半導体記憶装置 の意味・用法を知る

半導体記憶装置 を制御する制御装置に対して、複数の半導体記憶装置が用いられる場合に、各半導体記憶装置を決められた位置に装着させるための技術として、半導体記憶装置毎に被接触端子群の配置位置を変える方法が知られている。

• 公開日： 2008/10/09
• 出典： 半導体記憶装置および半導体記憶装置の制御装置
• 出願人： セイコーエプソン株式会社

実施の形態に係るメモリ制御装置は、例えばカラープリンタ等の画像形成装置に備えられたメモリ制御装置であり、画像形成装置に取り付けられた 半導体記憶装置 からなるメモリを制御する。

• 公開日： 2008/04/10
• 出典： メモリ制御装置、メモリ装置及びこれらを用いた画像形成装置
• 出願人： 株式会社沖データ

なお、本実施形態に係る 半導体記憶装置 におけるワード線の保護回路及びその駆動方法は、従来の半導体記憶装置におけるワード線の保護回路及びその駆動方法と同一であり説明を省略する。

• 公開日： 2009/08/06
• 出典： 半導体記憶装置及びその駆動方法
• 出願人： パナソニック株式会社

以下に上記構成の不揮発性 半導体記憶装置 における動作、即ち、ＤＲＡＭとしての書き込み動作、ＤＲＡＭとしての読み出し動作、リコール動作、ストア動作、ベリファイ動作及びリフレッシュ動作について説明する。

• 公開日： 1999/05/11
• 出典： 不揮発性半導体記憶装置
• 出願人： シャープ株式会社

従って、従来のＤＲＡＭと比較して書き換え寿命が短い、極端に微細化されたＤＲＡＭや、不揮発型 半導体記憶装置 を、主記憶用半導体記憶装置として用いる場合には、上記いずれの方法でも、メモリセルの書き換え寿命を保証することは困難であったと言える。

• 公開日： 2008/11/27
• 出典： 半導体記憶装置、半導体記憶装置の制御装置、および半導体記憶装置のアドレス制御方法
• 出願人： マイクロンメモリジャパン株式会社

しかしながら、本実実施形態に係る 半導体記憶装置 、及びその製造方法であると、上記問題を解決し、半導体記憶装置の動作信頼性を向上することが出来る。以下、詳細に説明する。

• 公開日： 2010/02/18
• 出典： 半導体記憶装置、及びその製造方法
• 出願人： 株式会社東芝

異なる酸化膜厚を有する装置を高い歩留まりで得ることが可能な、半導体装置及びその製造方法、不揮発性 半導体記憶装置 及びその製造方法、並びに不揮発性半導体記憶装置を備える電子装置を提供する。

• 公開日： 2004/04/08
• 出典： 半導体装置及びその製造方法、不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法、並びに不揮発性半導体記憶装置を備える電子装置
• 出願人： 株式会社東芝

半導体記憶装置 は、ＤＲＡＭのように記憶保持動作が必要な揮発性半導体記憶装置と、記憶保持動作が必要でない不揮発性半導体記憶装置とに大きく分類される。近年、不揮発性半導体記憶装置は多方面で採用され、微細化と高集積化が求められている。

• 公開日： 2000/12/15
• 出典： 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法
• 出願人： パナソニック株式会社

用途に応じて装置寿命と記憶容量との優先度を変更可能な 半導体記憶装置 管理システム、半導体記憶装置、半導体記憶装置管理システムの制御方法およびプログラムを提供すること。

• 公開日： 2008/07/24
• 出典： 半導体記憶装置管理システム、半導体記憶装置、半導体記憶装置管理システムの制御方法およびプログラム
• 出願人： セイコーエプソン株式会社

信頼性に優れた車両用診断装置を提供するという目的を、車両用ナビゲーション装置のハードディスク装置と 半導体記憶装置 とを記憶装置として利用する車両用診断装置により実現した。

• 公開日： 2006/02/16
• 出典： 車両用診断装置
• 出願人： 株式会社デンソー

ところで、従来の 半導体記憶装置 において、例えば、半導体記憶装置単独でノイズマージン試験を行うためには、半導体記憶装置の電源電圧を変える又は変動させる必要があった。

• 公開日： 2012/10/25
• 出典： 半導体記憶装置、及び、半導体記憶装置を含む情報処理装置
• 出願人： 富士通株式会社

その結果、不揮発性 半導体記憶装置 がより小型化した場合においても、不揮発性半導体記憶装置の配線の信頼性を保持し、高性能の不揮発性半導体記憶装置を提供することが可能となる。

• 公開日： 1997/02/07
• 出典： 不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法
• 出願人： 三菱電機株式会社

これにより、ＴＦＴ負荷のメモリセルを用いる 半導体記憶装置 およびそれを用いた情報処理装置において、このメモリセルにおけるＴＦＴ特性の安定化によって半導体記憶装置が設計し易くなり、かつ信頼性の向上が可能とされる半導体記憶装置を得ることができる。

• 公開日： 1996/03/22
• 出典： 半導体記憶装置およびそれを用いた情報処理装置
• 出願人： ルネサスエレクトロニクス株式会社

近年、 半導体記憶装置 に要求される記憶容量は大きくなっており、単体の半導体記憶装置では十分ではないため、複数個の半導体記憶装置を積み重ねられた半導体記憶装置が開発されている。

• 公開日： 2002/11/29
• 出典： 半導体記憶装置
• 出願人： ルネサスエレクトロニクス株式会社