二酸化珪素 の意味・用法を知る

硬化性樹脂(A)、多孔質無機充填材(B)および重合開始材(C)を含む歯科用硬化性組成物であって、多孔質無機充填材(B)は 二酸化珪素 と、少なくとも1種の他の金属元素を含む酸化物から成り、かつ赤外線吸収スペクトルにおいて、３７３０から３７５０cm-1の最大吸光度(I1)と３０００から３６００cm-1の最大吸光度(I2)の比(I1/I2)が1以上３以下である歯科用硬化性組成物。

• 公開日：2017/03/23
• 出典：歯科用硬化性組成物
• 出願人：株式会社松風

樹脂被覆層を有する糸条を織編要素に含む通気性可撓シートであって、樹脂被覆層が、〔酸化亜鉛／ 二酸化珪素 〕複合体、〔酸化マグネシウム／二酸化珪素〕複合体、〔酸化亜鉛／アルミナ／二酸化珪素〕複合体、及び〔酸化マグネシウム／アルミナ／二酸化珪素〕複合体から選ばれた１種以上の酸／塩基二極性複合体粒子と、ゼオライトを含み、酸／塩基二極性複合体粒子とゼオライトの質量比を４：１〜１：１とする。

• 公開日：2017/05/25
• 出典：消臭性シート及びその消臭性能の再生方法
• 出願人：平岡織染株式会社

単一の方向に延びて列設された隔壁により区画された複数のセルを備えるハニカム構造に形成された炭化珪素質セラミックス焼結体の基体の表面が、酸化防止層で被覆されているハニカム構造体において、酸化防止層を、珪酸系ガラス相と、 二酸化珪素 の結晶相とを含む構成とする。

• 公開日：2017/08/31
• 出典：ハニカム構造体及びハニカム構造体の製造方法
• 出願人：東京窯業株式会社

粗目織物、及び粗目織物の全表面を被覆する熱可塑性樹脂被覆層とで構成された多数の空孔を有する可撓性複合体において、熱可塑性樹脂被覆層が気泡痕を含み、また 二酸化珪素 と金属酸化物、及びゼオライトとによる混合粒子を５〜３０質量％含み、かつ混合粒子に占めるゼオライトの混合量を１０〜４０質量％とし、さらに二酸化珪素と金属酸化物との混合比を５：１〜１：１とする。

• 公開日：2016/05/30
• 出典：臭気吸着メッシュシート及びその臭気吸着性能の回復方法
• 出願人：平岡織染株式会社

簡単な構造で配管内周面への 二酸化珪素 の粉塵の付着、堆積を抑えることができる排ガス処理設備を提供する。

• 公開日：2016/02/01
• 出典：排ガス処理設備
• 出願人：大陽日酸株式会社

基材上に 二酸化珪素 フィルムを付着させる方法であって、基材を含むチャンバーに前駆体を供給すること、及びプラズマ化学気相堆積法を用いて基材上に二酸化珪素フィルムを付着させることを含み、前記前駆体がＴＥＯＳ、酸素、又はこれらの源、及び水素を含む方法。

• 公開日：2013/11/07
• 出典：二酸化珪素フィルムを付着させる方法
• 出願人：エスピーティーエステクノロジーズリミティド

金属珪素及び 二酸化珪素 の何れか一方もしくは両方の粉末と、金属スズ及び酸化スズの何れか一方もしくは両方の粉末とを含有した蒸着用材料を、加熱方式の真空蒸着装置を用いて、高分子フィルム基材１１の片面に蒸着膜１２を成膜したガスバリア性蒸着フィルム１０であって、高分子フィルム基材１１に蒸着した蒸着膜１２の珪素（Ｓｉ）とスズ（Ｓｎ）の合計の原子数と、酸素（Ｏ）の原子数の比（Ｏ／（Ｓｉ＋Ｓｎ））が１．０〜２．０であり、スズ（Ｓｎ）と珪素（Ｓｉ）の原子数の比（Ｓｎ／Ｓｉ）が０．０３〜０．１５であるガスバリア性蒸着フィルムである。

• 公開日：2014/08/25
• 出典：ガスバリア性蒸着フィルム及びその蒸着フィルムの製造方法
• 出願人：凸版印刷株式会社

金属珪素、 二酸化珪素 のいずれか一方または両方の粉末と、酸化亜鉛の粉末とを含有し、珪素（Ｓｉ）および亜鉛（Ｚｎ）の合計の原子数と酸素（Ｏ）の原子数との比（Ｏ／（Ｓｉ＋Ｚｎ））が０．３以上１．８以下であり、珪素（Ｓｉ）の原子数と亜鉛（Ｚｎ）の原子数との比（Ｚｎ／Ｓｉ）が０．０３以上１．００以下である無機酸化物膜１２を加熱方式の真空蒸着法により高分子フィルム基材１１上に蒸着してガスバリア性蒸着フィルム１０を構成する。

• 公開日：2013/10/17
• 出典：蒸着用材料、ガスバリア性蒸着フィルムおよびガスバリア性蒸着フィルムの製造方法
• 出願人：凸版印刷株式会社

ガスバリア性蒸着フィルム１０を作製するために用いられる蒸着材料が、金属珪素と、 二酸化珪素 と、金属鉄、鉄を含む合金または酸化鉄とを含有する。

• 公開日：2014/07/03
• 出典：ガスバリア性蒸着フィルムおよびガスバリア性蒸着フィルムの製造方法
• 出願人：凸版印刷株式会社

ゲート電極２７と電気的に接続され、かつ第２の 二酸化珪素 領域１５ｃに対向した位置にゲートランナー２が形成される。

• 公開日：2014/06/09
• 出典：炭化珪素半導体装置およびその製造方法
• 出願人：住友電気工業株式会社