アニール の意味・用法を知る

ＳｉＣ基板Ｗの表面側にシリコン酸化層Ｌｏを形成する本発明のシリコン酸化層形成方法は、ＳｉＣ基板の表面にカーボン膜Ｆｃを成膜する成膜工程と、カーボン膜が成膜されたＳｉＣ基板を酸素含有雰囲気にて１２００℃〜１９００℃の温度で アニール するアニール工程とを含む。

• 公開日：2017/12/14
• 出典：シリコン酸化層形成方法
• 出願人：株式会社アルバック

半導体基体上に絶縁体とビスマス層状ペロブスカイト結晶の強誘電体の構成元素で構成された膜と金属をこの順序で形成した後に強誘電体結晶化 アニール を行い製造された半導体基体と絶縁体と強誘電体と金属から成る素子の製造方法であって、前記膜はCaとSrとBiとTaと酸素原子で構成し、前記金属はIrあるいはPtあるいはIrとPtの合金あるいはRuで構成し、前記強誘電体結晶化アニールは、窒素に酸素を足した混合ガス中あるいはアルゴンに酸素を足した混合ガス中で行う。

• 公開日：2017/10/26
• 出典：半導体強誘電体記憶素子の製造方法及び半導体強誘電体記憶トランジスタ
• 出願人：独立行政法人産業技術総合研究所

表面にトレンチ２０３が形成された層間絶縁膜２０２を有する基板Ｗに対し、トレンチ２０３を埋めてニッケル配線を製造するニッケル配線を製造するにあたり、層間絶縁膜２０２の表面に、成膜原料となるニッケル化合物と、還元ガスとなるＮＨ３ガスおよびＨ２ガスを用いてＣＶＤまたはＡＬＤによりニッケル膜２０５を形成し、トレンチ２０３を部分的に埋め込む工程と、基板Ｗを アニール して基板表面およびトレンチ側面のニッケル膜２０５をトレンチ２０３にリフローさせる工程とを有する。

• 公開日：2018/04/05
• 出典：ニッケル配線の製造方法
• 出願人：東京エレクトロン株式会社

不純物をイオン注入した窒化物半導体層上に保護膜を設けて アニール する場合、窒化物半導体層の表面から外に空孔欠陥が逃げて消失することが阻害される問題がある。

• 公開日：2017/12/28
• 出典：半導体装置の製造方法
• 出願人：富士電機株式会社

ＩＩＩ族窒化物半導体基板とＩＩＩ族窒化物半導体基板上のｐ型ＩＩＩ族窒化物半導体層とを有する半導体装置の製造方法であって、ｐ型ＩＩＩ族窒化物半導体層上に直接接してマグネシウム含有層を形成する段階と、ｐ型ＩＩＩ族窒化物半導体層を１３００℃以上の温度で アニール して、マグネシウム含有層の直下に位置するｐ型ＩＩＩ族窒化物半導体層にマグネシウムを不純物として含むｐ＋型領域を形成する段階とを備える、半導体装置の製造方法を提供する。

• 公開日：2018/01/18
• 出典：半導体装置の製造方法
• 出願人：富士電機株式会社

配列番号１に示されるヌクレオチド配列の相補配列に アニール するフォワードプライマーと、配列番号１に示されるヌクレオチド配列にアニールするリバースプライマーとのプライマーセットを用いたＰＣＲ（Polymerase Chain Reaction）法により、グルコンアセトバクター・ザイリナスに由来する配列番号１に示されるヌクレオチド配列からなるゲノムＤＮＡを有する酢酸菌ファージ、又はその変異株を検出し、配列番号２に示されるヌクレオチド配列の相補配列にアニールするフォワードプライマーと、配列番号２に示されるヌクレオチド配列にアニールするリバースプライマーとのプライマーセットを用いたＰＣＲ法により、アセト...

• 公開日：2016/08/04
• 出典：酢酸菌ファージ
• 出願人：株式会社ＭｉｚｋａｎＨｏｌｄｉｎｇｓ

ＺｎＯ系半導体構造の製造方法は、（ａ）Ｂ，Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎからなる群より選択された少なくとも1種の３Ｂ族元素、およびＡｇをドープしたＺｎＯ系半導体層を形成する工程と、（ｂ）活性酸素が存在し、圧力が１０−２Ｐａ未満の環境で、活性酸素照射有り、無しを交互に行いつつ、ＺｎＯ系半導体層を第１ アニール し、３Ｂ族元素とＡｇがドープされたｐ型ＺｎＯ系半導体層を形成する工程と、（ｃ）活性酸素を照射しながら、ｐ型ＺｎＯ系半導体層を第１アニールよりも低い温度で第２アニールし、アクセプタ密度を増大させる工程と、を含む。

• 公開日：2017/07/20
• 出典：ＺｎＯ系半導体構造の製造方法
• 出願人：スタンレー電気株式会社

側壁、閉鎖端および開口端を有する、容器の金属プレフォームを アニール するための方法であって、電磁場を発生させる工程；およびプレフォーム材料を誘導加熱するために該金属プレフォームを該電磁場に曝露して、該材料において少なくとも120℃／秒の温度上昇を生じさせて、該プレフォーム材料の融点温度の65％〜98％の範囲のアニール温度に到達させることによって、該金属プレフォームの少なくとも一つの領域をショックアニールする工程を含む、方法。

• 登録日：2019/09/13
• 出典：金属容器をブロー成形するための方法
• 出願人：モンテベロテクノロジーサービシズリミテッド

ＺｎＯ系半導体構造の製造方法は、（ａ）活性酸素層と、少なくとも1種の３Ｂ族元素をドープしたＺｎＯ系半導体層とを交互に、少なくとも２周期、積層したサブ積層を形成する工程と、（ｂ）前記サブ積層とＡｇＯ層とを、活性酸素層を挟んで、交互に積層し、積層構造を形成する工程と、（ｃ）活性酸素が存在する、圧力が１０−２Ｐａ未満の環境で、前記積層構造表面に酸素ラジカルビームを断続的に照射しながら アニール し、前記３Ｂ族元素とＡｇとが共ドープされたｐ型ＺｎＯ系半導体層を形成する工程と、を含む。

• 公開日：2017/04/20
• 出典：ＺｎＯ系半導体構造およびその製造方法
• 出願人：スタンレー電気株式会社

絶縁膜２０１の表面に、凹部を完全に埋め込まない程度に第１の膜２０３を成膜した後、エッチングして凹部２０２内の底部のみに第１の膜を残存させ、 アニール により底部に残存する第１の膜２０３を結晶性層２０４とし、凹部２０２を完全に埋め込まない程度に第２の膜２０５を成膜し、アニールにより第２の膜２０５を凹部２０２内の底部から固相エピタキシャル成長により結晶成長させ、エピタキシャル結晶層２０６を形成し、残存する前記第２の膜をエッチングガスによりエッチングして除去する。

• 公開日：2017/09/14
• 出典：凹部内の結晶成長方法および処理装置
• 出願人：東京エレクトロン株式会社