分圧 の意味・用法を知る
分圧 とは、気相成長(金属層を除く) や電流・電圧の測定 などの分野において活用されるキーワードであり、パナソニック株式会社 や株式会社東芝 などが関連する技術を6,483件開発しています。
このページでは、 分圧 を含む技術文献に基づき、その意味・用法のみならず、活用される分野や市場、法人・人物などを網羅的に把握することができます。
分圧の意味・用法
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電源装置1は、直流電源10が出力する直流電圧を交流電圧に変換するインバータ回路40と、インバータ回路40が出力する交流電圧を整流して直流電圧を得る整流回路60と、直流電源10が出力する直流電圧を 分圧 する第1分圧回路30と、整流回路60が出力する直流電圧を分圧する分圧回路であり、その分圧点が第1分圧回路30の分圧点Pに接続されている第2分圧回路70と、第1分圧回路30の分圧点Pの電圧に基づいて、インバータ回路40が出力する交流電圧が定格電圧Vrに維持されるように直流電源10が出力する直流電圧を制御する電圧制御回路20と、を備える。
- 公開日:2017/12/07
- 出典:電源装置
- 出願人:FDK株式会社
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音楽再生装置1は、Lチャンネルのアナログ音声信号用の可変抵抗VR1と、Rチャンネルのアナログ音声信号用の可変抵抗VR2と、可変抵抗VR3と、を有する一軸三連ポテンショメータ4と、可変抵抗VR1と、可変抵抗VR2と、可変抵抗VR3と、に所定電位の電圧を与えた場合の、可変抵抗VR1による 分圧 値と、可変抵抗VR2による分圧値と、可変抵抗VR3による分圧値と、を対応付けて記憶するROMと、ROMに記憶されている、一軸三連ポテンショメータ4の回転角度を示す可変抵抗VR3による分圧値に対応した、可変抵抗VR1による分圧値と可変抵抗VR2による分圧値との比率に基づいて、DAC3を制御するマイクロコンピュータ...
- 公開日:2017/09/21
- 出典:音量調整装置
- 出願人:オンキヨー株式会社
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本発明は、プラズマによるコーティングプロセスで反応性ガス消費量を判定する方法に関するものであり、次の各ステップを有している:a)コーティング室に反応性ガスが取り込まれ、相応の反応性ガス流が測定されると同時に、プラズマを点火することなく、コーティング室内で生じている 分圧 が測定され、b)コーティング室に反応性ガスが取り込まれ、相応の反応性ガス流が測定されると同時に、コーティング室内で生じている分圧が測定され、その際にはプラズマが点火される、そのような方法において、−ステップa)およびb)が複数の異なる反応性ガス流で実施され、そのようにして反応性ガス流・分圧依存性をプラズマがあるときでもプラズマがな...
- 公開日:2015/09/07
- 出典:高出力インパルスコーティング方法
- 出願人:エリコン・サーフェス・ソリューションズ・アクチェンゲゼルシャフト,プフェフィコーン
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1又は複数のLED11を有する光源12と、光源12の種類ごとに抵抗値が異なる識別抵抗13とを具備した光照射装置10に接続される電源装置20において、識別抵抗13に直列に接続される 分圧 抵抗231を有した識別抵抗判別回路23と、分圧抵抗231に印加される分圧を測定するとともに、この分圧値に基づいて光源12の種類を判別し、その種類に応じて光源12への電力を制御する制御部24とを具備し、識別抵抗判別回路23が、抵抗値の互いに異なる複数の分圧抵抗231を備え、識別抵抗13に接続される分圧抵抗231を切替可能に構成する。
- 公開日:2017/01/26
- 出典:電源装置及びこれを備えた光照射システム
- 出願人:シーシーエス株式会社
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...ED用電源装置100は、電源電圧を整流する整流回路200と、整流出力電圧から出力電流をLED50に供給するDC/DCコンバータ300と、所定端子電圧の増加に対して出力電流を増加させるドライバ回路600と、出力電流が目標値に一致するように所定端子電圧を決定するフィードバック回路700と、整流出力電圧の 分圧 値を相対的に低い分圧比及び大きい時定数で基準値として取得する基準値取得回路Rf、整流出力電圧の分圧値を相対的に高い分圧比及び小さい時定数で検出値として取得する検出値取得回路Dt、検出値が基準値未満となる場合に所定論理を出力する比較回路Cp並びに所定論理出力に応じて所定端子電圧を低下させる放電回路...
- 公開日:2017/08/17
- 出典:LED用電源装置及びLED照明装置
- 出願人:岩崎電気株式会社
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また、雰囲気ガス中における水素の割合は、 分圧 比で40%以上であることが好ましい。
- 公開日:2016/10/20
- 出典:金属材料の熱処理方法および改質炉
- 出願人:大同特殊鋼株式会社
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真空雰囲気中に酸素ガスを含有させ、金属材料を加熱して蒸気を放出させ、被処理対象基材10上に光学薄膜11を形成する際に、予め求めておいた光学薄膜11の光学特性と酸素ガスの流量や酸素の 分圧 値との関係から、所望の光学特性を得るための流量値又は分圧値と膜厚値とを求め、求めた流量値又は分圧値で、求めた膜厚値の光学薄膜11を形成する。
- 公開日:2018/02/22
- 出典:光学薄膜製造方法、光学フィルム製造方法
- 出願人:株式会社アルバック
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画像読取装置は、CCDと、AFE回路と、を備え、カバー部材の閉鎖の検出に応じて原稿載置面に載置される原稿の画像を読み取る第1読取処理を実行し(ステップS12)、読み取られた画像データのサイズが特定サイズと一致し(ステップS13のYes)、読み取られた画像データが特定画像を含む場合に(ステップS14のYes)、CCDから出力されるアナログ信号を予め定められた 分圧 比で分圧して(ステップS15)、AFE回路から出力される画像データの画素の濃度を前記分圧比に応じて補正する(ステップS18)。
- 公開日:2018/04/05
- 出典:画像読取装置、画像形成装置、画像読取方法
- 出願人:京セラドキュメントソリューションズ株式会社
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...加熱部の加熱温度より低い温度の基体が置かれた反応室と、を備え、蓄積機構に蓄積された第1の原料ガスと第2の原料ガスを瞬間加熱部に通して、第1のガス分子種と第2のガス分子種とを生成させ、その第1のガス分子種と第2のガス分子種とを基体が置かれ減圧された一定容量の反応室に突出させて供給して第1のガス分子種の 分圧 と第2のガス分子種の分圧とを急激に上昇させ、基体の表面に第1のガス分子種あるいは第2のガス分子種を交互に繰り返し導いて第1のガス分子種あるいは第2のガス分子種を反応させて、基体の表面に化合物膜を形成させる。
- 公開日:2017/11/24
- 出典:膜形成方法
- 出願人:株式会社フィルテック
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前記電流生成部は、前記少なくとも一つの発光素子のアノード電圧を 分圧 する分圧部を有し、前記検出部の検出結果に応じて前記分圧部の分圧比と前記充電部の静電容量とを切り替えることを特徴とする請求項2に記載の発光素子駆動装置。
- 公開日:2016/05/16
- 出典:発光素子駆動装置、発光素子駆動回路、発光装置、車両
- 出願人:ローム株式会社
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気相成長(金属層を除く)
- 成長法
- 成長層の組成
- 導入ガス
- 成長条件(1)成膜温度T 請求項+実施例に記載されている成膜温度を全て付与する(除く従来例)
- 成長条件(2)成膜時の圧力P 請求項+実施例に記載されている成膜時の圧力を全て付与する(除く従来例)
- 被成膜面の組成・基板の特徴・ダミー基板・マスク
- 目的
- 半導体素子等への用途
- 機能的用途
- 半導体成長層の構造
- 半導体層の選択成長
- 絶縁体成長層の構造・絶縁体層の選択成長
- 装置の形式(1)基板支持の形態・成膜中の基板の運動 図面+詳細な説明に例示されている形式をすべて付与する(除く従来例)
- 装置の形式(2)成膜室の形態 図面+詳細な説明に例示されている形式をすべて付与する(除く従来例)
- 成膜一般
- 成膜室・配管構造・配管方法
- ガス供給・圧力制御
- ノズル・整流・遮蔽・排気口
- 排気・排気制御・廃ガス処理
- プラズマ処理・プラズマ制御
- 冷却
- 加熱(照射)・温度制御
- 基板支持
- 搬出入口・蓋・搬送・搬出入
- 測定・測定結果に基づく制御・制御一般
- 機械加工プロセスとの組み合わせ
- 他プロセスとの組合せ
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結晶、結晶のための後処理
- 目的・対象とする結晶の形態
- 結晶自体の特徴(クレーム)
- 材料1(元素状、合金)
- 材料2(酸化物)
- 材料3(複合酸化物)
- 材料4(酸素酸塩)
- 材料5(〜化物)
- 材料6(有機物)
- 固相成長
- 液相成長1(常温で液体の溶媒を使用する)
- 液相成長2(溶融溶媒を使用するもの)CG優先
- 液相成長3(融液の凝固によるもの)
- 液相成長4(ゾーンメルティング)
- 液相成長5(融液からの引き出し)
- 液相成長6(液相エピタキシャル)
- 気相成長1(蒸着、昇華)
- 気相成長2(CVD)
- 結晶成長共通1(成長条件の制御)固相成長を除く
- 結晶成長共通2(不純物のドーピング)
- 結晶成長共通3(原料の調製、原料組成)
- 結晶成長共通4(種結晶、基板)
- 結晶成長共通5(成長前の基板の処理、保護)
- 結晶成長共通6(基板への多層成長)
- 結晶成長共通7(装置、治具)
- 結晶成長共通8(検知、制御)
- 結晶成長共通9(特定の成長環境の付加)
- 後処理1(拡散源、その配置)
- 後処理2(後処理のための基板表面の前処理)
- 後処理3(気相からのドーピング)
- 後処理4(電磁波、粒子線照射によるドーピング)
- 後処理5(加熱、冷却処理)
- 後処理6(結晶の接合)
- 後処理7(エッチング、機械加工)
- 後処理8(電場、磁場、エネルギー線の利用)
- 後処理9(その他)
- 後処理10(装置、治具の特徴)
- 結晶の物理的、化学的性質等の評価、決定
- 用途
- 固相からの直接単結晶成長
- 単結晶成長プロセス・装置
- 圧力を加えるもの 例、水熱法
- 塩溶媒を用いるもの 例、フラックス成長
- るつぼ、容器またはその支持体
- ノ−マルフリ−ジングまたは温度勾配凝固
- ゾ−ンメルティングによる単結晶成長、精製
- 溶媒を用いるもの
- るつぼ、容器またはその支持体
- 誘導による溶融ゾ−ンの加熱
- 電磁波による加熱(集光加熱等)
- 制御または調整
- 材料またはヒ−タ−の移動機構、保持具
- 融液からの引出し(保護流体下も含む)
- 結晶化物質(原料)、反応剤の充填、添加
- 引出し方向に特徴
- 融液を入れるるつぼ、容器またはその支持体
- 融液、封止剤または結晶化した物質の加熱
- 制御または調整
- 融液、封止剤、結晶の回転、移動機構
- 種結晶保持器
- 種結晶
- 縁部限定薄膜結晶成長
- 液相エピタキシャル成長
- 特殊な物理的条件下での単結晶成長
- PVD
- イオン化蒸気の凝縮
- 分子線エピタキシャル法
- CVD
- エピタキシャル成長法、装置
- 製造工程
- 反応室
- 反応室または基板の加熱
- 基板保持体またはサセプタ
- 基板とガス流との関係
- ガスの供給・排出手段;反応ガス流の調節
- 制御または調節
- 基板
- 特殊な物理的条件下での単結晶成長