化合物半導体 の意味・用法を知る
化合物半導体 とは、気相成長(金属層を除く) やLED素子(パッケージ以外) などの分野において活用されるキーワードであり、住友電気工業株式会社 やソニー株式会社 などが関連する技術を36,152件開発しています。
このページでは、 化合物半導体 を含む技術文献に基づき、その意味・用法のみならず、活用される分野や市場、法人・人物などを網羅的に把握することができます。
化合物半導体の意味・用法
-
化合物半導体 からなる基板の上に化合物半導体による能動素子を含む集積回路をより容易に製造できるようにする。
- 公開日:2017/10/05
- 出典:半導体装置の製造方法
- 出願人:東日本電信電話株式会社
-
第1導電型半導体層11と発光層12と第2導電型半導体層13とがこの順に積層された少なくとも1つのメサ型 化合物半導体 積層部10と、第1導電型半導体層11および/または第2導電型半導体層13上に形成された、複数の開口部51、52を有する絶縁層20と、第1導電型半導体層11に電気的に接続される第1電極部30と、第2導電型半導体層13に電気的に接続される第2電極部40と、を備えて赤外線発光素子100を構成し、第1電極部30および/または第2電極部40を、絶縁層20に形成された複数の開口部51、52を介してメサ型半導体積層部10に電気的に接続する。これにより、メサ型半導体積層部10における電流経路を分散...
- 公開日:2015/10/22
- 出典:赤外線発光素子
- 出願人:旭化成エレクトロニクス株式会社
-
基板10上に、In及びSbを含む第1導電型の第1の 化合物半導体 層21と第1導電型とは導電型の異なる第2導電型の第2の化合物半導体層23とが、基板10側からこの順に積層されてなる化合物半導体積層部20を、質量濃度が3.5wt%以上5.5wt%以下の塩酸と、過酸化水素とを含むエッチャントを用いてウェットエッチング処理し、第1の化合物半導体層21の一部が露出したメサ形状の化合物半導体積層部20を形成する。
- 公開日:2016/09/01
- 出典:量子型赤外線デバイスの製造方法及び量子型赤外線デバイス製造用のエッチャント
- 出願人:旭化成エレクトロニクス株式会社
-
化合物半導体 積層部20を平面視したときに、第1開口部31の面積はメサ上部22の面積の20%以上であり、かつ、第1開口部31と第2開口部32との最短距離Dをなす第1の方向におけるメサ上部22の長さW1は、第1の方向と平面視で直交する第2の方向におけるメサ上部22の長さL1よりも短い。
- 公開日:2016/08/18
- 出典:赤外線発光ダイオード
- 出願人:旭化成エレクトロニクス株式会社
-
PN接合部又はPIN接合部等のフォトダイオード構造を含むメサ形状の 化合物半導体 積層部20を有する受光素子と、化合物半導体積層部20の一部を覆う赤外線遮蔽部30とを備えた受光部50a、50bを同一基板10上に設け、受光部50a、50bの主入射面としての側面40a、40bを、受光部50a、50b間で非平行となるように形成する。
- 公開日:2016/04/11
- 出典:赤外線センサ装置
- 出願人:旭化成エレクトロニクス株式会社
-
図6は、第1の実施形態による 化合物半導体 チップの配置の他の例を示す上面図である。
- 公開日:2017/09/21
- 出典:半導体装置およびその製造方法
- 出願人:株式会社東芝
-
本発明の一側面は、このような事情を鑑みて為されたものであり、環境負荷を低減可能な、 化合物半導体 を洗浄する方法を提供する
- 登録日:2018/12/14
- 出典:化合物半導体を洗浄する方法、化合物半導体の洗浄用の溶液、化合物半導体デバイスを作製する方法、窒化ガリウム基板を作製する方法、窒化ガリウム基板
- 出願人:住友電気工業株式会社
-
...とも1つの機能層を有する複合体(36)を生産するための方法、または電子もしくは光電子部品(40、42、44)を生産するためにさらに使用するための方法に関する。複合体(36)は、層構造の形態であり、プレートの形態にあり少なくとも1つの平面基板表面を有する少なくとも1つの基板(34)と、少なくとも1つの 化合物半導体 、セラミック材料または金属硬質材料を含む少なくとも1つの実質的に多結晶の、または少なくとも1つの実質的に単結晶の層(38)とを備える。 方法は、− 平面基板表面の少なくとも一部を少なくとも100℃、最大で550℃の温度まで加熱するステップと、− 第1の材料源(20)からの水素と、特...
- 公開日:2017/01/05
- 出典:少なくとも1つの機能層を有する複合体を生産するための方法、または電子もしくは光電子部品をさらに生産するための方法
- 出願人:アイクサテックゲーエムベーハー
-
第3 化合物半導体 及び第4化合物半導体のそれぞれの縦光学フォノンの振動エネルギーが、GaAsの縦光学フォノンの振動エネルギーよりも大きくAlNの縦光学フォノンの振動エネルギー以下である。
- 公開日:2017/04/20
- 出典:量子カスケードレーザ
- 出願人:シャープ株式会社
-
受光素子10Aは、第1の 化合物半導体 から成り、光が入射する表面再結合防止層21、第2の化合物半導体から成る光電変換層22、及び、第3の化合物半導体から成る化合物半導体層23の積層構造20Aを有し、表面再結合防止層21は30nm以下の厚さを有する。
- 公開日:2015/08/20
- 出典:撮像装置
- 出願人:ソニー株式会社
化合物半導体の問題点 に関わる言及
化合物半導体の特徴 に関わる言及
-
気相成長方法は気相で結晶成長させる物質またはその原料を搬送し、シード結晶上等に結晶を成長させる。各結晶成長方法は、それぞれの特徴を有する。以下、 化合物半導体 の結晶成長を例にとって説明する。
- 公開日: 1999/03/23
- 出典: 結晶成長方法および装置
- 出願人: スタンレー電気株式会社
-
化合物半導体 基板は、さらに、化合物半導体発光層上に形成された化合物半導体被覆層を備えていても良い。この場合には、化合物半導体被覆層が電子線入射表面を有する。ただし、化合物半導体被覆層はなくても良い。この場合には、化合物半導体発光層が電子線入射表面を有する。
- 公開日: 2009/04/16
- 出典: 蛍光体
- 出願人: 浜松ホトニクス株式会社
-
化合物半導体 により構成された発光層部上に透明導電性酸化物層が形成されている発光素子において、透明導電性酸化物層と発光層部との間で電流の導通を良好に行うことができる発光素子とその製造方法を提供する。
- 公開日: 2004/05/20
- 出典: 発光素子及びその製造方法
- 出願人: 信越半導体株式会社
化合物半導体の使用状況 に関わる言及
注目されているキーワード
関連する分野分野動向を把握したい方
( 分野番号表示 ON )※整理標準化データをもとに当社作成
-
気相成長(金属層を除く)
- 成長法
- 成長層の組成
- 導入ガス
- 成長条件(1)成膜温度T 請求項+実施例に記載されている成膜温度を全て付与する(除く従来例)
- 成長条件(2)成膜時の圧力P 請求項+実施例に記載されている成膜時の圧力を全て付与する(除く従来例)
- 被成膜面の組成・基板の特徴・ダミー基板・マスク
- 目的
- 半導体素子等への用途
- 機能的用途
- 半導体成長層の構造
- 半導体層の選択成長
- 絶縁体成長層の構造・絶縁体層の選択成長
- 装置の形式(1)基板支持の形態・成膜中の基板の運動 図面+詳細な説明に例示されている形式をすべて付与する(除く従来例)
- 装置の形式(2)成膜室の形態 図面+詳細な説明に例示されている形式をすべて付与する(除く従来例)
- 成膜一般
- 成膜室・配管構造・配管方法
- ガス供給・圧力制御
- ノズル・整流・遮蔽・排気口
- 排気・排気制御・廃ガス処理
- プラズマ処理・プラズマ制御
- 冷却
- 加熱(照射)・温度制御
- 基板支持
- 搬出入口・蓋・搬送・搬出入
- 測定・測定結果に基づく制御・制御一般
- 機械加工プロセスとの組み合わせ
- 他プロセスとの組合せ
-
半導体レーザ
- 半導体レーザの構造(垂直共振器を除く)−(1)
- 半導体レーザの構造(垂直共振器を除く)−(2)
- 垂直共振器を有するレーザの構造
- モノリシックな集積(同じ成長基板上に複数の素子を備えたもの)
- 半導体の積層方向の構造−1
- 半導体の積層方向の構造−2
- 活性層の材料系−基板材料
- 不純物に特徴があるもの
- 電極構造・材料に特徴があるもの
- 被覆構造・材料に特徴があるもの
- 製造方法1
- 製造方法2
- 課題・目的
- レーザ動作のタイプ
- モジュール・パッケージの用途
- モジュール・パッケージのタイプ(典型的なタイプを抽出)
- マウント・モジュール・パッケージにおける目的
- LDチップのマウント
- パッケージ・光モジュールの構成
- 発明の特徴となっている組合せ光学要素(LDチップ外)
- 駆動におけるレーザーのタイプ
- 用途(駆動)
- 駆動において特徴となる目的
- 安定化制御(主に検知・帰還制御)
- 駆動制御
- 異常対策
- 回路構成に特徴があるもの
- 被試験・被検査形状
- 試験・検査する項目
- 試験・検査において特徴と認められる点
- 試験・検査の内容
-
結晶、結晶のための後処理
- 目的・対象とする結晶の形態
- 結晶自体の特徴(クレーム)
- 材料1(元素状、合金)
- 材料2(酸化物)
- 材料3(複合酸化物)
- 材料4(酸素酸塩)
- 材料5(〜化物)
- 材料6(有機物)
- 固相成長
- 液相成長1(常温で液体の溶媒を使用する)
- 液相成長2(溶融溶媒を使用するもの)CG優先
- 液相成長3(融液の凝固によるもの)
- 液相成長4(ゾーンメルティング)
- 液相成長5(融液からの引き出し)
- 液相成長6(液相エピタキシャル)
- 気相成長1(蒸着、昇華)
- 気相成長2(CVD)
- 結晶成長共通1(成長条件の制御)固相成長を除く
- 結晶成長共通2(不純物のドーピング)
- 結晶成長共通3(原料の調製、原料組成)
- 結晶成長共通4(種結晶、基板)
- 結晶成長共通5(成長前の基板の処理、保護)
- 結晶成長共通6(基板への多層成長)
- 結晶成長共通7(装置、治具)
- 結晶成長共通8(検知、制御)
- 結晶成長共通9(特定の成長環境の付加)
- 後処理1(拡散源、その配置)
- 後処理2(後処理のための基板表面の前処理)
- 後処理3(気相からのドーピング)
- 後処理4(電磁波、粒子線照射によるドーピング)
- 後処理5(加熱、冷却処理)
- 後処理6(結晶の接合)
- 後処理7(エッチング、機械加工)
- 後処理8(電場、磁場、エネルギー線の利用)
- 後処理9(その他)
- 後処理10(装置、治具の特徴)
- 結晶の物理的、化学的性質等の評価、決定
- 用途
- 固相からの直接単結晶成長
- 単結晶成長プロセス・装置
- 圧力を加えるもの 例、水熱法
- 塩溶媒を用いるもの 例、フラックス成長
- るつぼ、容器またはその支持体
- ノ−マルフリ−ジングまたは温度勾配凝固
- ゾ−ンメルティングによる単結晶成長、精製
- 溶媒を用いるもの
- るつぼ、容器またはその支持体
- 誘導による溶融ゾ−ンの加熱
- 電磁波による加熱(集光加熱等)
- 制御または調整
- 材料またはヒ−タ−の移動機構、保持具
- 融液からの引出し(保護流体下も含む)
- 結晶化物質(原料)、反応剤の充填、添加
- 引出し方向に特徴
- 融液を入れるるつぼ、容器またはその支持体
- 融液、封止剤または結晶化した物質の加熱
- 制御または調整
- 融液、封止剤、結晶の回転、移動機構
- 種結晶保持器
- 種結晶
- 縁部限定薄膜結晶成長
- 液相エピタキシャル成長
- 特殊な物理的条件下での単結晶成長
- PVD
- イオン化蒸気の凝縮
- 分子線エピタキシャル法
- CVD
- エピタキシャル成長法、装置
- 製造工程
- 反応室
- 反応室または基板の加熱
- 基板保持体またはサセプタ
- 基板とガス流との関係
- ガスの供給・排出手段;反応ガス流の調節
- 制御または調節
- 基板
- 特殊な物理的条件下での単結晶成長