半値幅 の意味・用法を知る
半値幅 とは、電池の電極及び活物質 や発光性組成物 などの分野において活用されるキーワードであり、三菱化学株式会社 や株式会社リコー などが関連する技術を40,162件開発しています。
このページでは、 半値幅 を含む技術文献に基づき、その意味・用法のみならず、活用される分野や市場、法人・人物などを網羅的に把握することができます。
半値幅の意味・用法
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単色LED光源の 半値幅 は、2.5nm以下であることが好ましく、より好ましくは、1.0nm以下である。
- 公開日:2018/03/01
- 出典:美顔器
- 出願人:有限会社ミニョンベル
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発光スペクトルの 半値幅 が38.5以上であることを特徴とする請求項1又は2に記載の蛍光体。
- 公開日:2017/11/02
- 出典:蛍光体及び発光装置並びに蛍光体の製造方法
- 出願人:宇部興産株式会社
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導体と、導体の外周に配置され、ポリフェニレンサルファイド樹脂を含む樹脂組成物からなる絶縁層と、を備え、絶縁層は、その表面をX線回折の2θ/θ法で測定したときに、ポリフェニレンサルファイド樹脂の(110)面に由来する回折ピークの 半値幅 が0.7°以上0.8°以下となるように構成されている、絶縁電線が提供される。
- 公開日:2017/10/12
- 出典:絶縁電線およびその製造方法
- 出願人:日立金属株式会社
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本発明の赤色蛍光体は、主結晶相が(Sr,Ca)AlSiN3結晶相であって、455nmの光で励起した際の発光スペクトルのピーク波長が615nm以上630nm以下、その 半値幅 が75nm以上85nm以下の蛍光体Aを50重量%以上90重量%以下、及び、主結晶相がCaAlSiN3結晶相であって、455nmの光で励起した際の発光スペクトルのピーク波長が645nm以上665nm以下、その半値幅が85nm以上95nm以下の蛍光体Bを10重量%以上50重量%以下を含有することを特徴とする。
- 公開日:2016/12/08
- 出典:赤色蛍光体及び発光装置
- 出願人:デンカ株式会社
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X線回折により測定された(003)面の回折ピーク強度I(003)と(104)面の回折ピーク強度I(104)との比I(003)/(104)が、0.92以上1.02以下であり、かつ、(003)面の回折ピークの 半値幅 FWHM(003)が、0.13以上0.15以下であり、かつ、(104)面の回折ピークの半値幅FWHM(104)が、0.15以上0.18以下であり、かつ、XAFS解析またはCHNO元素分析により算出された遷移金属の平均価数が2.9以上であるリチウムニッケル複合酸化物を含む、正極活物質。
- 公開日:2016/06/20
- 出典:正極活物質、およびリチウムイオン二次電池
- 出願人:三星エスディアイ株式会社
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負極活物質粒子(10)は、XRD測定により得られるXRDパターンにおいて、2θ=45°付近のFeSi合金の回析ピークの 半値幅 が0.40°以上、且つ2θ=28°付近のSiの(111)面の回析ピークの半値幅が0.40°以上である。
- 公開日:2017/11/02
- 出典:非水電解質二次電池用負極活物質及び非水電解質二次電池
- 出願人:三洋電機株式会社
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α−NaFeO2型結晶構造を有するリチウム遷移金属複合酸化物を含む非水電解質電池用正極活物質であって、前記リチウム遷移金属複合酸化物を構成するLiと遷移金属(Me)のモル比Li/Meが1.2〜1.5未満であり、前記遷移金属(Me)がMn及びNiを含み、前記リチウム遷移金属複合酸化物が、空間群P3112又はR3−mに帰属可能なX線回折パターンを有し、CuKα線を用いたX線回折測定によるミラー指数hklにおける(003)面の回折ピークの 半値幅 が0.180〜0.210°であり、さらに、前記リチウム遷移金属複合酸化物のBET比表面積が2.0〜3.8m2/gである非水電解質二次電池用正極活物質。
- 公開日:2016/12/22
- 出典:非水電解質二次電池用正極活物質及び非水電解質二次電池
- 出願人:株式会社GSユアサ
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量子ドットによる蛍光は高輝度であり、しかも 半値幅 が小さいため、量子ドットを用いたLCDは色再現性に優れる。
- 公開日:2017/12/21
- 出典:重合性組成物、波長変換部材、バックライトユニット、および液晶表示装置
- 出願人:富士フイルム株式会社
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電子写真感光体の下引き層が複合粒子を含有し、複合粒子が、芯材粒子、及び芯材粒子を被覆している酸化スズを有し、複合粒子の酸化スズが、CuKα特性X線回折におけるブラッグ角(2θ±0.20°)の33.90°にピークを有し、かつ、CuKα特性X線回折におけるブラッグ角(2θ±0.20°)=33.90°におけるX線回折ピークの 半値幅 が1.41°以下であることを特徴とする。
- 公開日:2015/10/15
- 出典:電子写真感光体、その製造方法、プロセスカートリッジ、及び電子写真装置
- 出願人:キヤノン株式会社
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アルミニウムを含み、X線回折における結晶吸収の 半値幅 が5mm以上30mm以下である電子写真感光体用導電性支持体(導電性支持体4)である。
- 公開日:2016/01/12
- 出典:電子写真感光体用導電性支持体、電子写真感光体、画像形成装置およびプロセスカートリッジ
- 出願人:富士ゼロックス株式会社
半値幅の問題点 に関わる言及
半値幅の特徴 に関わる言及
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発光ピークの 半値幅 が狭く、発光特性に優れた赤色蛍光体と、この蛍光体を用いた蛍光体含有組成物及び発光装置と、この発光装置を用いた画像表示装置及び照明装置を提供する。
- 公開日: 2010/11/11
- 出典: 蛍光体と、その蛍光体を用いた蛍光体含有組成物及び発光装置、並びに、その発光装置を用いた画像表示装置及び照明装置
- 出願人: 三菱化学株式会社
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発光ピークの 半値幅 が狭く、発光特性に優れた赤色蛍光体、及びその製造方法と、この蛍光体を用いた蛍光体含有組成物及び発光装置と、この発光装置を用いた画像表示装置及び照明装置を提供する。
- 公開日: 2010/09/24
- 出典: 蛍光体及びその製造方法と、その蛍光体を用いた蛍光体含有組成物及び発光装置、並びに、その発光装置を用いた画像表示装置及び照明装置
- 出願人: 三菱化学株式会社
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また、単色光の 半値幅 として、予め求められた平均値が用いられるので、一次分散像及び二次分散像の結像位置の変化、あるいは一次分散像及び二次分散像の結像位置の変化に基づく波長シフト量に変換するための情報の精度に大きな影響を与えることなく、誤差を招きやすい半値幅の推定を行うことなく、一次分散像及び二次分散像の結像位置の変化、あるいは一次分散像及び二次分散像の結像位置の変化に基づく波長シフト量に変換するための情報を得ることができる。
- 公開日: 2005/03/17
- 出典: 分光装置及び分光装置の補正方法
- 出願人: コニカミノルタ株式会社
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光電変換効率が高く、さらに吸収の 半値幅 が狭く色再現に優れた光導電膜、光電変換素子、及び撮像素子、並びに、これらに電場を印加する方法、及び印加した素子を提供する。
- 公開日: 2007/03/08
- 出典: 光電変換膜、光電変換素子、及び撮像素子、並びに、これらに電場を印加する方法
- 出願人: 富士フイルム株式会社
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結晶、結晶のための後処理
- 目的・対象とする結晶の形態
- 結晶自体の特徴(クレーム)
- 材料1(元素状、合金)
- 材料2(酸化物)
- 材料3(複合酸化物)
- 材料4(酸素酸塩)
- 材料5(〜化物)
- 材料6(有機物)
- 固相成長
- 液相成長1(常温で液体の溶媒を使用する)
- 液相成長2(溶融溶媒を使用するもの)CG優先
- 液相成長3(融液の凝固によるもの)
- 液相成長4(ゾーンメルティング)
- 液相成長5(融液からの引き出し)
- 液相成長6(液相エピタキシャル)
- 気相成長1(蒸着、昇華)
- 気相成長2(CVD)
- 結晶成長共通1(成長条件の制御)固相成長を除く
- 結晶成長共通2(不純物のドーピング)
- 結晶成長共通3(原料の調製、原料組成)
- 結晶成長共通4(種結晶、基板)
- 結晶成長共通5(成長前の基板の処理、保護)
- 結晶成長共通6(基板への多層成長)
- 結晶成長共通7(装置、治具)
- 結晶成長共通8(検知、制御)
- 結晶成長共通9(特定の成長環境の付加)
- 後処理1(拡散源、その配置)
- 後処理2(後処理のための基板表面の前処理)
- 後処理3(気相からのドーピング)
- 後処理4(電磁波、粒子線照射によるドーピング)
- 後処理5(加熱、冷却処理)
- 後処理6(結晶の接合)
- 後処理7(エッチング、機械加工)
- 後処理8(電場、磁場、エネルギー線の利用)
- 後処理9(その他)
- 後処理10(装置、治具の特徴)
- 結晶の物理的、化学的性質等の評価、決定
- 用途
- 固相からの直接単結晶成長
- 単結晶成長プロセス・装置
- 圧力を加えるもの 例、水熱法
- 塩溶媒を用いるもの 例、フラックス成長
- るつぼ、容器またはその支持体
- ノ−マルフリ−ジングまたは温度勾配凝固
- ゾ−ンメルティングによる単結晶成長、精製
- 溶媒を用いるもの
- るつぼ、容器またはその支持体
- 誘導による溶融ゾ−ンの加熱
- 電磁波による加熱(集光加熱等)
- 制御または調整
- 材料またはヒ−タ−の移動機構、保持具
- 融液からの引出し(保護流体下も含む)
- 結晶化物質(原料)、反応剤の充填、添加
- 引出し方向に特徴
- 融液を入れるるつぼ、容器またはその支持体
- 融液、封止剤または結晶化した物質の加熱
- 制御または調整
- 融液、封止剤、結晶の回転、移動機構
- 種結晶保持器
- 種結晶
- 縁部限定薄膜結晶成長
- 液相エピタキシャル成長
- 特殊な物理的条件下での単結晶成長
- PVD
- イオン化蒸気の凝縮
- 分子線エピタキシャル法
- CVD
- エピタキシャル成長法、装置
- 製造工程
- 反応室
- 反応室または基板の加熱
- 基板保持体またはサセプタ
- 基板とガス流との関係
- ガスの供給・排出手段;反応ガス流の調節
- 制御または調節
- 基板
- 特殊な物理的条件下での単結晶成長