アニーリング の意味・用法を知る
アニーリング とは、アニール や発光ダイオード などの分野において活用されるキーワードであり、日亜化学工業株式会社 や三星電子株式會社 などが関連する技術を37,054件開発しています。
このページでは、 アニーリング を含む技術文献に基づき、その意味・用法のみならず、活用される分野や市場、法人・人物などを網羅的に把握することができます。
アニーリングの意味・用法
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アニーリング 、研磨および堆積のサイクルは、漏れのない膜システムが提供されるまで1つ以上のサイクルを通して繰り返される。
- 公開日:2017/04/13
- 出典:担持されたガス分離膜を作製する方法
- 出願人:シエル・インターナシヨナル・リサーチ・マートスハツペイ・ベー・ヴエー
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このようにして、各パルスはマイクロ アニーリング 周期を終了する。
- 公開日:2017/11/30
- 出典:パルス列アニーリング方法および装置
- 出願人:アプライドマテリアルズ,インコーポレイティド
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ブレーカは、固定接点5を有する固定接点金属板4と、固定接点5と対向する位置に配置してなる可動接点7を有し、この可動接点7を弾性的に固定接点5に押圧する弾性金属板からなる可動接点金属板6と、この可動接点金属板6を温度変化で変形してオンオフに切り換える位置に配置してなるバイメタル8と、固定接点金属板4の固定接点5と可動接点金属板6の可動接点7とを内部に配置し、かつバイメタル8を内部に配置している外装ケース1とを備え、組み立て状態において熱処理炉80で アニーリング されたブレーカで、可動接点金属板6を、熱伝導率を200W/m・K以上とする弾性金属板としている。
- 公開日:2017/08/24
- 出典:ブレーカとこのブレーカの製造方法、及びブレーカを備える電池パックの製造方法
- 出願人:大塚テクノ株式会社
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いくつかの実施形態では、ミクロゲル粒子の アニーリング は、露光等の開始剤の存在を必要とする。
- 公開日:2017/08/10
- 出典:生物医学的応用のための制御可能な自己アニーリング型ミクロゲル粒子
- 出願人:ザ・レジェンツ・オブ・ザ・ユニバーシティ・オブ・カリフォルニア
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高品質鋼管をその後の処理工程でストランディング可能にすると同時にこの処理が実施される場所への管の搬送を可能にするオーステナイト高品質鋼から管を製造する対応する方法を提供するために、本発明により、方法に、管をコイル状に巻く工程及びコイル状に巻いた管を冷間成形の後で1100℃から1200℃の範囲の温度で アニーリング する工程をさらに含めることが提案される。
- 公開日:2017/10/12
- 出典:ステンレス鋼管の製造方法及びステンレス鋼管
- 出願人:サンドヴィックマテリアルズテクノロジードイチュラントゲーエムベーハー
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CoSb3−x−ySixTey(ここで、0.003<x<0.25、0.025<y<0.40)また、 アニーリング により、熱電性能を更に向上させることができる。
- 公開日:2016/04/28
- 出典:ケイ素及びテルルをドープしたスクッテルダイト熱電変半導体、その製造方法及びそれを用いた熱電発電素子
- 出願人:国立研究開発法人物質・材料研究機構
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基板に アニーリング 工程を遂行できる基板処理装置及び基板処理方法を提供する。
- 公開日:2017/02/02
- 出典:基板処理装置及び基板処理方法
- 出願人:ピーエスケー・インコーポレーテッド
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...10cmの距離で取り囲む雰囲気の280℃ないし該ポリマーのガラス転移温度まで、好ましくは280〜370℃、特に好ましくは285〜360℃、極めて特に好ましくは290〜350℃の温度で、殊に好ましくは300〜340℃で、極めて殊に好ましくは305〜330℃で及び特に好ましくは310〜320℃で、該膜を アニーリング する工程を含むことを特徴とし、該膜が、該アニーリング中に、0.5体積%以下の酸素含量を有するガス雰囲気、好ましくは、対応する低い酸素含量を有する不活性ガス、特に好ましくは窒素により取り囲まれているか、もしくは対応するガス流により周りを洗われることを特徴とする、ポリイミド膜の製造方法。
- 公開日:2016/09/23
- 出典:ポリイミド膜の製造方法
- 出願人:エボニックファイバースゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツング
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...を行う予熱工程としての第2の工程と、所定の延伸温度下で、前記鋳造材薄膜が引き延ばされる縦方向の延伸倍率(MD)及び横方向の延伸倍率(TD)が、何れも1.0〜5.0倍で該鋳造材薄膜に対して二軸同期延伸の引き延ばし工程を行う延伸工程としての第3の工程と、所定の アニーリング 温度下で、前記鋳造材薄膜に対してアニーリングを行い、該鋳造材薄膜をその縦方向及び横方向の両者において同期収縮させるアニーリング工程としての第4の工程と、所定の冷却温度下で、前記鋳造材薄膜に対して冷却を行い、出力位相差膜を出力する冷却工程としての第5の工程と、を備えたことを特徴とする二軸同期延伸方式による位相差膜の製造方法。
- 公開日:2018/01/25
- 出典:二軸同期延伸方式による位相差膜の製造方法及びその位相差膜
- 出願人:穎台科技股ふん有限公司
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しかしながら、 アニーリング を行う炉体の状態によって面内分布が発生し、同一面内でも部分的にアモルファスシリコンの結晶構造に欠陥が生じる。
- 公開日:2021/03/11
- 出典:荷電粒子線装置
- 出願人:株式会社日立ハイテクサイエンス
アニーリングの使用状況 に関わる言及
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気相成長(金属層を除く)
- 成長法
- 成長層の組成
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- 成長条件(1)成膜温度T 請求項+実施例に記載されている成膜温度を全て付与する(除く従来例)
- 成長条件(2)成膜時の圧力P 請求項+実施例に記載されている成膜時の圧力を全て付与する(除く従来例)
- 被成膜面の組成・基板の特徴・ダミー基板・マスク
- 目的
- 半導体素子等への用途
- 機能的用途
- 半導体成長層の構造
- 半導体層の選択成長
- 絶縁体成長層の構造・絶縁体層の選択成長
- 装置の形式(1)基板支持の形態・成膜中の基板の運動 図面+詳細な説明に例示されている形式をすべて付与する(除く従来例)
- 装置の形式(2)成膜室の形態 図面+詳細な説明に例示されている形式をすべて付与する(除く従来例)
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- 機械加工プロセスとの組み合わせ
- 他プロセスとの組合せ