アニール の意味・用法を知る

熱 アニール 法において、結晶性シリコン膜の結晶性は、熱エネルギー量、即ち、結晶化温度及び結晶化時間に依存し、熱エネルギー量が大きいほど結晶性の高い結晶性シリコン膜を形成することができる。

• 公開日： 2014/07/24
• 出典： 半導体薄膜の形成方法、半導体装置、半導体装置の製造方法、基板及び薄膜基板
• 出願人： パナソニック株式会社

上記のように銅めっき装置が アニール 処理部を具備することにより、めっき処理部で銅めっき処理後、洗浄処理部で洗浄処理した被めっき基板をアニール処理部で加熱し強制的にアニールすることができるので、銅めっき処理後銅めっき膜が安定化するまでの安定化最長時間は被めっき基板を放置する必要がなく、次工程であるＣＭＰ処理が実施できる。

• 公開日： 2001/03/16
• 出典： 基板銅めっき処理方法
• 出願人： 株式会社荏原製作所

また、めっきした膜の応力を減少させそれによりウイスカの形成を減少させるために、ＥＰＺ被覆で被覆した後で鋼を アニール する方法が利用されてきた。この場合も、銅の薄膜をＥＰＺ層に形成するときには不要な高価な処理段階が追加される。

• 公開日： 1996/09/27
• 出典： 電子ハウジングの製作に利用するシート上での金属ウイスカの形成を防止することにより電子ハウジングの信頼性をより高くする方法
• 出願人： インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイーシヨン

以上のような熱処理工程では、フラッシュランプ アニール 処理あるいは、レーザアニール処理を行い、フラッシュランプアニール処理あるいは、レーザアニール処理後にはシンターアニールは行わない。

• 公開日： 2009/12/24
• 出典： 半導体装置の製造方法
• 出願人： ルネサスエレクトロニクス株式会社

因みに、従来のものでは、成形品の離型後、 アニール 工程において徐冷しなければ、成形品に反りが生じやすく、また表面にしわや割れが発生し易いが、上記の実施要領のようにすると、アニール工程が不要となり、生産性を向上することができる。

• 公開日： 2001/11/27
• 出典： マグネットローラの製法
• 出願人： 株式会社ブリヂストン

反強磁性体ＡＦの層が強磁性体Ｆの層の両側に位置する場合、反強磁性体と強磁性体との間の界面での交換結合により、強磁性体Ｆの挟まれた層の磁化を、規則化 アニール の間に、定義された方向に区画することを可能にすることができる。

• 公開日： 2011/06/30
• 出典： 同一の基板上に形成されそれぞれの異なる磁化の向きを有する磁気構造を備えるデバイスの製造
• 出願人： コミッサリアアレネルジーアトミークエオゼネルジザルタナテイヴ

酸化物薄膜の後処理 アニール 工程においては、酸素の存在下又は不存在下でランプアニール装置、レーザーアニール装置、熱プラズマ装置、熱風加熱装置、接触加熱装置等を用いることができる。

• 公開日： 2012/11/01
• 出典： スパッタリングターゲット、酸化物半導体薄膜及びそれらの製造方法
• 出願人： 出光興産株式会社

次に、ＩｒＭｎ層、磁化固着層、非磁性層、磁化自由層、反強磁性層を順に形成した。反強磁性層上にＲｕからなる保護膜を形成した。そして、磁場中で アニール することで、磁化固着層及び磁化自由層の磁化を固着させた。

• 公開日： 2012/03/29
• 出典： スピン波装置
• 出願人： 株式会社東芝

一つの局面では、上記膜を加熱する上記工程が、上記 アニール する工程の後、窒素および窒素と水素の混合物からなる群から選択される雰囲気にて、アニールする工程を包含する。

• 公開日： 2001/02/20
• 出典： プラズマディスプレイパネルで使用するための金属酸化物膜を製造する方法
• 出願人： シメトリックス・コーポレイション