DRAM の意味・用法を知る

第１の実施形態によるメモリシステムを備えたプロセッサシステムの概略構成を示すブロック図。 図１をより具体化したプロセッサシステムの概略構成を示すブロック図。 ＤＲＡＭとＭＲＡＭのリフレッシュタイミングを示す図。 第１の実施形態によるＭＲＡＭのリフレッシュ処理手順を示すフローチャート。 第２の実施形態によるプロセッサシステムの概略構成を示すブロック図。 第２の実施形態によるＭＲＡＭのリフレッシュ処理手順を示すフローチャート。 第３の実施形態によるプロセッサシステムの概略構成を示すブロック図。 第４の実施形態によるプロセッサシステムの概略構成を示すブロック図。 第４の実施形態によるＭＲＡＭのリフレ...

• 公開日：2018/03/29
• 出典：メモリシステムおよびプロセッサシステム
• 出願人：東芝メモリ株式会社

これは、たとえば、プロセッサが遠い DRAM に向かわなければならないとき、より高いレイテンシを生じる可能性がある。

• 登録日：2020/03/13
• 出典：不均一メモリアーキテクチャにおける改善されたレイテンシを可能にするためのシステムおよび方法
• 出願人：ノキアモービルフォーンズリミテッド

前記第1および第2のローカル揮発性メモリデバイスのうちの1つまたは複数が、ダイナミックランダムアクセスメモリ( DRAM )デバイスを含む、請求項1に記載の方法。

• 登録日：2020/03/10
• 出典：不均一メモリアーキテクチャにおける改善されたレイテンシのためのシステムおよび方法
• 出願人：ノキアモービルフォーンズリミテッド

以下では情報処理システムの詳細を説明する。図２は情報処理装置１のハードウェア群を示すブロック図である。図２に示す情報処理装置１は、一または複数の演算制御装置であるＣＰＵ１１、ハードディスク、半導体メモリディスク等の記憶装置である記憶部１２、ＳＲＡＭ（Static RAM）、ＤＲＡＭ（Dynamic RAM）またはフラッシュメモリ等のＲＡＭ１３、マウス、キーボード、タッチパネル、ペンタブレット、マイク等の入力機器である入力部１４、ディスプレイ、プロジェクタ、ヘッドマウントディスプレイ等の表示部１５、通信網Ｎとの間で通信を行う通信部１６を含む。

• 公開日：2016/09/05
• 出典：プログラム、情報処理装置及び情報処理方法
• 出願人：株式会社ブロードリーフ

外部マスタからＤＲＡＭに格納された補正データを書き換える場合の回路規模を削減することができる表示ムラ補正装置を提供する。

• 公開日：2016/08/12
• 出典：表示ムラ補正装置
• 出願人：株式会社メガチップス

ＤＲＡＭアクセスに関する実効スループットの低下を抑制する。

• 公開日：2018/03/01
• 出典：通信用入出力装置
• 出願人：東日本電信電話株式会社

...ータとに、処理の分担に応じた出力先にデータを振り分ける。センサーデータ分離部１０４は、撮像部１０１から出力された画像データを、画像処理部１００で処理するデータと後段の画像処理部１２０で処理するデータとに分離し、画像処理部１００で処理するデータを、メモリバス１１６およびメモリコントローラ１１３経由でＳＤＲＡＭ１１５に書き込む。すなわち、複数の画像処理回路１００と１２０がそれぞれ処理を担当する部分の画像データに応じてセンサーデータを振り分ける。画像処理部１０９は、センサーデータ分離部１０４で分離され、ＳＤＲＡＭ１１５に書き込まれたデータを読み出し、画素補間やフィルタ処理、縮小といったリサイズ処理や...

• 公開日：2017/03/16
• 出典：画像処理装置
• 出願人：キヤノン株式会社

通常モードよりも消費電力を削減させた省エネモードを有する画像形成装置１であって、省エネモード時に動作するＳＤＲＡＭ８５と、省エネモード時にＳＤＲＡＭ８５上のプログラムによって動作するメインＣＰＵ８２と、メインＣＰＵ８２を動作させる複数のプログラムが記憶され、省エネモード時に読み書きが停止されるＮＡＮＤメモリー８６とを備え、メインＣＰＵ８２は、省エネモードにおいて使用が見込まれるプログラムを使用見込プログラムとして予測し、通常モードから省エネモードへの移行時に、使用見込プログラムをＮＡＮＤメモリー８６からＳＤＲＡＭ８５にロードさせる。

• 公開日：2017/12/14
• 出典：電子機器
• 出願人：京セラドキュメントソリューションズ株式会社

フッ酸に対する耐性が高いことと、酸素系ガスによるストレス変化が小さいこととを両立させることができるＤＲＡＭキャパシタの下部電極を提供する。

• 公開日：2017/06/29
• 出典：ＤＲＡＭキャパシタの下部電極およびその製造方法
• 出願人：東京エレクトロン株式会社

データバッファ１２は、メモリコントローラ１０がホスト３０から受信したユーザデータを不揮発性メモリ２０へ記憶するまでに一時記憶する。また、データバッファ１２は、不揮発性メモリ２０から読み出したユーザデータをホスト３０へ送信するまでに一時記憶する。データバッファ１２には、例えば、ＳＲＡＭ（Static Random Access Memory）やＤＲＡＭ（Dynamic Random Access Memory）などの汎用メモリを用いることができる。なお、データバッファ１２は、メモリコントローラ１０に内蔵されずに、メモリコントローラ１０の外部に搭載されてもよい。

• 公開日：2020/03/26
• 出典：メモリシステム
• 出願人：東芝メモリ株式会社