不純物濃度 の意味・用法を知る

この場合、ｐ型窒化物系化合物半導体層の最表層での 不純物濃度 は、ｐ型窒化物系化合物半導体層のうち最表層以外の部分での不純物濃度よりも高いことが好ましい。これにより、ゲート抵抗を低減することが可能になる。

• 公開日： 2008/09/11
• 出典： 半導体装置
• 出願人： パナソニック株式会社

水中の有機性不純物を高効率で無機イオンに酸化分解でき、また有機性 不純物濃度 を高精度で測定することができる水中の有機性不純物を無機イオン不純物に分解する装置、水中の有機性不純物を無機イオン不純物に分解するビーズの製造方法、光分解型有機性不純物濃度分析前処理装置、有機性不純物濃度測定装置および有機性不純物濃度測定方法を提供すること。

• 公開日： 2004/05/13
• 出典： 有機性不純物の酸化分解後生成無機イオンの濃度測定装置
• 出願人： 東芝プラントシステム株式会社

蒸発器で重合禁止剤を蒸発させた場合も、重合禁止剤よりも沸点の低い不純物の大半が回収されるため、精製工程に循環させた際の精製工程の負荷の増大、又は製品中の 不純物濃度 の増大をもたらす。

• 公開日： 2003/08/05
• 出典： 重合禁止剤の回収方法及びアクリル酸の製造方法
• 出願人： 三菱化学株式会社

結晶成長速度は小さくなり過ぎても、結晶核の結晶性の劣化をもたらす。これは、結晶構成原子の単位時間当たりの飛来数がある値を下回ると、結晶成長面上への不純物原子の飛来数が結晶構成原子に比して無視できなくなり、結晶核の 不純物濃度 が大幅に増加するためである。

• 公開日： 2008/05/15
• 出典： 炭化珪素単結晶インゴットの製造方法
• 出願人： 新日鐵住金株式会社

そして、第一導電型ベース層と第二導電型エミッタ層との間に第一導電型ベース層より 不純物濃度 の高い第一導電型バッファ層を有するものとする。そのようにすれば、不純物濃度の高い第一導電型バッファ層が空乏層の広がりを抑えるので、第一導電型ベース層の厚さを薄くすることができるので、高耐圧の絶縁ゲート型サイリスタに適した構造となる。

• 公開日： 1998/01/27
• 出典： 絶縁ゲート型サイリスタ
• 出願人： 富士電機株式会社

上記ＰＮ接合面を挟む上記Ｐ型半導体層と上記Ｎ型半導体層とが、それぞれ、、該ＰＮ接合面に接する上記高濃度層と、該高濃度層に接し該高濃度層より 不純物濃度 の低い低濃度層からなる温度検出器であっても良い。

• 公開日： 2003/08/08
• 出典： 温度検出器、半導体検出装置、及び温度検出器の製造方法
• 出願人： 三菱電機株式会社

上記の手段を講じることによって、下記する作用が得られる。第二導電型ベース層より 不純物濃度 が高く、トレンチ近傍部分を欠く第二導電型領域を、特に、第二導電型ベース層内または、第一導電型ドリフト層と第二導電型ベース層との境界に設けることによって、第二導電型ベース層の抵抗を低減することができる。

• 公開日： 1997/02/07
• 出典： 炭化けい素縦型ＦＥＴ
• 出願人： 富士電機株式会社

これによれば、プラズマＣＶＤの場合のような荷電粒子の衝突がなくなる。また、光電変換層形成液は、例えば形成液中の 不純物濃度 を略均一にすることができるため、不純物濃度の略均一な良質の光電変換層を形成することができる。

• 公開日： 2007/09/27
• 出典： 光電変換素子の製造方法及び光電変換装置の製造方法
• 出願人： セイコーエプソン株式会社

なお、ｎ型ベース層１、ｎ型ベース層２１１、ｎ型エミッタ層１５１の 不純物濃度 の一例は、図１を用いて説明したＩＧＢＴ１００のｎ型ベース層１、ｎ型ベース層２１１、ｎ型エミッタ層１５１の不純物濃度と同様の値となる。

• 公開日： 1998/08/21
• 出典： 絶縁ゲート型バイポーラトランジスタおよびその製造方法
• 出願人： 三菱電機株式会社

このような熱処理用治具であれば、該治具のＳｉＣ膜最表層の 不純物濃度 が非常に小さいため、長時間、熱処理工程で使用しても、熱処理用治具からの不純物の拡散が少なく、したがって、熱処理されるウェーハ等の基板が不純物で汚染されるのを抑えることができる。

• 公開日： 2005/07/21
• 出典： 熱処理用治具の表面保護膜形成方法
• 出願人： 信越半導体株式会社

このような熱処理用治具であれば、該治具のＳｉＣ膜最表層の 不純物濃度 が非常に小さいため、長時間、熱処理工程で使用されても、熱処理用治具からの不純物の拡散が少なく、したがって、熱処理されるウェーハ等の基板が不純物で汚染されるのを抑えることができる。

• 公開日： 2005/06/16
• 出典： 熱処理用治具の表面保護膜形成方法及び熱処理用治具
• 出願人： 信越半導体株式会社