光化学反応 の意味・用法を知る
光化学反応 とは、物理的、化学的プロセスおよび装置 や有機低分子化合物及びその製造 などの分野において活用されるキーワードであり、大陽日酸株式会社 や東日本電信電話株式会社 などが関連する技術を8,085件開発しています。
このページでは、 光化学反応 を含む技術文献に基づき、その意味・用法のみならず、活用される分野や市場、法人・人物などを網羅的に把握することができます。
光化学反応の意味・用法
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この光拡散要素は、光をその表面に出力して、その表面を殺菌する 光化学反応 を促進する。
- 公開日：2017/01/26
- 出典：抗菌光伝送装置および表面を殺菌する方法
- 出願人：コーニングインコーポレイティッド
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大気下での 光化学反応 の進行を可能とする光化学反応装置を提供する。
- 公開日：2017/03/02
- 出典：光化学反応装置、その製造方法および光化学反応方法
- 出願人：国立大学法人名古屋工業大学
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本発明の課題は、光透過性材料からなる隔壁を介した 光化学反応 において、光透過性材料に損傷が生じた場合にも、光源の性能低下を回避するとともに、反応液が可燃性液体であっても確実に着火を防止できるようにした光化学反応装置と、それを用いた光化学反応方法及びその方法を用いたラクタムの製造方法を提供する
- 公開日：2017/04/27
- 出典：光化学反応装置及びそれを用いた光化学反応方法とその方法を用いたラクタムの製造方法
- 出願人：東レ株式会社
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光反応効率の高いＣＯ２分解技術を有する 光化学反応 システムを提供する。
- 公開日：2017/04/20
- 出典：光化学反応システム
- 出願人：株式会社東芝
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本発明は、金属ミラーの表面におけるレーザ光の光反射率を向上させて、 光化学反応 におけるレーザ光の利用効率を高めることの可能な金属ミラーの表面の改質方法を提供することを課題とする。
- 公開日：2012/11/15
- 出典：金属ミラーの表面の改質方法
- 出願人：大陽日酸株式会社
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本発明は、 光化学反応 におけるレーザ光の利用効率を高めることの可能な光化学反応装置、及び光化学反応装置を用いた同位体濃縮方法を提供することを課題とする。
- 公開日：2012/09/10
- 出典：光化学反応装置、及び光化学反応装置を用いた同位体濃縮方法
- 出願人：大陽日酸株式会社
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原料ガスに、原料ガスの解離エネルギーよりも大きいエネルギーの近接場光を照射することにより、当該原料ガスを 光化学反応 により分解させ、その分解生成物を基材上に堆積させて所定のパターンを形成する。
- 公開日：2003/01/15
- 出典：パターニング方法
- 出願人：独立行政法人科学技術振興機構
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光化学反応 を紫外線を照射することにより行なう化石燃料の脱メタル方法。
- 公開日：2001/06/26
- 出典：化石燃料の脱メタル方法
- 出願人：大阪大学長
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単位表面積あたりの触媒活性が高く、かつ熱処理に対して極めて安定な 光化学反応 用チタン化合物を提供する。
- 公開日：1998/09/02
- 出典：光化学反応用チタン化合物およびその製造方法
- 出願人：株式会社村田製作所
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無機配向膜での水分の吸着、 光化学反応 、および欠陥の発生を抑制ことのできる液晶装置、液晶装置の製造方法、および電子機器を提供すること。
- 公開日：2020/03/26
- 出典：液晶装置、液晶装置の製造方法、および電子機器
- 出願人：セイコーエプソン株式会社
光化学反応の問題点 に関わる言及
光化学反応の特徴 に関わる言及
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反応効率、エネルギー効率、メンテナンス性に優れ、かつ、所望の 光化学反応 を生じさせるうえで最適となる反応環境を容易に設定できるフロー式光化学反応装置を提供すること。
- 公開日： 2007/03/29
- 出典： フロー式光化学反応装置およびそれを用いた光化学反応生成物質の製造方法
- 出願人： 公立大学法人大阪府立大学
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これは、軸選択的な 光化学反応 であり、直線偏光照射を行うと、その偏光軸に平行な遷移モーメントを持つ光反応性分子が選択的に構造変化を起こし、且つ、直線偏光における照射偏光軸に対して平行でない遷移モーメントを持つ光反応性分子の光吸収の度合いが、偏光軸とその遷移モーメントがなす角度の大小に依存することである。
- 公開日： 2000/08/15
- 出典： 高分子膜の光学的異方性発現方法、リオトロピック液晶の配向方法、配向色素膜、及び、配向色素膜の製造方法
- 出願人： 大日本印刷株式会社
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有機低分子化合物及びその製造
- 発明の種類
- 用途
- 反応
- 精製；分離；安定化；その他の物理的処理
- 反応の促進・抑制（反応工学的手法によるもの→ＢＤ）
- 反応媒体、分離・精製・回収用溶媒
- 反応パラメ−タ−
- 反応工学的手法
- 反応試剤（触媒として明らかなもの→ＢＡ０１〜８５）
- 炭素環構造
- ハロゲン
- ＯＨ，ＯＭ
- エ−テル，アセタ−ル，ケタ−ル，オルトエステル
- アルデヒド
- ケトン，キノン
- カルボン酸，その塩，ハライド，無水物
- エステル（ＣＯ７Ｃ２１３／〜２２５／、２２７／〜２２９／、２３１／〜２３７ のいずれかが付与されている場合に、付与している）
- ニトロ、ニトロソ、アミン（ＣＯ７Ｃ２１３／〜２２５／、２２７／〜２２９／、２３１／〜２３７／のいずれかが付与されている場合に付与している）
- カルボン酸アミド（Ｃ０７Ｃ２３１／〜２３７／のいずれかが付与されている場合に、付与している）
- オキシム
- 同位元素の種類（Ｃ０７Ｂ５９／００が付与されている場合に、付与している）
- ゼオライト、アルミノシリケ−ト；イオン交換樹脂（Ｃ０７１／〜１５，２７／〜３９／ のいずれかが付与されている場合に、付与している）
- ハロゲン化炭化水素（Ｃ０７Ｃ１９／〜２５／ のいずれかが付与されている場合に、付与している）
- 安定化剤（混合物は各成分にタ−ム付与）（Ｃ０７Ｃ１７／〜２５／のいずれかが付与されている場合に、付与している）
- 炭素骨格（Ｃ０７Ｃ２７／〜３９／のいずれかが付与されている場合に、付与している）
- 官能基（Ｃ０７Ｃ２７／〜３９／のいずれかが付与されている場合に、付与している）
- アルコ−ル（Ｃ０７Ｃ２７／〜３９／ のいずれかが付与されている場合に、付与している）
- 製法（Ｃ０７Ｃ４１／〜４３／のいずれかが付与されている場合に、付与している）
- 目的化合物（Ｃ０７Ｃ４１／〜４３／のいずれかが付与されている場合に、付与している）
- エステルの製法（Ｃ０７Ｃ６７／〜６９／のいずれかが付与されている場合に、付与している）
- 酸部分が種々の場合をとり得るエステル
- アルコ−ル部分が非環式炭素原子に結合している不飽和アルコールであるもの（Ｃ０７Ｃ６９／０２５ のいずれかが付与されている場合に、付与している）
- アクリル酸またはメタクリル酸のエステル
- 酸素含有置換基を有するカルボン酸のエステル（Ｃ０７Ｃ６９／６６〜６９／７３８ のいずれかが付与されている場合に、付与している）
- アミノカルボン酸（Ｃ０７Ｃ２２７／２２９のいずれかが付与されている場合に、付与している）
- ニトリルの製法（Ｃ０７Ｃ２５３／〜２５５／、２６１／０２ のいずれかが付与されている場合に、付与している）
- カルバミン酸エステルの構造
- カルバミン酸エステルの製造
- 対象化合物の種類（Ｃ０７Ｃ３１３／〜３２３／ のいずれかが付与されている場合に、付与している）
- −ＳＯｎ−含有特定部分構造（Ｃ０７Ｃ３１３／〜３２３／ のいずれかが付与されている場合に、付与している）
- −ＳＯｎ−不含特定部分構造（Ｃ０７Ｃ３１３／〜３２３／ のいずれかが付与されている場合に、付与している）
- チオ誘導体のもつ官能基（Ｃ０７Ｃ３２５／〜３８１／ のいずれかが付与されている場合に、付与している）
- ビタミンＤ系化合物（Ｃ０７Ｃ４０１／ のいずれかが付与されている場合は、付与している）
- Ｃ≧４不飽和側鎖をもつシクロヘキサン、シクロヘキセン
- プロスタグランジン系化合物（Ｃ０７Ｃ４０５／ のいずれかが付与されている場合に、付与している）
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触媒
- 技術主題
- 成分Ｉ特定物質
- 成分ＩＩ無機物質
- 成分ＩＩＩ金属元素
- 成分ＩＶ非金属元素
- 成分Ｖ有機物質及び配位子
- 使用対象反応Ｉ環境保全関連
- 使用対象反応ＩＩ化学合成用（Ｃ１化学除く）
- 使用対象反応ＩＩＩエネルギーと化学原料関連
- 使用対象反応ＩＶその他
- 使用形態
- 構造及び物性Ｉ‐Ｉ外形（それ自体）
- 構造及び物性Ｉ‐ＩＩ外形に関する他の特徴
- 構造及び物性ＩＩ微細構造
- 構造及び物性ＩＩＩ 物性
- 構造及び物性ＩＶ その他
- 調製及び活性化Ｉ 目的
- 調製及び活性化ＩＩ プロセス
- 調製及び活性化ＩＩＩ材料及び条件（クレーム）
- 再生または再活性化
- 光触媒の技術主題
- 光触媒の成分
- 光触媒の活性化
- 光触媒の調製
- 光触媒の使用対象
- その他
- ゼオライト及びモレキュラーシーブ（ＭＳ）
- ゼオライト及びＭＳの合成
- ゼオライト及びＭＳ触媒の特定（クレームのみ）
- ゼオライト及びＭＳ触媒の処理・修飾
- 処理・修飾及び組成物の目的（目的記載個所）
- 触媒組成物の態様
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気相成長（金属層を除く）
- 成長法
- 成長層の組成
- 導入ガス
- 成長条件（１）成膜温度Ｔ 請求項＋実施例に記載されている成膜温度を全て付与する（除く従来例）
- 成長条件（２）成膜時の圧力Ｐ 請求項＋実施例に記載されている成膜時の圧力を全て付与する（除く従来例）
- 被成膜面の組成・基板の特徴・ダミー基板・マスク
- 目的
- 半導体素子等への用途
- 機能的用途
- 半導体成長層の構造
- 半導体層の選択成長
- 絶縁体成長層の構造・絶縁体層の選択成長
- 装置の形式（１）基板支持の形態・成膜中の基板の運動 図面＋詳細な説明に例示されている形式をすべて付与する（除く従来例）
- 装置の形式（２）成膜室の形態 図面＋詳細な説明に例示されている形式をすべて付与する（除く従来例）
- 成膜一般
- 成膜室・配管構造・配管方法
- ガス供給・圧力制御
- ノズル・整流・遮蔽・排気口
- 排気・排気制御・廃ガス処理
- プラズマ処理・プラズマ制御
- 冷却
- 加熱（照射）・温度制御
- 基板支持
- 搬出入口・蓋・搬送・搬出入
- 測定・測定結果に基づく制御・制御一般
- 機械加工プロセスとの組み合わせ
- 他プロセスとの組合せ
