アニール の意味・用法を知る

側壁、閉鎖端および開口端を有する、容器の金属プレフォームを アニール するための方法であって、電磁場を発生させる工程；およびプレフォーム材料を誘導加熱するために該金属プレフォームを該電磁場に曝露して、該材料において少なくとも120℃／秒の温度上昇を生じさせて、該プレフォーム材料の融点温度の65％〜98％の範囲のアニール温度に到達させることによって、該金属プレフォームの少なくとも一つの領域をショックアニールする工程を含む、方法。

• 登録日：2019/09/13
• 出典：金属容器をブロー成形するための方法
• 出願人：モンテベロテクノロジーサービシズリミテッド

ＺｎＯ系半導体構造の製造方法は、（ａ）活性酸素層と、少なくとも1種の３Ｂ族元素をドープしたＺｎＯ系半導体層とを交互に、少なくとも２周期、積層したサブ積層を形成する工程と、（ｂ）前記サブ積層とＡｇＯ層とを、活性酸素層を挟んで、交互に積層し、積層構造を形成する工程と、（ｃ）活性酸素が存在する、圧力が１０−２Ｐａ未満の環境で、前記積層構造表面に酸素ラジカルビームを断続的に照射しながら アニール し、前記３Ｂ族元素とＡｇとが共ドープされたｐ型ＺｎＯ系半導体層を形成する工程と、を含む。

• 公開日：2017/04/20
• 出典：ＺｎＯ系半導体構造およびその製造方法
• 出願人：スタンレー電気株式会社

絶縁膜２０１の表面に、凹部を完全に埋め込まない程度に第１の膜２０３を成膜した後、エッチングして凹部２０２内の底部のみに第１の膜を残存させ、 アニール により底部に残存する第１の膜２０３を結晶性層２０４とし、凹部２０２を完全に埋め込まない程度に第２の膜２０５を成膜し、アニールにより第２の膜２０５を凹部２０２内の底部から固相エピタキシャル成長により結晶成長させ、エピタキシャル結晶層２０６を形成し、残存する前記第２の膜をエッチングガスによりエッチングして除去する。

• 公開日：2017/09/14
• 出典：凹部内の結晶成長方法および処理装置
• 出願人：東京エレクトロン株式会社

本発明では、ゲート酸化物を複数層構成とした上で、１６０℃から３５０℃の範囲という比較的低温で アニール することで、通常はノーマリーオン動作するこの種のＭＩＳＦＥＴがノーマリーオフ化することを見出した。

• 公開日：2017/03/09
• 出典：ノーマリーオフ特性を有する水素化ダイヤモンドＭＩＳＦＥＴの製造方法
• 出願人：国立研究開発法人物質・材料研究機構

ＺｎＯ系半導体構造の製造方法は、（ａ）Ｂ，Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎからなる群より選択された少なくとも1種の３Ｂ族元素、およびＡｇをドープしたＺｎＯ系半導体層を形成する工程と、（ｂ）活性酸素が存在する、圧力が１０−２Ｐａ未満の環境で、ＺｎＯ系半導体層表面に酸素ラジカルビームを断続的に照射しながら アニール し、３Ｂ族元素とＡｇがドープされたｐ型ＺｎＯ系半導体層を形成する工程と、を含む。

• 公開日：2017/02/02
• 出典：ＺｎＯ系半導体構造の製造方法
• 出願人：スタンレー電気株式会社

金属ワイヤ、ストランド、ストリング、ワイヤロッドまたはストラップを アニール 処理するための抵抗アニール炉であって、前記金属ワイヤ、ストランド、ストリング、ワイヤロッドまたはストラップを運ぶべく、プーリーをそれぞれ具備する少なくとも２つの電気軸と、ジュール効果によるアニールを生じさせるべく、前記少なくとも２つの電気軸の間で、前記金属ワイヤ、ストランド、ストリング、ワイヤロッドまたはストラップの断面に電流を流すよう、前記少なくとも２つの電気軸の間に印加されるアニール電圧を生成する、ＡＣ電圧によって給電可能なＤＣ電圧ジェネレータ手段とを備え、前記ＤＣ電圧ジェネレータ手段は、前記ＡＣ電圧が印加されるアク...

• 登録日：2019/04/26
• 出典：金属ワイヤ、ストランド、ストリング、ワイヤロッドまたはストラップをアニール処理するための抵抗アニール炉
• 出願人：サンプエッセ．ピ．ア．コンウニコソーチョ

金属ワイヤ、ストランド、ストリング、ワイヤロッドまたはストラップを アニール 処理するための抵抗アニール炉であって、前記金属ワイヤ、ストランド、ストリング、ワイヤロッドまたはストラップを運ぶべく、プーリーをそれぞれ具備する少なくとも２つの電気軸と、ジュール効果によるアニールを生じさせるべく、前記少なくとも２つの電気軸の間で、前記金属ワイヤ、ストランド、ストリング、ワイヤロッドまたはストラップの断面に電流を流すよう、前記少なくとも２つの電気軸の間に印加されるアニール電圧を生成する、ＡＣ電圧ソースによって給電可能なＤＣ電圧ジェネレータ手段とを備え、前記ＤＣ電圧ジェネレータ手段は、中間ＤＣ電圧を生成する...

• 登録日：2019/04/26
• 出典：金属ワイヤ、ストランド、ストリング、ワイヤロッドまたはストラップをアニール処理するための抵抗アニール炉
• 出願人：サンプエッセ．ピ．ア．コンウニコソーチョ

ＺｎＯ系半導体構造の製造方法は、（ａ）Ｂ，Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎからなる群より選択された少なくとも1種の３Ｂ族元素、およびＡｇをドープしたＺｎＯ系半導体層を形成する工程と、（ｂ）活性酸素が存在する、圧力が１０−２Ｐａ未満の環境で、ＺｎＯ系半導体層を一次 アニール し、３Ｂ族元素とＡｇがドープされたｐ型ＺｎＯ系半導体層を形成する工程と、（ｃ）活性酸素を照射しながらｐ型ＺｎＯ系半導体層を一次アニールよりも低い温度で二次アニールし、アクセプタ密度を増大させる工程と、を含む。

• 公開日：2016/10/06
• 出典：ＺｎＯ系半導体構造の製造方法
• 出願人：スタンレー電気株式会社

レーザ アニール 中に非アニール面の温度を推測することが可能なレーザアニール装置を提供する。

• 公開日：2017/01/26
• 出典：レーザアニール装置及びレーザアニール方法
• 出願人：住友重機械工業株式会社

工程（ａ）において、Ａｇを含むｎ型ＺｎＯ系半導体構造をＭＢＥ（ｍｏｌｅｃｕｌａｒ ｂｅａｍ ｅｐｉｔａｘｙ）装置内でＭＢＥによって形成し、工程（ｂ）において、ＭＢＥ装置内で前記ｎ型ＺｎＯ系半導体構造を アニール する。

• 公開日：2016/08/08
• 出典：ｐ型ＺｎＯ系半導体構造の製造方法、及び、ＺｎＯ系半導体素子の製造方法
• 出願人：スタンレー電気株式会社