化学エッチング の意味・用法を知る

イオンビーム照射およびその後の 化学エッチング を利用した多孔性高分子フィルムの製造方法であって、形成する細孔の形状、典型的には断面形状、の制御の自由度が高い方法を提供する。

• 公開日：2016/04/28
• 出典：多孔性高分子フィルムの製造方法および多孔性高分子フィルム
• 出願人：日東電工株式会社

一実施形態で、エッチング停止層をエッチングする方法は、処理混合ガスを処理チャンバ内に供給して窒化ケイ素層を処理することにより、窒化ケイ素層が配置された基板に処理工程を実施することと、 化学エッチング 混合ガスを処理チャンバ内に供給することにより、基板に化学エッチング工程を実施することであって、化学エッチング混合ガスは、少なくともアンモニウムガス及び三フッ化窒素を含み、化学エッチング工程は、処理された窒化ケイ素層をエッチングする、実施することと、を含む。

• 公開日：2016/10/13
• 出典：周期的エッチング工程を用いたエッチング停止層のエッチング方法
• 出願人：アプライドマテリアルズ，インコーポレイティド

表裏両面に励振電極が形成されかつ平面視矩形形状のＡＴカットされた水晶片を含み、前記水晶片のＸ軸方向一方端が自由端とされ、他方端が固定端として片持ち支持される水晶振動子の製造方法であって、前記水晶片の少なくともＸ軸方向両端を機械加工により面取りする第１工程と、前記第１工程の後、前記水晶片を 化学エッチング する第２工程と、を含むことを特徴とする水晶振動子の製造方法。

• 公開日：2014/08/07
• 出典：水晶振動子とその製造方法
• 出願人：株式会社大真空

このような前処理としては、脱脂工程、 化学エッチング 工程、感応性付与（センシタイジング）工程、および活性化（アクティベイティング）工程等が挙げられ、本発明では、これらの前処理方法として一般的な方法が採用される。

• 登録日：2013/09/06
• 出典：ノルボルネン系樹脂成形体およびその製造方法
• 出願人：ＲＩＭＴＥＣ株式会社

請求項１５に記載した金属合金とポリアミド樹脂組成物の複合体の製造方法であって、前記金属合金は鉄鋼材であって、前記表面処理工程は、前記鉄鋼材を硫酸水溶液に浸漬する 化学エッチング 工程のみからなることを特徴とする前記製造方法。

• 公開日：2012/01/26
• 出典：金属合金とポリアミド樹脂組成物の複合体とその製造方法
• 出願人：大成プラス株式会社

本発明の実施形態は、高いプロファイル制御と、高いプロファイル均一性と共に、誘電材料にエッチングされる開口部の壁の不動態化を可能にする 化学エッチング を提供する

• 公開日：2010/01/28
• 出典：半導体処理のための方法
• 出願人：マイクロンテクノロジー，インコーポレイテッド

主成分がシリコンからなり、直線孔を形成するときは形成すべき孔の深さ方向に対して（１００）面が直交するように加工された単結晶基板１とフッ化水素濃度が１０％以下のエッチング液を準備し、螺旋孔を形成するときはフッ化水素濃度が２８％以上のエッチング液を準備し、基板表面に銀、白金、パラジウムなどの金属粒子２を無電解メッキ等の手段で付着させた状態で 化学エッチング することを特徴とする。

• 公開日：2008/05/29
• 出典：結晶基板に孔を形成する方法
• 出願人：シャープ株式会社

また、この加工変質層には、加工時に用いられた砥粒や潤滑剤が残存しており、後工程の不純物として悪影響を及ぼす可能性が大きいため、加工変質層はたとえばアルカリ性のエッチング液を用いた 化学エッチング により除去される。

• 公開日：2006/08/03
• 出典：結晶シリコンウエハ、結晶シリコン太陽電池、結晶シリコンウエハの製造方法および結晶シリコン太陽電池の製造方法
• 出願人：シャープ株式会社

シリコン材料に機械加工を施してシリコンウェーハを支持可能なウェーハ支持具の形状に成形する工程と、機械加工により成形した支持具の表面に導入された加工ダメージ及び汚染層を 化学エッチング により除去する工程とを含むウェーハの熱処理時にウェーハを支持するウェーハ支持具の製造方法の改良であり、その特徴ある構成は、化学エッチングをフッ酸、硝酸及びリン酸をそれぞれ含む混酸エッチング水溶液により行い、ウェーハと接触する部分の表面粗さを制御しながら加工ダメージ及び汚染層を除去するところにある。

• 公開日：2005/07/07
• 出典：ウェーハ支持具の製造方法
• 出願人：株式会社ＳＵＭＣＯ

複合材料からなる放熱基板１０の片方の主面１０ａに 化学エッチング により凹部１１を形成すると共に、凹部１１を除いた両方の主面１０ａ、１０ｂには別の化学エッチングにより、深さ方向の最大振幅が同じ表面に露呈したＳｉＣやＳｉ等の粒子の深さ方向における最大長さよりも小さい微細な凹凸を形成する。

• 公開日：2003/03/14
• 出典：放熱基板とその製造方法及び半導体装置
• 出願人：住友電気工業株式会社