化合物半導体 の意味・用法を知る
化合物半導体 とは、気相成長（金属層を除く） やＬＥＤ素子（パッケージ以外） などの分野において活用されるキーワードであり、住友電気工業株式会社 やソニー株式会社 などが関連する技術を34,667件開発しています。
このページでは、 化合物半導体 を含む技術文献に基づき、その意味・用法のみならず、活用される分野や市場、法人・人物などを網羅的に把握することができます。
化合物半導体の意味・用法
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第１導電型半導体層１１と発光層１２と第２導電型半導体層１３とがこの順に積層された少なくとも１つのメサ型 化合物半導体 積層部１０と、第１導電型半導体層１１および／または第２導電型半導体層１３上に形成された、複数の開口部５１、５２を有する絶縁層２０と、第１導電型半導体層１１に電気的に接続される第１電極部３０と、第２導電型半導体層１３に電気的に接続される第２電極部４０と、を備えて赤外線発光素子１００を構成し、第１電極部３０および／または第２電極部４０を、絶縁層２０に形成された複数の開口部５１、５２を介してメサ型半導体積層部１０に電気的に接続する。これにより、メサ型半導体積層部１０における電流経路を分散...
- 公開日：2015/10/22
- 出典：赤外線発光素子
- 出願人：旭化成エレクトロニクス株式会社
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基板１０上に、Ｉｎ及びＳｂを含む第１導電型の第１の 化合物半導体 層２１と第１導電型とは導電型の異なる第２導電型の第２の化合物半導体層２３とが、基板１０側からこの順に積層されてなる化合物半導体積層部２０を、質量濃度が３．５ｗｔ％以上５．５ｗｔ％以下の塩酸と、過酸化水素とを含むエッチャントを用いてウェットエッチング処理し、第１の化合物半導体層２１の一部が露出したメサ形状の化合物半導体積層部２０を形成する。
- 公開日：2016/09/01
- 出典：量子型赤外線デバイスの製造方法及び量子型赤外線デバイス製造用のエッチャント
- 出願人：旭化成エレクトロニクス株式会社
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化合物半導体 積層部２０を平面視したときに、第１開口部３１の面積はメサ上部２２の面積の２０％以上であり、かつ、第１開口部３１と第２開口部３２との最短距離Ｄをなす第１の方向におけるメサ上部２２の長さＷ１は、第１の方向と平面視で直交する第２の方向におけるメサ上部２２の長さＬ１よりも短い。
- 公開日：2016/08/18
- 出典：赤外線発光ダイオード
- 出願人：旭化成エレクトロニクス株式会社
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ＰＮ接合部又はＰＩＮ接合部等のフォトダイオード構造を含むメサ形状の 化合物半導体 積層部２０を有する受光素子と、化合物半導体積層部２０の一部を覆う赤外線遮蔽部３０とを備えた受光部５０ａ、５０ｂを同一基板１０上に設け、受光部５０ａ、５０ｂの主入射面としての側面４０ａ、４０ｂを、受光部５０ａ、５０ｂ間で非平行となるように形成する。
- 公開日：2016/04/11
- 出典：赤外線センサ装置
- 出願人：旭化成エレクトロニクス株式会社
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図６は、第１の実施形態による 化合物半導体 チップの配置の他の例を示す上面図である。
- 公開日：2017/09/21
- 出典：半導体装置およびその製造方法
- 出願人：株式会社東芝
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化合物半導体 を洗浄する方法は、純水と６５ｗｔ％未満の硫酸とを含みｐＨ２以下の水素イオン濃度及び０．６ボルト以上の酸化還元電位を有する溶液１７を用いて、構成元素としてガリウムを備える化合物半導体に洗浄のための処理４を摂氏７０度以上の温度で施す工程を備える。
- 公開日：2017/07/13
- 出典：化合物半導体を洗浄する方法、化合物半導体の洗浄用の溶液、化合物半導体デバイスを作製する方法、窒化ガリウム基板を作製する方法、窒化ガリウム基板
- 出願人：住友電気工業株式会社
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...とも１つの機能層を有する複合体（３６）を生産するための方法、または電子もしくは光電子部品（４０、４２、４４）を生産するためにさらに使用するための方法に関する。複合体（３６）は、層構造の形態であり、プレートの形態にあり少なくとも１つの平面基板表面を有する少なくとも１つの基板（３４）と、少なくとも１つの 化合物半導体 、セラミック材料または金属硬質材料を含む少なくとも１つの実質的に多結晶の、または少なくとも１つの実質的に単結晶の層（３８）とを備える。 方法は、− 平面基板表面の少なくとも一部を少なくとも１００℃、最大で５５０℃の温度まで加熱するステップと、− 第１の材料源（２０）からの水素と、特...
- 公開日：2017/01/05
- 出典：少なくとも１つの機能層を有する複合体を生産するための方法、または電子もしくは光電子部品をさらに生産するための方法
- 出願人：アイクサテックゲーエムベーハー
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第３ 化合物半導体 及び第４化合物半導体のそれぞれの縦光学フォノンの振動エネルギーが、ＧａＡｓの縦光学フォノンの振動エネルギーよりも大きくＡｌＮの縦光学フォノンの振動エネルギー以下である。
- 公開日：2017/04/20
- 出典：量子カスケードレーザ
- 出願人：シャープ株式会社
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受光素子１０Ａは、第１の 化合物半導体 から成り、光が入射する表面再結合防止層２１、第２の化合物半導体から成る光電変換層２２、及び、第３の化合物半導体から成る化合物半導体層２３の積層構造２０Ａを有し、表面再結合防止層２１は３０ｎｍ以下の厚さを有する。
- 公開日：2015/08/20
- 出典：撮像装置
- 出願人：ソニー株式会社
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底部電極部２１は、マトリクスの例えば列方向に沿って、行方向で隣り合うメサ型 化合物半導体 積層部１０間まで延伸した延伸電極部２２を含む。
- 公開日：2015/07/23
- 出典：発光素子
- 出願人：旭化成エレクトロニクス株式会社
化合物半導体の問題点 に関わる言及
化合物半導体の特徴 に関わる言及
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気相成長方法は気相で結晶成長させる物質またはその原料を搬送し、シード結晶上等に結晶を成長させる。各結晶成長方法は、それぞれの特徴を有する。以下、 化合物半導体 の結晶成長を例にとって説明する。
- 公開日： 1999/03/23
- 出典： 結晶成長方法および装置
- 出願人： スタンレー電気株式会社
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化合物半導体 基板は、さらに、化合物半導体発光層上に形成された化合物半導体被覆層を備えていても良い。この場合には、化合物半導体被覆層が電子線入射表面を有する。ただし、化合物半導体被覆層はなくても良い。この場合には、化合物半導体発光層が電子線入射表面を有する。
- 公開日： 2009/04/16
- 出典： 蛍光体
- 出願人： 浜松ホトニクス株式会社
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化合物半導体 により構成された発光層部上に透明導電性酸化物層が形成されている発光素子において、透明導電性酸化物層と発光層部との間で電流の導通を良好に行うことができる発光素子とその製造方法を提供する。
- 公開日： 2004/05/20
- 出典： 発光素子及びその製造方法
- 出願人： 信越半導体株式会社
化合物半導体の使用状況 に関わる言及
注目されているキーワード
関連する分野分野動向を把握したい方
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気相成長（金属層を除く）
- 成長法
- 成長層の組成
- 導入ガス
- 成長条件（１）成膜温度Ｔ 請求項＋実施例に記載されている成膜温度を全て付与する（除く従来例）
- 成長条件（２）成膜時の圧力Ｐ 請求項＋実施例に記載されている成膜時の圧力を全て付与する（除く従来例）
- 被成膜面の組成・基板の特徴・ダミー基板・マスク
- 目的
- 半導体素子等への用途
- 機能的用途
- 半導体成長層の構造
- 半導体層の選択成長
- 絶縁体成長層の構造・絶縁体層の選択成長
- 装置の形式（１）基板支持の形態・成膜中の基板の運動 図面＋詳細な説明に例示されている形式をすべて付与する（除く従来例）
- 装置の形式（２）成膜室の形態 図面＋詳細な説明に例示されている形式をすべて付与する（除く従来例）
- 成膜一般
- 成膜室・配管構造・配管方法
- ガス供給・圧力制御
- ノズル・整流・遮蔽・排気口
- 排気・排気制御・廃ガス処理
- プラズマ処理・プラズマ制御
- 冷却
- 加熱（照射）・温度制御
- 基板支持
- 搬出入口・蓋・搬送・搬出入
- 測定・測定結果に基づく制御・制御一般
- 機械加工プロセスとの組み合わせ
- 他プロセスとの組合せ
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半導体レーザ
- 半導体レーザの構造（垂直共振器を除く）−（１）
- 半導体レーザの構造（垂直共振器を除く）−（２）
- 垂直共振器を有するレーザの構造
- モノリシックな集積（同じ成長基板上に複数の素子を備えたもの）
- 半導体の積層方向の構造−１
- 半導体の積層方向の構造−２
- 活性層の材料系−基板材料
- 不純物に特徴があるもの
- 電極構造・材料に特徴があるもの
- 被覆構造・材料に特徴があるもの
- 製造方法１
- 製造方法２
- 課題・目的
- レーザ動作のタイプ
- モジュール・パッケージの用途
- モジュール・パッケージのタイプ（典型的なタイプを抽出）
- マウント・モジュール・パッケージにおける目的
- ＬＤチップのマウント
- パッケージ・光モジュールの構成
- 発明の特徴となっている組合せ光学要素（ＬＤチップ外）
- 駆動におけるレーザーのタイプ
- 用途（駆動）
- 駆動において特徴となる目的
- 安定化制御（主に検知・帰還制御）
- 駆動制御
- 異常対策
- 回路構成に特徴があるもの
- 被試験・被検査形状
- 試験・検査する項目
- 試験・検査において特徴と認められる点
- 試験・検査の内容
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結晶、結晶のための後処理
- 目的・対象とする結晶の形態
- 結晶自体の特徴（クレーム）
- 材料１（元素状、合金）
- 材料２（酸化物）
- 材料３（複合酸化物）
- 材料４（酸素酸塩）
- 材料５（〜化物）
- 材料６（有機物）
- 固相成長
- 液相成長１（常温で液体の溶媒を使用する）
- 液相成長２（溶融溶媒を使用するもの）ＣＧ優先
- 液相成長３（融液の凝固によるもの）
- 液相成長４（ゾーンメルティング）
- 液相成長５（融液からの引き出し）
- 液相成長６（液相エピタキシャル）
- 気相成長１（蒸着、昇華）
- 気相成長２（ＣＶＤ）
- 結晶成長共通１（成長条件の制御）固相成長を除く
- 結晶成長共通２（不純物のドーピング）
- 結晶成長共通３（原料の調製、原料組成）
- 結晶成長共通４（種結晶、基板）
- 結晶成長共通５（成長前の基板の処理、保護）
- 結晶成長共通６（基板への多層成長）
- 結晶成長共通７（装置、治具）
- 結晶成長共通８（検知、制御）
- 結晶成長共通９（特定の成長環境の付加）
- 後処理１（拡散源、その配置）
- 後処理２（後処理のための基板表面の前処理）
- 後処理３（気相からのドーピング）
- 後処理４（電磁波、粒子線照射によるドーピング）
- 後処理５（加熱、冷却処理）
- 後処理６（結晶の接合）
- 後処理７（エッチング、機械加工）
- 後処理８（電場、磁場、エネルギー線の利用）
- 後処理９（その他）
- 後処理１０（装置、治具の特徴）
- 結晶の物理的、化学的性質等の評価、決定
- 用途
- 固相からの直接単結晶成長
- 単結晶成長プロセス・装置
- 圧力を加えるもの 例、水熱法
- 塩溶媒を用いるもの 例、フラックス成長
- るつぼ、容器またはその支持体
- ノ−マルフリ−ジングまたは温度勾配凝固
- ゾ−ンメルティングによる単結晶成長、精製
- 溶媒を用いるもの
- るつぼ、容器またはその支持体
- 誘導による溶融ゾ−ンの加熱
- 電磁波による加熱（集光加熱等）
- 制御または調整
- 材料またはヒ−タ−の移動機構、保持具
- 融液からの引出し（保護流体下も含む）
- 結晶化物質（原料）、反応剤の充填、添加
- 引出し方向に特徴
- 融液を入れるるつぼ、容器またはその支持体
- 融液、封止剤または結晶化した物質の加熱
- 制御または調整
- 融液、封止剤、結晶の回転、移動機構
- 種結晶保持器
- 種結晶
- 縁部限定薄膜結晶成長
- 液相エピタキシャル成長
- 特殊な物理的条件下での単結晶成長
- ＰＶＤ
- イオン化蒸気の凝縮
- 分子線エピタキシャル法
- ＣＶＤ
- エピタキシャル成長法、装置
- 製造工程
- 反応室
- 反応室または基板の加熱
- 基板保持体またはサセプタ
- 基板とガス流との関係
- ガスの供給・排出手段；反応ガス流の調節
- 制御または調節
- 基板
- 特殊な物理的条件下での単結晶成長
