田を溶融し半田付けを行う導通形成工程P1から成る事を特徴とする,パターン導通形成方法を提供する。
- 公開日:2002/03/29
- 出典:パターン導通形成方法
- 出願人:NSウエスト株式会社
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ハロゲン化銀乳剤粒子の 形成過程 中のAgX粒子自身の情報をイン−シツ法で監視する方法を提供する事、また分散媒溶液中におけるハロゲン化銀の信頼性ある溶解度をイン−シツ法で求める方法を提供する事にある。
- 公開日:1997/03/07
- 出典:ハロゲン化銀粒子形成工程監視方法
- 出願人:富士フイルムホールディングス株式会社
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図1に示す本発明のGaN LEDの 形成過程 において形成されるGaN LED構造に適用される第1のLSA方法例を示す模式図である。
- 公開日:2015/09/24
- 出典:窒化ガリウム発光ダイオード
- 出願人:ウルトラテックインク
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また、破骨細胞の 形成過程 (osteoclastogenesis)に関与することがよく知られているマスター遺伝子であるNFATc1のsiRNAを用いてBMMsで破骨細胞の形成過程を遮断し、同じ方法でウェスタンブロットを行った。
- 公開日:2015/09/24
- 出典:Slit−Roboシステムを用いた骨折又は骨粗鬆症の予防或いは治療用組成物
- 出願人:ザアサンファウンデーション
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絶縁層108の 形成過程 においては、ゲート絶縁層104の形成に関して指摘したのと同 様に、堆積性ガスに含まれるフッ素により、ソース電極層107aおよびドレイン電極層 107bがエッチングされる可能性がある。
- 公開日:2015/09/17
- 出典:半導体装置
- 出願人:株式会社半導体エネルギー研究所
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これと類似に大韓民国公開特許10−2012−006402号と10−2012−0065224号の場合、貫通口の活用は上と同一であるが、電極間の間隔形成の場合、スペーサなどを活用して人為的に間隔を形成しないで誘電体層の 形成過程 で現われる自然的な表面凹凸を間隔で活用している。
- 公開日:2015/09/17
- 出典:電極上に導電体突出部を有する誘電体障壁放電方式のプラズマ発生電極構造体
- 出願人:エスピーテック
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他の例示で、上記方法で金属凸部の 形成過程 は、一面に金属の前駆体を含む溶液の層が形成されている第1基板と一面に凹凸層が形成されている第2基板を上記金属の前駆体を含む溶液の層と上記凹凸層が対向するように積層した状態で上記金属の前駆体を金属に転換させることを含むことができる。
- 公開日:2015/09/17
- 出典:偏光分離素子の製造方法
- 出願人:エルジー・ケム・リミテッド
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パーティクル 形成過程 においてβサブユニットのアミノ末端のプロ配列の解裂は、触媒的求核剤として役立つアミノ末端スレオニン残基に曝される。
- 公開日:2015/09/10
- 出典:ペプチドエポキシケトンプロテアーゼ阻害剤結晶及びアミノ酸ケトエポキシドの調製
- 出願人:オニキスセラピューティクス,インク.
形成過程の問題点 に関わる言及
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一方、顔の皮膚の肌理、特に目尻と頬の間の皮膚の肌理がシワの 形成過程 の指標になること、又、この肌理より将来のシワ形成可能性が知ることが出来ることは全く知られていなかった。
- 公開日: 2000/08/02
- 出典: シワの鑑別法及びその進度を指標とする化粧料の選択方法
- 出願人: ポーラ化成工業株式会社
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一方、シリサイド膜16の 形成過程 が完了した後にも臨時膜12が残留してもよいが、シリサイド膜16の形成過程で臨時膜12がシリサイド膜16にほとんど吸収される。そのため、シリサイド膜16の形成過程が完了した後、残りの臨時膜の厚さは最初に形成された臨時膜12の厚さに比べて極めて薄く、膜として何らの意味もない。したがって、シリサイド膜16の特性は、シリサイド膜16の形成後に残った臨時膜から大きい影響を受けない。
- 公開日: 2005/06/23
- 出典: 熱的安定性に優れるシリサイド膜の形成方法、その方法で形成されたシリサイド膜を備える半導体素子と半導体メモリ素子およびそれらの素子の製造方法
- 出願人: 三星電子株式會社
形成過程の使用状況 に関わる言及
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