形成過程 の意味・用法を知る

接続部材２２のこの微細構造には、その 形成過程 が関連している。

• 公開日：2015/02/05
• 出典：電子モジュール、電子モジュールの製造方法
• 出願人：大日本印刷株式会社

また、本発明におけるスペーサーを配置する微小突起物形配置部近傍あるいは非配置部は、形成する微小突起物の転写による 形成過程 において干渉しない程度の十分な距離を持った場所であることが好ましい。

• 公開日：2008/05/29
• 出典：微小突起物の形成方法
• 出願人：凸版印刷株式会社

内層導電パターン 形成過程 Ｐ１ａで，内層導体パターン１ａを形成し，次にアンダーコート形成過程Ｐ１ｂで，クリーム半田１ｅを形成すべき開口部を除いて絶縁材料のアンダーコート１ｂを形成し，次に導電ペースト形成過程Ｐ１ｃで，該開口部の約半分程度の間に架橋して導電ペースト１ｃを形成し，次にレジスト形成過程Ｐ１ｄで，該開口部を除いてレジスト１ｄを形成し，次にクリーム半田形成過程Ｐ１ｅで，該開口部にクリーム半田を印刷し，そして次に加熱過程Ｐ１ｆで，該クリーム半田を溶融し半田付けを行う導通形成工程Ｐ１から成る事を特徴とする，パターン導通形成方法を提供する。

• 公開日：2002/03/29
• 出典：パターン導通形成方法
• 出願人：ＮＳウエスト株式会社

ハロゲン化銀乳剤粒子の 形成過程 中のＡｇＸ粒子自身の情報をイン−シツ法で監視する方法を提供する事、また分散媒溶液中におけるハロゲン化銀の信頼性ある溶解度をイン−シツ法で求める方法を提供する事にある。

• 公開日：1997/03/07
• 出典：ハロゲン化銀粒子形成工程監視方法
• 出願人：富士フイルムホールディングス株式会社

図５は、本実施形態における溝の 形成過程 の一例を示す模式図である。

• 公開日：2018/12/20
• 出典：エッチング方法およびエッチング装置
• 出願人：東京エレクトロン株式会社

非晶質炭素膜の 形成過程 におけるプラズマ照射は、例えば系内を真空ポンプにより約5〜100Paあるいはこれ以下に減圧した後、炭化水素ガスを導入して真空チャンバー内の圧力を約6〜500Pa、好ましくは約10〜100Paとし、周波数40kHzまたは13.56MHzなどの高周波電源または周波数2.45GHzのマイクロ波電源を使用して、装置の大きさにもよるが、約10〜3000Wの電力を約1〜60分供給することによって行われる。なお、非晶質炭素膜の形成が大気圧プラズマ処理により行われると、消費ガス量が多く、コストがかかるようになるため好ましくない。

• 公開日：2018/12/20
• 出典：フッ素樹脂−ゴム積層体
• 出願人：ＮＯＫ株式会社

例えば、チップ抵抗器においては、導体（表面電極及び裏面電極）の 形成過程 において、基板の一方の面に導体形成用組成物を印刷し、乾燥させて乾燥膜（例えば、裏面乾燥膜）を形成した後、焼成する前に、基板の他方の面に導体形成用組成物を印刷し、乾燥させて乾燥膜（例えば、表面乾燥膜）を形成する。

• 公開日：2018/12/20
• 出典：導体形成用組成物、導体とその製造方法、及び、チップ抵抗器
• 出願人：住友金属鉱山シポレックス株式会社

例えば、導体（表面電極及び裏面電極）の 形成過程 において、基板の一方の面に導体形成用組成物を印刷し、乾燥させて乾燥膜（例えば、裏面乾燥膜）とした後、基板の他方の面に導体形成用組成物を印刷し、乾燥させて乾燥膜（例えば、表面乾燥膜）とし、その後、基板両面の乾燥膜を同時に焼成することにより、焼成工程を一回省く方法が検討されている。

• 公開日：2018/12/20
• 出典：導体形成用組成物とその製造方法、導体とその製造方法、チップ抵抗器
• 出願人：住友金属鉱山シポレックス株式会社

ＳｉＣ／ＳｉＣ複合材の 形成過程 は、図２を参照。

• 公開日：2018/12/20
• 出典：ＳｉＣ／ＳｉＣ複合材およびその製造方法
• 出願人：イビデン株式会社

これに対し、本発明の一実施形態による積層セラミックキャパシター１００は、アルファビア１３１、１３２の直径がベータビア１４１、１４２の直径より大きいため、内部電極１２１、１２２と直接接触するベータビア１４１、１４２の 形成過程 で保護層Ｃが容量層Ａを加圧しないようにすることにより、第１及び第２内部電極１２１、１２２の間で短絡が発生することを防止できるようにする。

• 公開日：2018/12/20
• 出典：積層セラミックキャパシター及びその製造方法
• 出願人：サムソンエレクトロ−メカニックスカンパニーリミテッド．