基板材料 の意味・用法を知る
基板材料 とは、プリント板の製造 やホトレジスト感材への露光・位置合せ などの分野において活用されるキーワードであり、パナソニック株式会社 や富士フイルム株式会社 などが関連する技術を3,631件開発しています。
このページでは、 基板材料 を含む技術文献に基づき、その意味・用法のみならず、活用される分野や市場、法人・人物などを網羅的に把握することができます。
基板材料の意味・用法
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本発明の光半導体装置の製造方法は、複数のLEDチップ2を実装する工程と、共通金型70および透光樹脂用金型71によって 基板材料 10を挟んだ状態で、透光樹脂用キャビティ712に、透光樹脂材料を注入し、該透光樹脂材料を硬化させることにより、各々がLEDチップを封止する複数の本体部30および各々が第一方向に隣り合う本体部30を繋ぐ複数の連結部36を有する透光樹脂3Aを形成する工程と、遮光樹脂4Aを形成する工程と、複数のLEDチップ2および複数の本体部30が分離させるように、少なくとも基板材料10と遮光樹脂4Aとを切断する工程と、を備える。
- 公開日:2017/04/20
- 出典:光半導体装置の製造方法および光半導体装置
- 出願人:ローム株式会社
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1つ以上のドラム420、425によって動かされている基板キャリア410上に 基板材料 440を注ぐことと、基板材料を硬化して基板を形成することと、少なくとも1つのOLEDを基板上に堆積することと、基板キャリアから基板を分離することと、を含むOLEDを作製する方法及びシステム400。
- 公開日:2016/06/20
- 出典:OLEDの作製方法
- 出願人:ユニバーサルディスプレイコーポレイション
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相対向する前面側と背面側を有するとともにX−Y平面内に延在し、前記前面側には第1の電極層が設けられ、さらに少なくとも1つの薄膜が設けられて少なくとも1つの薄膜デバイススタックを形成するフレキシブル 基板材料 であって、前記薄膜デバイススタックは、前記X−Y平面に垂直なZ方向に前記X−Y平面から距離Tまで延在し、前記基板材料は、前記基板材料の側部、前記第1の電極層および前記少なくとも1つの薄膜のうちの少なくとも1つに適用された少なくとも1つの保護構造を有し、前記少なくとも1つの保護構造は、前記X−Y平面から前記Z方向に距離Sまで延在し、前記距離Sは前記距離Tよりも大きい、基板材料。
- 公開日:2017/08/03
- 出典:フレキシブル基板材料及び電子薄膜デバイスの製造方法
- 出願人:エイト19リミテッド
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基板材料 と;その基板の表面の少なくとも一部に結合したポリマー被覆材料と、アンチトロンビンIII結合活性を持っていてそのポリマー被覆材料の少なくとも一部に共有結合した、オリゴ糖又は多糖である複数の生物活性物質と;上記ポリマー被覆材料に非共有結合した、多糖である生体適合性有機組成物とを含む医療装置であって、前記多糖はヘパリン、硫酸デキストラン、又はデキストランから選択され、上記生物活性物質のアンチトロンビンIII結合活性が、上記基板材料の殺菌の後、または圧縮と膨張の後に、基板材料1平方センチメートル当たり少なくとも5ピコモルのアンチトロンビンIII(ピコモル/cm2)である医療装置。
- 公開日:2016/11/17
- 出典:物理的操作または殺菌の後に大きな生物活性を有する固定化された生物活性物質
- 出願人:ダブリュ.エル.ゴアアンドアソシエイツ,インコーポレイティド
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...第一端と第二端との間に延びるシャンクと、前記シャンクの前記第二端に配置され、前記シャンク軸に略直交する横断面内で前記シャンクの前記第二端から外側に延びヘッド周縁部を形成するヘッドとを備え、前記ヘッドは、前記シャンクの前記第二端に隣接する前面と、前記前面の反対側の後面とを有し、前記ヘッドの前記前面は、 基板材料 の第一面に当たるよう配置され、前記シャンクの前記第二端と前記ヘッド周縁部との間に延びる露出領域を備え、前記ヘッドの前記前面は前記シャンクと前記ヘッド周縁部との間に配置されたレリーフ部を有し、前記レリーフ部は前記シャンクの前記第二端の周囲に連続して延び、前記ヘッドの前記前面で開口して、前記ヘッ...
- 登録日:2018/10/19
- 出典:圧縮圧入留め具装置
- 出願人:エスアールシステムズリミテッドライアビリティカンパニー
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独国特許第102005024512号明細書 独国特許出願公開第102007039291号明細書 本目的のためには、光透過性で平坦な 基板材料 からなる可撓性の形状変形例を有する窓要素(自由形状窓)であって、1mm〜100mmの範囲の要求される小型形式でコスト効率良く製造することができ、密閉(真空気密)してはんだ付けすることができ、かつ上記用途に対して長期にわたって安定している窓要素を提供する
- 公開日:2016/09/01
- 出典:筐体内に密閉封止してはんだ付けすることができる窓要素を製造するための方法、および前記方法によって製造された自由形状窓要素
- 出願人:イエーノプティークオプティカルシステムズゲーエムベーハー
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改善された方法によって、 基板材料 が、被覆又はコーティングされた医療機器の提供。
- 公開日:2014/05/29
- 出典:高度の生物活性を持つ固定化された生物活性物質
- 出願人:ダブリュ.エル.ゴアアンドアソシエイツ,インコーポレイティド
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基板材料 と;該基板材料の表面の少なくとも一部に結合したポリマー被覆材料であって、ヘパリンコファクターII結合活性を有する複数の生物活性物質が少なくとも一部に共有結合した該ポリマー被覆材料と;を含んでいて、該生物活性物質のヘパリンコファクターII結合活性が、1平方センチメートル当たり少なくとも5ピコモル(pmol/cm2)のヘパリンコファクターIIである医療機器。
- 公開日:2016/05/26
- 出典:高度の生物活性を持つ固定化された生物活性物質
- 出願人:ダブリュ.エル.ゴアアンドアソシエイツ,インコーポレイティド
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従来の分割装置の問題点、すなわち搬送方向の上流側の残存する 基板材料 が残りわずかな場合に、該残存する基板材料が分割不可能となる点、及び基板材料の個片の整列精度が低下する点、を解消する。
- 公開日:2015/05/11
- 出典:分割装置
- 出願人:株式会社ヒューブレイン
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シート供給又はウエブ供給加工システム、特にシート供給又はウエブ供給加工機又は印刷機におけるシート又はウエブ形状の 基板材料 を照射するデバイスを提供する
- 公開日:2017/01/26
- 出典:シート状又はウエブ状の基板材料を照射するデバイスおよび、当該デバイスの使用
- 出願人:カーベーアー-ノタシスソシエテアノニム
基板材料の特徴 に関わる言及
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結晶、結晶のための後処理
- 目的・対象とする結晶の形態
- 結晶自体の特徴(クレーム)
- 材料1(元素状、合金)
- 材料2(酸化物)
- 材料3(複合酸化物)
- 材料4(酸素酸塩)
- 材料5(〜化物)
- 材料6(有機物)
- 固相成長
- 液相成長1(常温で液体の溶媒を使用する)
- 液相成長2(溶融溶媒を使用するもの)CG優先
- 液相成長3(融液の凝固によるもの)
- 液相成長4(ゾーンメルティング)
- 液相成長5(融液からの引き出し)
- 液相成長6(液相エピタキシャル)
- 気相成長1(蒸着、昇華)
- 気相成長2(CVD)
- 結晶成長共通1(成長条件の制御)固相成長を除く
- 結晶成長共通2(不純物のドーピング)
- 結晶成長共通3(原料の調製、原料組成)
- 結晶成長共通4(種結晶、基板)
- 結晶成長共通5(成長前の基板の処理、保護)
- 結晶成長共通6(基板への多層成長)
- 結晶成長共通7(装置、治具)
- 結晶成長共通8(検知、制御)
- 結晶成長共通9(特定の成長環境の付加)
- 後処理1(拡散源、その配置)
- 後処理2(後処理のための基板表面の前処理)
- 後処理3(気相からのドーピング)
- 後処理4(電磁波、粒子線照射によるドーピング)
- 後処理5(加熱、冷却処理)
- 後処理6(結晶の接合)
- 後処理7(エッチング、機械加工)
- 後処理8(電場、磁場、エネルギー線の利用)
- 後処理9(その他)
- 後処理10(装置、治具の特徴)
- 結晶の物理的、化学的性質等の評価、決定
- 用途
- 固相からの直接単結晶成長
- 単結晶成長プロセス・装置
- 圧力を加えるもの 例、水熱法
- 塩溶媒を用いるもの 例、フラックス成長
- るつぼ、容器またはその支持体
- ノ−マルフリ−ジングまたは温度勾配凝固
- ゾ−ンメルティングによる単結晶成長、精製
- 溶媒を用いるもの
- るつぼ、容器またはその支持体
- 誘導による溶融ゾ−ンの加熱
- 電磁波による加熱(集光加熱等)
- 制御または調整
- 材料またはヒ−タ−の移動機構、保持具
- 融液からの引出し(保護流体下も含む)
- 結晶化物質(原料)、反応剤の充填、添加
- 引出し方向に特徴
- 融液を入れるるつぼ、容器またはその支持体
- 融液、封止剤または結晶化した物質の加熱
- 制御または調整
- 融液、封止剤、結晶の回転、移動機構
- 種結晶保持器
- 種結晶
- 縁部限定薄膜結晶成長
- 液相エピタキシャル成長
- 特殊な物理的条件下での単結晶成長
- PVD
- イオン化蒸気の凝縮
- 分子線エピタキシャル法
- CVD
- エピタキシャル成長法、装置
- 製造工程
- 反応室
- 反応室または基板の加熱
- 基板保持体またはサセプタ
- 基板とガス流との関係
- ガスの供給・排出手段;反応ガス流の調節
- 制御または調節
- 基板
- 特殊な物理的条件下での単結晶成長