劈開 の意味・用法を知る
劈開 とは、半導体レーザ やダイシング などの分野において活用されるキーワードであり、三星ダイヤモンド工業株式会社 や三菱電機株式会社 などが関連する技術を11,847件開発しています。
このページでは、 劈開 を含む技術文献に基づき、その意味・用法のみならず、活用される分野や市場、法人・人物などを網羅的に把握することができます。
劈開の意味・用法
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劈開 ステップ向けに準備する際に透明基板を内部加工する方法を提供する。
- 公開日：2017/10/12
- 出典：レーザーフィラメント形成による材料加工方法
- 出願人：ロフィン−シナールテクノロジーズエルエルシー
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基板の上に活性層を有する半導体積層体が形成されたウェハを準備する工程と、半導体積層体に、Ｘ方向に延伸するリッジと、リッジから離間し、Ｘ方向と交差するＹ方向に延伸する複数の第１凹部と、第１凹部よりもリッジに接近して配置される複数の第２凹部と、を形成する工程と、ウェハを、複数の第１凹部に沿って 劈開 することで光出射面を形成する劈開工程と、を備える半導体レーザ素子の製造方法であって、第２凹部は、光出射面の近傍に位置するように形成し、第２凹部のＹ方向の長さをＬ、第２凹部の、Ｙ方向における座標であるＹ座標が第１凹部と一致する部分のＹ方向の長さをＬａ（０＜Ｌａ）としたときに、Ｌａ＜（Ｌ−Ｌａ）の関係を満...
- 公開日：2017/02/09
- 出典：半導体レーザ素子の製造方法
- 出願人：日亜化学工業株式会社
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劈開 ／切断（ダイシング）工程を行う装置または基板（６）を準備するにあたり、劈開線に沿って深い損傷領域（８，１１）を形成する。
- 公開日：2017/12/07
- 出典：スパイク状の損傷構造を形成して基板を劈開または切断するレーザー加工方法
- 出願人：エバナテクノロジーズユーエービー
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一般式ＲＡＭＯ４で表される単結晶体（一般式において、Ｒは、Ｓｃ、Ｉｎ、Ｙ、およびランタノイド系元素からなる群から選択される一つまたは複数の三価の元素を表し、Ａは、Ｆｅ（ＩＩＩ）、Ｇａ、およびＡｌからなる群から選択される一つまたは複数の三価の元素を表し、Ｍは、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｆｅ（ＩＩ）、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｚｎ、およびＣｄからなる群から選択される一つまたは複数の二価の元素を表す）からなり、側部に切り欠きを有するＲＡＭＯ４基板を準備する工程と、前記ＲＡＭＯ４基板上にＩＩＩ族窒化物結晶を成長させる工程と、前記切り欠きを起点に前記ＲＡＭＯ４基板を 劈開 させる工程と、を有する、ＩＩＩ族窒化物結晶製造方法。
- 公開日：2017/10/05
- 出典：ＩＩＩ族窒化物結晶製造方法及びＲＡＭＯ４基板
- 出願人：パナソニックＩＰマネジメント株式会社
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図５に示されるように、従来のＳｃＡｌＭｇＯ４基板は、ＳｃＡｌＭｇＯ４バルク材料を 劈開 することにより製造されていた。
- 公開日：2017/10/05
- 出典：ＲＡＭＯ４基板
- 出願人：パナソニックＩＰマネジメント株式会社
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...イド系元素からなる群から選択される一つまたは複数の三価の元素を表し、Ａは、Ｆｅ（III）、Ｇａ、およびＡｌからなる群から選択される一つまたは複数の三価の元素を表し、Ｍは、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｆｅ（II）、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｚｎ、およびＣｄからなる群から選択される一つまたは複数の二価の元素を表す）を（０００１）面で 劈開 し、ＲＡＭＯ４板状体を準備する劈開工程と、前記ＲＡＭＯ４板状体に高さ５００ｎｍ以上の凹凸を形成する粗凹凸形成工程と、前記高さ５００ｎｍ以上の凹凸を研磨して、高さ５００ｎｍ未満の凹凸を形成する微少凹凸形成工程と、を含む、ＲＡＭＯ４基板の製造方法。
- 公開日：2017/08/31
- 出典：ＲＡＭＯ４基板およびその製造方法
- 出願人：パナソニックＩＰマネジメント株式会社
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...イド系元素からなる群から選択される一つまたは複数の三価の元素を表し、Ａは、Ｆｅ（III）、Ｇａ、およびＡｌからなる群から選択される一つまたは複数の三価の元素を表し、Ｍは、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｆｅ（II）、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｚｎ、およびＣｄからなる群から選択される一つまたは複数の二価の元素を表す）を（０００１）面で 劈開 して、ＲＡＭＯ４板状体を準備する劈開工程と、前記ＲＡＭＯ４板状体に高さ５００ｎｍ以上の凹凸を形成する凹凸形成工程と、前記高さ５００ｎｍ以上の凹凸を研磨して、規則性を持って分布する、互いに分離した複数の劈開面を形成する劈開面形成工程と、を含む、ＲＡＭＯ４基板の製造方法。
- 公開日：2017/08/31
- 出典：ＲＡＭＯ４基板およびその製造方法
- 出願人：パナソニックＩＰマネジメント株式会社
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第１ウェハと第２ウェハとを含む結合ウェハ構造体を 劈開 させるための装置であって、前記第１ウェハは、第１部分を含む周辺端面を有し、前記第２ウェハは、第２部分を含む周辺端面を有し、前記第１部分は、前記第２部分と対向して配置され、当該装置は、第１アームと、前記第１アームに設けられ、前記第１ウェハの周辺端面の第１部分に接触する表面を有する第１クランプと、第２アームと、前記第２アームに設けられ、前記第２ウェハの周辺端面の第２部分に接触する表面を有する第２クランプと、を備える装置。
- 登録日：2017/06/30
- 出典：結合ウェハ構造体を劈開させるための固定装置及び劈開方法
- 出願人：サンエジソン・インコーポレイテッド
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レーザービームパラメータは、フィラメントの長さ及び位置を調節し、且つV字チャネル又は溝を任意に導入して、レーザー 劈開 された縁部にベベルを提供するために変動させることができる。
- 公開日：2013/09/19
- 出典：レーザーフィラメント形成による材料加工方法
- 出願人：ロフィン−シナールテクノロジーズエルエルシー
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所望の 劈開 線からの劈開のずれを低減することができる半導体装置の製造方法を得る。
- 公開日：2013/06/17
- 出典：半導体装置の製造方法
- 出願人：三菱電機株式会社
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半導体レーザ
- 半導体レーザの構造（垂直共振器を除く）−（１）
- 半導体レーザの構造（垂直共振器を除く）−（２）
- 垂直共振器を有するレーザの構造
- モノリシックな集積（同じ成長基板上に複数の素子を備えたもの）
- 半導体の積層方向の構造−１
- 半導体の積層方向の構造−２
- 活性層の材料系−基板材料
- 不純物に特徴があるもの
- 電極構造・材料に特徴があるもの
- 被覆構造・材料に特徴があるもの
- 製造方法１
- 製造方法２
- 課題・目的
- レーザ動作のタイプ
- モジュール・パッケージの用途
- モジュール・パッケージのタイプ（典型的なタイプを抽出）
- マウント・モジュール・パッケージにおける目的
- ＬＤチップのマウント
- パッケージ・光モジュールの構成
- 発明の特徴となっている組合せ光学要素（ＬＤチップ外）
- 駆動におけるレーザーのタイプ
- 用途（駆動）
- 駆動において特徴となる目的
- 安定化制御（主に検知・帰還制御）
- 駆動制御
- 異常対策
- 回路構成に特徴があるもの
- 被試験・被検査形状
- 試験・検査する項目
- 試験・検査において特徴と認められる点
- 試験・検査の内容
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結晶、結晶のための後処理
- 目的・対象とする結晶の形態
- 結晶自体の特徴（クレーム）
- 材料１（元素状、合金）
- 材料２（酸化物）
- 材料３（複合酸化物）
- 材料４（酸素酸塩）
- 材料５（〜化物）
- 材料６（有機物）
- 固相成長
- 液相成長１（常温で液体の溶媒を使用する）
- 液相成長２（溶融溶媒を使用するもの）ＣＧ優先
- 液相成長３（融液の凝固によるもの）
- 液相成長４（ゾーンメルティング）
- 液相成長５（融液からの引き出し）
- 液相成長６（液相エピタキシャル）
- 気相成長１（蒸着、昇華）
- 気相成長２（ＣＶＤ）
- 結晶成長共通１（成長条件の制御）固相成長を除く
- 結晶成長共通２（不純物のドーピング）
- 結晶成長共通３（原料の調製、原料組成）
- 結晶成長共通４（種結晶、基板）
- 結晶成長共通５（成長前の基板の処理、保護）
- 結晶成長共通６（基板への多層成長）
- 結晶成長共通７（装置、治具）
- 結晶成長共通８（検知、制御）
- 結晶成長共通９（特定の成長環境の付加）
- 後処理１（拡散源、その配置）
- 後処理２（後処理のための基板表面の前処理）
- 後処理３（気相からのドーピング）
- 後処理４（電磁波、粒子線照射によるドーピング）
- 後処理５（加熱、冷却処理）
- 後処理６（結晶の接合）
- 後処理７（エッチング、機械加工）
- 後処理８（電場、磁場、エネルギー線の利用）
- 後処理９（その他）
- 後処理１０（装置、治具の特徴）
- 結晶の物理的、化学的性質等の評価、決定
- 用途
- 固相からの直接単結晶成長
- 単結晶成長プロセス・装置
- 圧力を加えるもの 例、水熱法
- 塩溶媒を用いるもの 例、フラックス成長
- るつぼ、容器またはその支持体
- ノ−マルフリ−ジングまたは温度勾配凝固
- ゾ−ンメルティングによる単結晶成長、精製
- 溶媒を用いるもの
- るつぼ、容器またはその支持体
- 誘導による溶融ゾ−ンの加熱
- 電磁波による加熱（集光加熱等）
- 制御または調整
- 材料またはヒ−タ−の移動機構、保持具
- 融液からの引出し（保護流体下も含む）
- 結晶化物質（原料）、反応剤の充填、添加
- 引出し方向に特徴
- 融液を入れるるつぼ、容器またはその支持体
- 融液、封止剤または結晶化した物質の加熱
- 制御または調整
- 融液、封止剤、結晶の回転、移動機構
- 種結晶保持器
- 種結晶
- 縁部限定薄膜結晶成長
- 液相エピタキシャル成長
- 特殊な物理的条件下での単結晶成長
- ＰＶＤ
- イオン化蒸気の凝縮
- 分子線エピタキシャル法
- ＣＶＤ
- エピタキシャル成長法、装置
- 製造工程
- 反応室
- 反応室または基板の加熱
- 基板保持体またはサセプタ
- 基板とガス流との関係
- ガスの供給・排出手段；反応ガス流の調節
- 制御または調節
- 基板
- 特殊な物理的条件下での単結晶成長
