厚膜 の意味・用法を知る
厚膜 とは、多層プリント配線板の製造 や流動性材料の適用方法、塗布方法 などの分野において活用されるキーワードであり、三菱マテリアル株式会社 やパナソニック株式会社 などが関連する技術を2,390件開発しています。
このページでは、 厚膜 を含む技術文献に基づき、その意味・用法のみならず、活用される分野や市場、法人・人物などを網羅的に把握することができます。
厚膜の意味・用法
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連続鋳造鋳型や金型などに用いられる析出硬化型銅合金材料と同等の導電性、熱伝導性、耐熱性を持ち、製造簡便な 厚膜 化が可能なめっき材料を提供する。
- 公開日:2017/11/02
- 出典:銅-ニッケル合金材料を被覆した機械部品
- 出願人:新日鐵住金株式会社
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基板10と、前記基板上に設けられた圧電膜14と、前記基板上に空隙30を介し設けられ、前記圧電膜と接し、平面視において前記空隙と重なる領域内に薄膜部26と、前記薄膜部より前記空隙側の面から前記圧電膜と接する面までの距離が前記薄膜部より大きい 厚膜 部25とを有する下部電極12と、前記圧電膜の前記下部電極が接する面とは反対の面に設けられた上部電極16と、を具備する圧電薄膜共振器。
- 公開日:2017/11/24
- 出典:圧電薄膜共振器、フィルタおよびマルチプレクサ
- 出願人:太陽誘電株式会社
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シール剤を所定のねじ込み範囲に予めコートしてあるシール材付き管継手であって、前記シール材は、端部から所定の幅までの相対的に厚い膜の 厚膜 部と、それよりも奥側に位置する前記所定のねじ込み範囲までの前記厚膜部よりも薄い膜の薄膜部とからなる二段コート膜構造になっていることを特徴とする。
- 公開日:2017/01/12
- 出典:シール材付き管継手
- 出願人:株式会社リケンCKJV
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熱成形可能な電気回路は、乾燥されたポリマー 厚膜 透明導体組成物の上の封入剤層の存在によって利益を得る。
- 公開日:2017/10/19
- 出典:熱成形可能なポリマー厚膜透明導体および容量性スイッチ回路におけるその使用
- 出願人:イー・アイ・デュポン・ドゥ・ヌムール・アンド・カンパニー
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...液室1と副液室2とに区画する仕切部材41と、を備え、仕切部材41は、主液室1側に配置される上プレート42と、副液室2側に配置される下ホルダ43と、上プレート42と下ホルダ43とに挟持される弾性仕切部材44と、を備え、弾性仕切部材44は、薄膜部44aと、薄膜部44aよりも振動入力軸方向に厚く形成された 厚膜 部44bと、を備えており、下ホルダ43には、弾性仕切部材44の弾性変形を規制する規制部が設けられており、規制部は、厚膜部44bに対向配置され、弾性変形時の厚膜部44bの変位量を規制する第1規制部と、薄膜部44aに対向配置され、弾性変形時の薄膜部44aの変位量を規制する第2規制部と、を備えている構...
- 公開日:2017/04/06
- 出典:液封防振装置
- 出願人:山下ゴム株式会社
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熱成形可能な電気回路は、乾燥されたポリマー 厚膜 導電性組成物の上の封入剤層の存在により利点がある。
- 公開日:2017/07/27
- 出典:触覚応答を有する熱成形可能なポリマー厚膜透明導体および容量性スイッチ回路におけるその使用
- 出願人:イー・アイ・デュポン・ドゥ・ヌムール・アンド・カンパニー
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膜厚10μm以上の 厚膜 のレジストパターンを形成する場合でも、断面形状が良好な矩形である非レジスト部を備えるレジストパターンを低露光量で形成できる厚膜用化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物と、当該厚膜用化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物からなる感光性樹脂層を備える厚膜感光性ドライフィルムと、当該厚膜用化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物を用いる厚膜レジストパターンの製造方法及び鋳型付き基板の製造方法と、当該方法で製造された鋳型付き基板を用いるめっき造形物の製造方法とを提供すること。
- 公開日:2015/11/05
- 出典:厚膜用化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物
- 出願人:東京応化工業株式会社
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本発明は、高誘電率を有するポリマー 厚膜 熱成形可能誘電組成物に関する。
- 公開日:2017/09/28
- 出典:熱成形可能容量性回路のための高K誘電組成物
- 出願人:イー・アイ・デュポン・ドゥ・ヌムール・アンド・カンパニー
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共通電極70は、周辺領域4で補助配線130と接触して重なる重複領域を有し、且つ重複領域の少なくとも一部に、重複領域以外の領域よりも厚さが大きい 厚膜 部71を有する。
- 公開日:2017/01/12
- 出典:表示装置
- 出願人:株式会社ジャパンディスプレイ
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(実施の形態8) 今回は、MOCVDにて種結晶を形成し、HVPE法により 厚膜 化を試みた。
- 公開日:2021/01/28
- 出典:RAMO4基板、その製造方法、及びIII族窒化物結晶の製造方法。
- 出願人:パナソニックIPマネジメント株式会社
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