アニール の意味・用法を知る
アニール とは、アニール や半導体の電極 などの分野において活用されるキーワードであり、ソニー株式会社 やパナソニック株式会社 などが関連する技術を76,483件開発しています。
このページでは、 アニール を含む技術文献に基づき、その意味・用法のみならず、活用される分野や市場、法人・人物などを網羅的に把握することができます。
アニールの意味・用法
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SiC基板Wの表面側にシリコン酸化層Loを形成する本発明のシリコン酸化層形成方法は、SiC基板の表面にカーボン膜Fcを成膜する成膜工程と、カーボン膜が成膜されたSiC基板を酸素含有雰囲気にて1200℃〜1900℃の温度で アニール するアニール工程とを含む。
- 公開日:2017/12/14
- 出典:シリコン酸化層形成方法
- 出願人:株式会社アルバック
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半導体基体上に絶縁体とビスマス層状ペロブスカイト結晶の強誘電体の構成元素で構成された膜と金属をこの順序で形成した後に強誘電体結晶化 アニール を行い製造された半導体基体と絶縁体と強誘電体と金属から成る素子の製造方法であって、前記膜はCaとSrとBiとTaと酸素原子で構成し、前記金属はIrあるいはPtあるいはIrとPtの合金あるいはRuで構成し、前記強誘電体結晶化アニールは、窒素に酸素を足した混合ガス中あるいはアルゴンに酸素を足した混合ガス中で行う。
- 公開日:2017/10/26
- 出典:半導体強誘電体記憶素子の製造方法及び半導体強誘電体記憶トランジスタ
- 出願人:独立行政法人産業技術総合研究所
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表面にトレンチ203が形成された層間絶縁膜202を有する基板Wに対し、トレンチ203を埋めてニッケル配線を製造するニッケル配線を製造するにあたり、層間絶縁膜202の表面に、成膜原料となるニッケル化合物と、還元ガスとなるNH3ガスおよびH2ガスを用いてCVDまたはALDによりニッケル膜205を形成し、トレンチ203を部分的に埋め込む工程と、基板Wを アニール して基板表面およびトレンチ側面のニッケル膜205をトレンチ203にリフローさせる工程とを有する。
- 公開日:2018/04/05
- 出典:ニッケル配線の製造方法
- 出願人:東京エレクトロン株式会社
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不純物をイオン注入した窒化物半導体層上に保護膜を設けて アニール する場合、窒化物半導体層の表面から外に空孔欠陥が逃げて消失することが阻害される問題がある。
- 公開日:2017/12/28
- 出典:半導体装置の製造方法
- 出願人:富士電機株式会社
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III族窒化物半導体基板とIII族窒化物半導体基板上のp型III族窒化物半導体層とを有する半導体装置の製造方法であって、p型III族窒化物半導体層上に直接接してマグネシウム含有層を形成する段階と、p型III族窒化物半導体層を1300℃以上の温度で アニール して、マグネシウム含有層の直下に位置するp型III族窒化物半導体層にマグネシウムを不純物として含むp+型領域を形成する段階とを備える、半導体装置の製造方法を提供する。
- 公開日:2018/01/18
- 出典:半導体装置の製造方法
- 出願人:富士電機株式会社
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配列番号1に示されるヌクレオチド配列の相補配列に アニール するフォワードプライマーと、配列番号1に示されるヌクレオチド配列にアニールするリバースプライマーとのプライマーセットを用いたPCR(Polymerase Chain Reaction)法により、グルコンアセトバクター・ザイリナスに由来する配列番号1に示されるヌクレオチド配列からなるゲノムDNAを有する酢酸菌ファージ、又はその変異株を検出し、配列番号2に示されるヌクレオチド配列の相補配列にアニールするフォワードプライマーと、配列番号2に示されるヌクレオチド配列にアニールするリバースプライマーとのプライマーセットを用いたPCR法により、アセト...
- 公開日:2016/08/04
- 出典:酢酸菌ファージ
- 出願人:株式会社MizkanHoldings
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ZnO系半導体構造の製造方法は、(a)B,Al,Ga,Inからなる群より選択された少なくとも1種の3B族元素、およびAgをドープしたZnO系半導体層を形成する工程と、(b)活性酸素が存在し、圧力が10−2Pa未満の環境で、活性酸素照射有り、無しを交互に行いつつ、ZnO系半導体層を第1 アニール し、3B族元素とAgがドープされたp型ZnO系半導体層を形成する工程と、(c)活性酸素を照射しながら、p型ZnO系半導体層を第1アニールよりも低い温度で第2アニールし、アクセプタ密度を増大させる工程と、を含む。
- 公開日:2017/07/20
- 出典:ZnO系半導体構造の製造方法
- 出願人:スタンレー電気株式会社
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側壁、閉鎖端および開口端を有する、容器の金属プレフォームを アニール するための方法であって、電磁場を発生させる工程;およびプレフォーム材料を誘導加熱するために該金属プレフォームを該電磁場に曝露して、該材料において少なくとも120℃/秒の温度上昇を生じさせて、該プレフォーム材料の融点温度の65%〜98%の範囲のアニール温度に到達させることによって、該金属プレフォームの少なくとも一つの領域をショックアニールする工程を含む、方法。
- 登録日:2019/09/13
- 出典:金属容器をブロー成形するための方法
- 出願人:モンテベロテクノロジーサービシズリミテッド
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ZnO系半導体構造の製造方法は、(a)活性酸素層と、少なくとも1種の3B族元素をドープしたZnO系半導体層とを交互に、少なくとも2周期、積層したサブ積層を形成する工程と、(b)前記サブ積層とAgO層とを、活性酸素層を挟んで、交互に積層し、積層構造を形成する工程と、(c)活性酸素が存在する、圧力が10−2Pa未満の環境で、前記積層構造表面に酸素ラジカルビームを断続的に照射しながら アニール し、前記3B族元素とAgとが共ドープされたp型ZnO系半導体層を形成する工程と、を含む。
- 公開日:2017/04/20
- 出典:ZnO系半導体構造およびその製造方法
- 出願人:スタンレー電気株式会社
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絶縁膜201の表面に、凹部を完全に埋め込まない程度に第1の膜203を成膜した後、エッチングして凹部202内の底部のみに第1の膜を残存させ、 アニール により底部に残存する第1の膜203を結晶性層204とし、凹部202を完全に埋め込まない程度に第2の膜205を成膜し、アニールにより第2の膜205を凹部202内の底部から固相エピタキシャル成長により結晶成長させ、エピタキシャル結晶層206を形成し、残存する前記第2の膜をエッチングガスによりエッチングして除去する。
- 公開日:2017/09/14
- 出典:凹部内の結晶成長方法および処理装置
- 出願人:東京エレクトロン株式会社
アニールの問題点 に関わる言及
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熱 アニール 法において、結晶性シリコン膜の結晶性は、熱エネルギー量、即ち、結晶化温度及び結晶化時間に依存し、熱エネルギー量が大きいほど結晶性の高い結晶性シリコン膜を形成することができる。
- 公開日: 2014/07/24
- 出典: 半導体薄膜の形成方法、半導体装置、半導体装置の製造方法、基板及び薄膜基板
- 出願人: パナソニック株式会社
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上記のように銅めっき装置が アニール 処理部を具備することにより、めっき処理部で銅めっき処理後、洗浄処理部で洗浄処理した被めっき基板をアニール処理部で加熱し強制的にアニールすることができるので、銅めっき処理後銅めっき膜が安定化するまでの安定化最長時間は被めっき基板を放置する必要がなく、次工程であるCMP処理が実施できる。
- 公開日: 2001/03/16
- 出典: 基板銅めっき処理方法
- 出願人: 株式会社荏原製作所
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また、めっきした膜の応力を減少させそれによりウイスカの形成を減少させるために、EPZ被覆で被覆した後で鋼を アニール する方法が利用されてきた。この場合も、銅の薄膜をEPZ層に形成するときには不要な高価な処理段階が追加される。
- 公開日: 1996/09/27
- 出典: 電子ハウジングの製作に利用するシート上での金属ウイスカの形成を防止することにより電子ハウジングの信頼性をより高くする方法
- 出願人: インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイーシヨン
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以上のような熱処理工程では、フラッシュランプ アニール 処理あるいは、レーザアニール処理を行い、フラッシュランプアニール処理あるいは、レーザアニール処理後にはシンターアニールは行わない。
- 公開日: 2009/12/24
- 出典: 半導体装置の製造方法
- 出願人: ルネサスエレクトロニクス株式会社
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因みに、従来のものでは、成形品の離型後、 アニール 工程において徐冷しなければ、成形品に反りが生じやすく、また表面にしわや割れが発生し易いが、上記の実施要領のようにすると、アニール工程が不要となり、生産性を向上することができる。
- 公開日: 2001/11/27
- 出典: マグネットローラの製法
- 出願人: 株式会社ブリヂストン
アニールの特徴 に関わる言及
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反強磁性体AFの層が強磁性体Fの層の両側に位置する場合、反強磁性体と強磁性体との間の界面での交換結合により、強磁性体Fの挟まれた層の磁化を、規則化 アニール の間に、定義された方向に区画することを可能にすることができる。
- 公開日: 2011/06/30
- 出典: 同一の基板上に形成されそれぞれの異なる磁化の向きを有する磁気構造を備えるデバイスの製造
- 出願人: コミツサリアタレネルジーアトミークエオウゼネルジーアルテルナティブ
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酸化物薄膜の後処理 アニール 工程においては、酸素の存在下又は不存在下でランプアニール装置、レーザーアニール装置、熱プラズマ装置、熱風加熱装置、接触加熱装置等を用いることができる。
- 公開日: 2012/11/01
- 出典: スパッタリングターゲット、酸化物半導体薄膜及びそれらの製造方法
- 出願人: 出光興産株式会社
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次に、IrMn層、磁化固着層、非磁性層、磁化自由層、反強磁性層を順に形成した。反強磁性層上にRuからなる保護膜を形成した。そして、磁場中で アニール することで、磁化固着層及び磁化自由層の磁化を固着させた。
- 公開日: 2012/03/29
- 出典: スピン波装置
- 出願人: 株式会社東芝
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一つの局面では、上記膜を加熱する上記工程が、上記 アニール する工程の後、窒素および窒素と水素の混合物からなる群から選択される雰囲気にて、アニールする工程を包含する。
- 公開日: 2001/02/20
- 出典: プラズマディスプレイパネルで使用するための金属酸化物膜を製造する方法
- 出願人: シメトリックス・コーポレイション
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結晶、結晶のための後処理
- 目的・対象とする結晶の形態
- 結晶自体の特徴(クレーム)
- 材料1(元素状、合金)
- 材料2(酸化物)
- 材料3(複合酸化物)
- 材料4(酸素酸塩)
- 材料5(〜化物)
- 材料6(有機物)
- 固相成長
- 液相成長1(常温で液体の溶媒を使用する)
- 液相成長2(溶融溶媒を使用するもの)CG優先
- 液相成長3(融液の凝固によるもの)
- 液相成長4(ゾーンメルティング)
- 液相成長5(融液からの引き出し)
- 液相成長6(液相エピタキシャル)
- 気相成長1(蒸着、昇華)
- 気相成長2(CVD)
- 結晶成長共通1(成長条件の制御)固相成長を除く
- 結晶成長共通2(不純物のドーピング)
- 結晶成長共通3(原料の調製、原料組成)
- 結晶成長共通4(種結晶、基板)
- 結晶成長共通5(成長前の基板の処理、保護)
- 結晶成長共通6(基板への多層成長)
- 結晶成長共通7(装置、治具)
- 結晶成長共通8(検知、制御)
- 結晶成長共通9(特定の成長環境の付加)
- 後処理1(拡散源、その配置)
- 後処理2(後処理のための基板表面の前処理)
- 後処理3(気相からのドーピング)
- 後処理4(電磁波、粒子線照射によるドーピング)
- 後処理5(加熱、冷却処理)
- 後処理6(結晶の接合)
- 後処理7(エッチング、機械加工)
- 後処理8(電場、磁場、エネルギー線の利用)
- 後処理9(その他)
- 後処理10(装置、治具の特徴)
- 結晶の物理的、化学的性質等の評価、決定
- 用途
- 固相からの直接単結晶成長
- 単結晶成長プロセス・装置
- 圧力を加えるもの 例、水熱法
- 塩溶媒を用いるもの 例、フラックス成長
- るつぼ、容器またはその支持体
- ノ−マルフリ−ジングまたは温度勾配凝固
- ゾ−ンメルティングによる単結晶成長、精製
- 溶媒を用いるもの
- るつぼ、容器またはその支持体
- 誘導による溶融ゾ−ンの加熱
- 電磁波による加熱(集光加熱等)
- 制御または調整
- 材料またはヒ−タ−の移動機構、保持具
- 融液からの引出し(保護流体下も含む)
- 結晶化物質(原料)、反応剤の充填、添加
- 引出し方向に特徴
- 融液を入れるるつぼ、容器またはその支持体
- 融液、封止剤または結晶化した物質の加熱
- 制御または調整
- 融液、封止剤、結晶の回転、移動機構
- 種結晶保持器
- 種結晶
- 縁部限定薄膜結晶成長
- 液相エピタキシャル成長
- 特殊な物理的条件下での単結晶成長
- PVD
- イオン化蒸気の凝縮
- 分子線エピタキシャル法
- CVD
- エピタキシャル成長法、装置
- 製造工程
- 反応室
- 反応室または基板の加熱
- 基板保持体またはサセプタ
- 基板とガス流との関係
- ガスの供給・排出手段;反応ガス流の調節
- 制御または調節
- 基板
- 特殊な物理的条件下での単結晶成長