同規 の意味・用法を知る
同規 とは、ウィング枠及びウィングの配置 やガラス板等の固定及び戸板 などの分野において活用されるキーワードであり、信越半導体株式会社 やYKKAP株式会社 などが関連する技術を1,504件開発しています。
このページでは、 同規 を含む技術文献に基づき、その意味・用法のみならず、活用される分野や市場、法人・人物などを網羅的に把握することができます。
同規の意味・用法
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そこで、比較例として、実施例と 同規 格の6枚のシリコン単結晶基板を準備し、実施例と同様にシリコンエピタキシャル基板を作製し、計6枚のシリコンエピタキシャル基板を得た。
- 公開日:2010/03/04
- 出典:シリコン単結晶基板の評価方法及びエピタキシャル基板の製造方法
- 出願人:信越半導体株式会社
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チタンの熱膨脹率は8.4×10-6(ガラスは既述の如く8.5×10-6)であるので、既述と 同規 格のもとでは、その熱膨脹値は2.6mm(ガラスは既述の如く2.7mm)となる。
- 公開日:1995/11/21
- 出典:採光板、パネル等の対外気遮蔽用面部材を支持するための方立及び無目から成る外壁構成体
- 出願人:株式会社竹中工務店
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また、学習対象住宅20としては、予測対象住宅10の世帯と概ね 同規 模の世帯の住宅を採用可能である。
- 公開日:2020/12/24
- 出典:電力需要予測システム
- 出願人:大和ハウス工業株式会社
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その他、本発明実施例1である遊戯具1によれば、 同規 格の新たな遊戯具ユニットを追加、入れ替えすることも可能であり、また、複数店舗において、内容の異なるコースを配置している場合に一部遊戯具ユニットを店舗間で交換することで共有することを可能とするため、コース変更に伴う必要コストを低減することができる。
- 公開日:2020/12/24
- 出典:遊戯具
- 出願人:株式会社ナムコ
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但し、λsはJIS-B0601「3.1.1.1」に記載の「粗さ成分とそれより短い波長成分との境界を定義するフィルタ」、λcは 同規 格に記載の「粗さ成分とうねり成分との境界を定義するフィルタ」である。
- 公開日:2020/12/24
- 出典:フェイシャルティシュ、フェイシャルティシュ製品入りカートン、及びフェイシャルティシュの製造方法
- 出願人:日本製紙クレシア株式会社
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同規 格は、患者測定電流(patient auxiliary current)を正常動作中は10μA未満、および単一故障動作中は50μA未満に制限している。
- 公開日:2020/12/03
- 出典:電圧ゼロ化圧力センサプリアンプ
- 出願人:シリコンマイクロストラクチャーズ,インコーポレイテッド
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したがって、主ニューラルネットワークMの規模を大きく、副ニューラルネットワークQnの規模を十分に小さくした本実施形態によれば、例えばWaveNetにおいて本実施形態の主ニューラルネットワークMと 同規 模のニューラルネットワークを用いてオーディオサンプルなどの系列データを直接推論するよりも計算量が小さくなる。
- 公開日:2020/12/03
- 出典:情報処理方法
- 出願人:ヤマハ株式会社
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これは溶接を行う事業者が規格に基づき施工法等を取得する場合は円滑にそれらを行えることに加え、 同規 格材料に関する施工法を保有している場合は再度の取得を必要としない等、実使用上の利便性も有することを意味する。
- 公開日:2020/11/19
- 出典:溶接用Ni基合金および溶加材
- 出願人:株式会社東芝
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特に、従来の回胴式遊技機(4号機)の最大の特徴とも言うべきボーナス・ストック機能も 同規 則で禁止された結果、ボーナス役を連続して放出(連チャン)させることができなくなり、遊技性や射幸性が極端に低下することになったので、優良顧客であった遊技者(スロッター)の客離れが進んでいる。
- 公開日:2020/11/12
- 出典:遊技機
- 出願人:ネット株式会社
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これについて前記ポリフェニレンスルフィド樹脂は、 同規 格でのI型試験片(厚さ4mm、幅10mmの棒状試料)を使って求められる酸素指数が30を超えるもので、優れた難燃性を有する。
- 公開日:2020/10/08
- 出典:樹脂発泡粒子及び樹脂発泡成形体
- 出願人:積水化成品工業株式会社
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気相成長(金属層を除く)
- 成長法
- 成長層の組成
- 導入ガス
- 成長条件(1)成膜温度T 請求項+実施例に記載されている成膜温度を全て付与する(除く従来例)
- 成長条件(2)成膜時の圧力P 請求項+実施例に記載されている成膜時の圧力を全て付与する(除く従来例)
- 被成膜面の組成・基板の特徴・ダミー基板・マスク
- 目的
- 半導体素子等への用途
- 機能的用途
- 半導体成長層の構造
- 半導体層の選択成長
- 絶縁体成長層の構造・絶縁体層の選択成長
- 装置の形式(1)基板支持の形態・成膜中の基板の運動 図面+詳細な説明に例示されている形式をすべて付与する(除く従来例)
- 装置の形式(2)成膜室の形態 図面+詳細な説明に例示されている形式をすべて付与する(除く従来例)
- 成膜一般
- 成膜室・配管構造・配管方法
- ガス供給・圧力制御
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- 基板支持
- 搬出入口・蓋・搬送・搬出入
- 測定・測定結果に基づく制御・制御一般
- 機械加工プロセスとの組み合わせ
- 他プロセスとの組合せ