アニーリング の意味・用法を知る

このようにして、各パルスはマイクロ アニーリング 周期を終了する。

• 公開日：2017/11/30
• 出典：パルス列アニーリング方法および装置
• 出願人：アプライドマテリアルズ，インコーポレイティド

ブレーカは、固定接点５を有する固定接点金属板４と、固定接点５と対向する位置に配置してなる可動接点７を有し、この可動接点７を弾性的に固定接点５に押圧する弾性金属板からなる可動接点金属板６と、この可動接点金属板６を温度変化で変形してオンオフに切り換える位置に配置してなるバイメタル８と、固定接点金属板４の固定接点５と可動接点金属板６の可動接点７とを内部に配置し、かつバイメタル８を内部に配置している外装ケース１とを備え、組み立て状態において熱処理炉８０で アニーリング されたブレーカで、可動接点金属板６を、熱伝導率を２００Ｗ／ｍ・Ｋ以上とする弾性金属板としている。

• 公開日：2017/08/24
• 出典：ブレーカとこのブレーカの製造方法、及びブレーカを備える電池パックの製造方法
• 出願人：大塚テクノ株式会社

ＲＧＤペプチド、Ｋペプチド、Ｑペプチドで事前に修飾されたポリ（エチレングリコール）（ＰＥＧ）を含むポリマー骨格を含む複数の球状ミクロゲル粒子を含む水溶液であって、前記ポリマー骨格がマトリクスメタロプロテアーゼ（ＭＭＰ）−分解性架橋剤によって架橋されたものであり、前記球状ミクロゲル粒子が５μｍ〜１，０００μｍの範囲内の直径を有する水溶液；および複数の球状ミクロゲル粒子に適用された場合に、球状ミクロゲル粒子に、細胞の浸透、遊走および増殖を収容するのに十分な大きさの相互連結した細孔を有する球状ミクロゲル粒子の共有結合的に安定化した足場を形成させる アニーリング 剤；を含む、微小孔性ゲル系。

• 登録日：2020/01/24
• 出典：生物医学的応用のための制御可能な自己アニーリング型ミクロゲル粒子
• 出願人：ザ・レジェンツ・オブ・ザ・ユニバーシティ・オブ・カリフォルニア

...窒素、及び０．５重量％から１．０重量％の量の銅と、鉄及び不可避的不純物からなる残部とからなる、提供する工程、並びに前記中空材を管へと冷間成形する工程を含む、ステンレス鋼管を製造するための方法であって、管をコイル状に巻く工程、及び冷間成形後にコイル状に巻かれた管を１１００℃から１２００℃の範囲の温度で アニーリング する工程をさらに含むことを特徴とする方法。

• 登録日：2019/12/27
• 出典：ステンレス鋼管の製造方法及びステンレス鋼管
• 出願人：サンドヴィックマテリアルズテクノロジードイチュラントゲーエムベーハー

ＣｏＳｂ３−ｘ−ｙＳｉｘＴｅｙ（ここで、０．００３＜ｘ＜０．２５、０．０２５＜ｙ＜０．４０）また、 アニーリング により、熱電性能を更に向上させることができる。

• 公開日：2016/04/28
• 出典：ケイ素及びテルルをドープしたスクッテルダイト熱電変半導体、その製造方法及びそれを用いた熱電発電素子
• 出願人：国立研究開発法人物質・材料研究機構

基板に アニーリング 工程を遂行できる基板処理装置及び基板処理方法を提供する。

• 公開日：2017/02/02
• 出典：基板処理装置及び基板処理方法
• 出願人：ピーエスケー・インコーポレーテッド

...，３−フェニレンジイソシアナート、２，３，５，６−テトラメチル−１，４−フェニレンジイソシアナートからなる群から選択される、少なくとも１種のジイソシアナートとからなるポリイミド膜を製造する工程、ｂ）該膜を１０ｃｍまでの距離で取り囲む雰囲気の２８０℃ないし該ポリマーのガラス転移温度までの温度で、該膜を アニーリング する工程を含むことを特徴とし、該膜が、該アニーリング中に、０．５体積％以下の酸素含量を有するガス雰囲気により取り囲まれているか、もしくは前記酸素含量を有するガス流により周りを洗われることを特徴とする、ポリイミド膜の製造方法。

• 登録日：2019/07/26
• 出典：ポリイミド膜の製造方法
• 出願人：エボニックファイバースゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツング

...を行う予熱工程としての第２の工程と、所定の延伸温度下で、前記鋳造材薄膜が引き延ばされる縦方向の延伸倍率（ＭＤ）及び横方向の延伸倍率（ＴＤ）が、何れも１．０〜５．０倍で該鋳造材薄膜に対して二軸同期延伸の引き延ばし工程を行う延伸工程としての第３の工程と、所定の アニーリング 温度下で、前記鋳造材薄膜に対してアニーリングを行い、該鋳造材薄膜をその縦方向及び横方向の両者において同期収縮させるアニーリング工程としての第４の工程と、所定の冷却温度下で、前記鋳造材薄膜に対して冷却を行い、出力位相差膜を出力する冷却工程としての第５の工程と、を備えたことを特徴とする二軸同期延伸方式による位相差膜の製造方法。

• 公開日：2018/01/25
• 出典：二軸同期延伸方式による位相差膜の製造方法及びその位相差膜
• 出願人：穎台科技股ふん有限公司

...とも1つの誘電材料を使用して接合し、結合基板を形成することと、（iii）前記結合基板から前記第2の半導体基板を除去し、ミスフィット転位を有する前記ゲルマニウム層の少なくとも一部分を露出させることと、（iv）前記ゲルマニウム層の前記一部分からの前記ミスフィット転位の除去を可能にするように前記結合基板を アニーリング することと、を含む方法。

• 登録日：2019/04/12
• 出典：ゲルマニウム・オン・インシュレータ基板の製造方法
• 出願人：マサチューセッツ・インステチュート・オブ・テクノロジー

前記演算部は、前記温度パラメータの値の下げ方を示す温度下降制御情報を受け、前記温度下降制御情報に基づいて、前記最高値から前記最低値まで、前記温度パラメータの値を小さくしていくことで、シミュレーテッド・ アニーリング 法による前記基底状態の探索を行う、請求項１乃至４の何れか一項に記載の最適化装置。

• 公開日：2020/03/26
• 出典：最適化装置、最適化装置の制御方法及び最適化装置の制御プログラム
• 出願人：富士通株式会社