アニーリング の意味・用法を知る

このようにして、各パルスはマイクロ アニーリング 周期を終了する。

• 公開日：2016/08/18
• 出典：パルス列アニーリング方法および装置
• 出願人：アプライドマテリアルズ，インコーポレイティド

...を行う予熱工程としての第２の工程と、所定の延伸温度下で、前記鋳造材薄膜が引き延ばされる縦方向の延伸倍率（ＭＤ）及び横方向の延伸倍率（ＴＤ）が、何れも１．０〜５．０倍で該鋳造材薄膜に対して二軸同期延伸の引き延ばし工程を行う延伸工程としての第３の工程と、所定の アニーリング 温度下で、前記鋳造材薄膜に対してアニーリングを行い、該鋳造材薄膜をその縦方向及び横方向の両者において同期収縮させるアニーリング工程としての第４の工程と、所定の冷却温度下で、前記鋳造材薄膜に対して冷却を行い、出力位相差膜を出力する冷却工程としての第５の工程と、を備えたことを特徴とする二軸同期延伸方式による位相差膜の製造方法。

• 公開日：2018/01/25
• 出典：二軸同期延伸方式による位相差膜の製造方法及びその位相差膜
• 出願人：穎台科技股ふん有限公司

本方法は、第1の半導体基板と、ゲルマニウム層を備えて形成された第2の半導体基板とを用意すること（102）と、前記ゲルマニウム層を前記第1および第2の半導体基板の中間に配置しつつ、前記第1の半導体基板を前記第2の半導体基板へと少なくとも1つの誘電材料を使用して接合し、結合基板を形成すること（102）と、前記結合基板から前記第2の半導体基板を除去し、ミスフィット転位を有する前記ゲルマニウム層の少なくとも一部分を露出させること（104）と、前記ゲルマニウム層の前記一部分からの前記ミスフィット転位の除去を可能にすべく、前記結合基板を アニーリング すること（106）と、を含む。

• 公開日：2017/07/27
• 出典：ゲルマニウム・オン・インシュレータ基板の製造方法
• 出願人：マサチューセッツインスティテュートオブテクノロジー

前記弱化層（１０２）のレベルで前記複合基板（１０５）を劈開する前記工程の後、平滑化 アニーリング 、特に急速アニーリングの少なくとも１つの工程をさらに含むことを特徴とする請求項１ないし９のいずれか１つに記載の方法。

• 公開日：2018/01/18
• 出典：高抵抗率半導体基板を製造するための方法
• 出願人：エス・オー・アイ・テック・シリコン・オン・インシュレーター・テクノロジーズ

微細構造にＦｅ−Ｓｉ−Ｚｒの三元析出物が存在する、無方向性の電磁鋼片または電磁鋼板の製造方法において、ａ）鉄と、不可避的不純物とに加えて、Ｓｉ：２．０−４．５％、Ｚｒ：０．０３−０．３％、Ａｌ：最大２．０％、Ｍｎ：最大１．０％、Ｃ：最大０．０１％、Ｎ：最大０．０１％、Ｓ：最大０．００１％、Ｐ：最大０．０１５％、とを（重量％で）含む、加熱片を提供するステップと、ｂ）前記加熱片を冷却片へと冷間圧延するステップと、ｃ）前記冷却片を最終的に アニーリング するステップと、を含むことを特徴とする方法。

• 公開日：2016/11/10
• 出典：無方向性の電磁鋼片または電磁鋼板、およびこれから製造された部品、並びに無方向性の電磁鋼片または電磁鋼板の製造方法
• 出願人：ティッセンクルップスチールヨーロッパアーゲー

前記ワイヤコアは、ボンディングステップの前に、少なくとも５８０℃の温度にて少なくとも０．１ｓの時間 アニーリング されている、請求項１〜７のいずれか一項に記載のワイヤ。

• 公開日：2016/08/18
• 出典：銅ボンディングワイヤおよびその作製方法
• 出願人：ヘレウスマテリアルズシンガポールピーティーイー．リミテッド

Ｍｎ粉末を攪拌下でエーテル溶媒中の水素化物還元剤により処理するステップと、攪拌を継続しながら、Ｍｎ−水素化物還元剤混合物に長鎖カルボン酸のビスマス塩の溶液を添加するステップと、前記ビスマス塩溶液の添加の完了後、攪拌を継続しながら有機アミンを添加するステップと、攪拌を継続し、凝集されたＭｎＢｉナノ粒子を形成するステップとを含む、方法により調製されたＭｎＢｉナノ粒子を０〜３Ｔの磁場中５５０〜６００Ｋで アニーリング し、永久磁石材料として好適なＭｎＢｉナノ粒子を得る磁性ＭｎＢｉ粉末の製造方法。

• 公開日：2015/03/23
• 出典：マンガン−ビスマス合金ナノ粒子を調製するための方法、ＭｎＢｉナノ粒子およびそれを含有する硬質磁石
• 出願人：トヨタモーターエンジニアリングアンドマニュファクチャリングノースアメリカ，インコーポレイティド

本発明の一実施例に係る製造方法は、半導体基板上にシリコン酸化物層を形成するステップ、及びその直後に前記シリコン酸化物層を５７０℃〜７００℃の温度に露出させて アニーリング （ａｎｎｅａｌｉｎｇ）させるステップを含む。

• 公開日：2017/08/03
• 出典：太陽電池の製造方法
• 出願人：エルジーイノテックカンパニー，リミテッド

...は２０ｍｏｌ％以下、好ましくは１５ｍｏｌ％以下の量で存在するコモノマー（Ｉ）を含む。本発明の半結晶性コポリエステルは、本明細書に記載する標準ＤＳＣ法により測定される少なくとも約５％、好ましくは少なくとも約１０％、好ましくは少なくとも約１５％、好ましくは少なくとも約２０％の結晶化度を示す。結晶化度は、 アニーリング 又はＳＳＰ技術により増加させることができる。アニーリングは、ポリマーの結晶融点（Ｔm）より低く且つガラス転移温度（Ｔｇ）より高い温度で、好ましくはＴmより２０〜８０℃低い温度で、好ましくは約１６０〜約２３０℃で行う。芳香族カルボン酸（又は第１のジカルボン酸）がテレフタル酸であるコポリエス...

• 公開日：2016/08/08
• 出典：Ｎ，Ｎ’−ビス−（ヒドロキシアルキル）−ベンゾフェノン−３，３’，４，４’−テトラカルボン酸ジイミドに由来するコポリエステルイミド及びそれから製造されるフィルム
• 出願人：デュポンテイジンフィルムズユー．エス．リミテッドパートナーシップ

ドーパント含有ポリマーが共有結合されたドーパント原子を有するポリマーであり、ドーパント含有ポリマーが窒素及びケイ素を含まず、 アニーリング 工程よりも前に、コーティングを覆ってオキシドキャッピング層を形成する工程を含まない。

• 公開日：2015/03/19
• 出典：ドーパント含有ポリマーフィルムを介する、基板のドーピング
• 出願人：ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ，エル．エル．シー．