伝導帯 の意味・用法を知る

伝導帯 が立方晶系ナノ結晶性材料の伝導帯より低く、且つ価電子帯が立方晶系ナノ結晶性材料の価電子帯より低い正孔輸送層と、伝導帯が、真空に対して立方晶系ナノ結晶性材料の伝導帯より高く、且つ価電子帯が立方晶系ナノ結晶性材料の価電子帯より高い電子受容体ｎ型層との間に配置された立方晶系ナノ結晶性材料を備えた光活性材料及び最上部に置かれた金属接触子を含む光起電性デバイス。

• 公開日：2017/02/02
• 出典：光起電性材料及び光起電性デバイスにおけるその使用
• 出願人：フンダシオインスティテュートデサイエンセズフォトニクス

波長変換層１１は、入射した光を、超格子半導体層５における 伝導帯 の量子準位から伝導帯の連続準位への光学遷移に対応する波長の光に変換する。

• 公開日：2016/12/28
• 出典：光電変換素子
• 出願人：シャープ株式会社

そして、中間準位のキャリアの内、 伝導帯 下端のエネルギー準位より高いエネルギーを有するホットキャリアを電極から電流として取り出す。

• 公開日：2015/12/17
• 出典：高変換効率太陽電池およびその調製方法
• 出願人：国立大学法人神戸大学

（ａ）は実施例９により計算された 伝導帯 第一超格子ミニバンドの超格子波数Ｋz＝０における、量子ドット中心の積層方向の電荷密度分布である。

• 公開日：2015/08/03
• 出典：受光素子および受光素子を備えた太陽電池
• 出願人：シャープ株式会社

第１の超格子半導体層の超格子構造のバンド構造はタイプＩ構造であり、第２の超格子半導体層の超格子構造のバンド構造はタイプＩＩ構造であり、第１の超格子半導体層の超格子構造および第２の超格子半導体層の超格子構造は、それぞれの超格子構造を構成する量子ドット層の 伝導帯 量子準位によって超格子ミニバンドを形成し、第２の超格子半導体層の超格子構造の伝導帯第一超格子ミニバンドの下端エネルギーが、第１の超格子半導体層の超格子構造の伝導帯第一超格子ミニバンドの下端エネルギーよりも小さい。

• 公開日：2015/08/03
• 出典：受光素子および受光素子を備えた太陽電池
• 出願人：シャープ株式会社

半導体装置を、基板（１０）の上方に少なくとも電子走行層（１３）及び電子供給層（２３）を含む半導体積層構造（２２）を備え、電子供給層が、第１部分（１５〜１７）と、第１部分を挟む第２部分（１４、１８）とを有し、第１部分が、第２部分よりも 伝導帯 のエネルギーが高く、かつ、ｎ型不純物がドーピングされたドーピング部（１６）と、ドーピング部を挟み、不純物がドーピングされていないアンドーピング部（１５、１７）とを有するものとする。

• 公開日：2017/02/16
• 出典：半導体装置
• 出願人：富士通株式会社

前記２つ以上の超格子構造は、それぞれの前記超格子構造を構成する前記量子ドット層の 伝導帯 量子準位によって超格子ミニバンドを形成し、伝導帯第一超格子ミニバンドの下端エネルギーが光入射側に向かうにつれて大きくなるように配置されている請求項１に記載の受光素子。

• 公開日：2014/08/25
• 出典：受光素子および受光素子を備えた太陽電池
• 出願人：シャープ株式会社

スペーサ層１４の 伝導帯 の下端のエネルギー準位Ｅｃ１は、電子供給層１５の伝導帯の下端のエネルギー準位Ｅｃ２よりも低く、バリア層１６の伝導帯の下端のエネルギー準位Ｅｃ３は、電子供給層１５の伝導帯の下端のエネルギー準位Ｅｃ２よりも高い。

• 公開日：2011/10/06
• 出典：半導体装置
• 出願人：富士通株式会社

このように構成することで、チャネル部に円偏光が照射されると、チャネル部を形成する半導体材料中のスピンが価電子帯から 伝導帯 に遷移することができる。

• 公開日：2016/07/25
• 出典：スピン偏極トランジスタ素子
• 出願人：独立行政法人科学技術振興機構

前記半導体コンタクトは、その 伝導帯 の下端のエネルギー準位が、前記キャリア生成層内で生成される電子の平均エネルギーレベル、又は該電子のエネルギー密度分布のピークエネルギーレベルより高い、ように形成される、請求項１乃至６の何れか一項に記載の方法。

• 登録日：2014/05/09
• 出典：ホットキャリアエネルギー変換構造、及びその製造方法
• 出願人：ニューサウスイノヴェーションズピーティワイリミテッド