二次イオン質量分析 の意味・用法を知る

二次イオン質量分析 における一次イオンエネルギー補正方法に関し、実効的な一次イオンエネルギーを簡便かつ精確に把握し、装置上の設定値からのずれを補正する。

• 公開日：2011/03/24
• 出典：二次イオン質量分析における一次イオンエネルギー補正方法
• 出願人：富士通株式会社

ここで、 二次イオン質量分析 （ＳＩＭＳ）は、半導体や誘電体など、様々な材料中に含まれる元素の面内分布や深さ方向に対する分布を調べるための技術である。

• 公開日：2005/09/15
• 出典：半導体装置およびその製造方法
• 出願人：ルネサスエレクトロニクス株式会社

図５は、サンプル内の深さに対する窒素および酸素の原子濃度を測定する、 二次イオン質量分析 （ＳＩＭＳ）による分析結果の概要を示す。

• 公開日：1999/11/16
• 出典：ＣＭＯＳＦＥＴの製造方法
• 出願人：シャープ株式会社

なお、シリコン層１０の中の不純物濃度は、例えば、 二次イオン質量分析 （Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ Ｉｏｎ Ｍａｓｓ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ：ＳＩＭＳ）により、測定することが可能である。

• 公開日：2020/03/26
• 出典：半導体装置及び半導体記憶装置
• 出願人：東芝メモリ株式会社

以上により作製したＣＡＡＣ−ＯＳ層中の水素濃度は、 二次イオン質量分析 （ＳＩＭＳ： Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ Ｉｏｎ Ｍａｓｓ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）において、２×１ ０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、好ましくは５×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、より 好ましくは１×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、さらに好ましくは５×１０１８ａｔｏ ｍｓ／ｃｍ３以下とすることができる。

• 公開日：2020/03/26
• 出典：半導体装置
• 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

尚、ｎ型の不純物元素の濃度及びｐ型の不純物元素の濃度は、ＳＩＭＳ（Secondary Ion Mass Spectrometry： 二次イオン質量分析 ）により測定することができる。

• 公開日：2020/03/19
• 出典：炭化珪素半導体装置
• 出願人：住友電気工業株式会社

実施形態のピーク濃度と濃度ピークとなる深さは、実施形態の光検出器を切断した断面を 二次イオン質量分析 （Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ Ｉｏｎ Ｍａｓｓ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ:ＳＩＭＳ）をすることによって不純物濃度プロファイルを作成し、その濃度プロファイルにおいて最も大きなピークの頂点の濃度をピーク濃度、そのときの深さが濃度ピークを示す深さとなる。

• 公開日：2020/03/19
• 出典：光検出素子、光検出システム、ライダー装置及び車
• 出願人：株式会社東芝

酸化物半導体膜４０３中の水素濃度は、 二次イオン質量分析 （ＳＩＭＳ：Ｓｅｃｏｎｄ ａｒｙ Ｉｏｎ Ｍａｓｓ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）において、５×１０１９ｃｍ− ３未満、好ましくは５×１０１８ｃｍ−３以下、より好ましくは１×１０１８ｃｍ−３以 下、さらに好ましくは５×１０１７ｃｍ−３以下とする。

• 公開日：2020/03/19
• 出典：表示装置
• 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

特に、本実施例の一態様の半導体素子に好適な酸化物半導体層は、 二次イオン質量分析 （ ＳＩＭＳ：Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ Ｉｏｎ Ｍａｓｓ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）による 水素濃度の定量結果が１×１０１８ｃｍ−３以上２×１０２０ｃｍ−３以下好ましくは２ ×１０１８ｃｍ−３以上５×１０１９ｃｍ−３以下に抑制された酸化物半導体層である。

• 公開日：2020/03/19
• 出典：半導体装置
• 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

水素含有層１６８は、 二次イオン質量分析 （ＳＩＭＳ：Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ Ｉｏｎ Ｍ ａｓｓ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）で水素を１×１０２１ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上含む 絶縁膜である。

• 公開日：2020/03/19
• 出典：半導体装置、及び半導体装置の作製方法
• 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所