不均一性 の意味・用法を知る
不均一性 とは、磁気共鳴イメージング装置 や光学的手段による材料の調査の特殊な応用 などの分野において活用されるキーワードであり、ポーラ化成工業株式会社 やラムリサーチコーポレイション などが関連する技術を48,452件開発しています。
このページでは、 不均一性 を含む技術文献に基づき、その意味・用法のみならず、活用される分野や市場、法人・人物などを網羅的に把握することができます。
不均一性の意味・用法
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対象における循環不全を、コンピュータが識別または監視する方法であって、前記方法が、以下のパラメータ：（ａ）機能性毛細血管密度（ＦＣＤ）、（ｂ）ＦＣＤの 不均一性 、（ｃ）毛細血管流速、（ｄ）毛細血管流速の不均一性、（ｅ）微小血管赤血球の酸素飽和度（ＳｍｖＯ2）、及び（ｆ）ＳｍｖＯ2の不均一性、に関して前記対象の微小循環を前記コンピュータが評価することを含み、パラメータ（ａ）〜（ｄ）が白色の無偏光光を用いる顕微鏡による顕微鏡法によって前記コンピュータにより評価され、パラメータ（ｅ）及び（ｆ）が拡散反射分光法（ＤＲＳ）によって前記コンピュータにより評価される、前記方法。
- 登録日：2019/06/21
- 出典：循環不全の評価
- 出願人：オスロユニヴェルジテットサイケフスホーエフ
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材料の均一性を特徴づける方法であって、該材料の画像中の対象領域内の均一性を測定するサイズスケールのセットを選択することと、該サイズスケールのセット内の対象となる選択されたサイズスケールより小さい該画像中の特性を抑制することと、該対象となるサイズスケールに等しいパッチに該画像を分割することであって、該画像の該パッチへの該分割は、より大きいサイズスケールにおける 不均一性 についての情報が捕捉されないことを確実にする効果を有する、ことと、各パッチ内の均一性値を算出することと、を含む、方法。
- 登録日：2019/04/05
- 出典：材料のマルチスケール均一性分析
- 出願人：スリーエムイノヴェイティヴプロパティーズカンパニー
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膜厚のばらつき、チャンバの 不均一性 、および／または、磁場によって引き起こされた不均一性を補償しうる基板支持体アセンブリの構成要素を提供する。
- 公開日：2018/03/08
- 出典：プラズマ処理中における磁場パターンの制御／調整方法
- 出願人：ラムリサーチコーポレイション
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...偏向手段により偏向された光ビームを前記感光体に導く光学部材と、を備え、前記光ビームによって露光されることによって前記感光体上に形成される静電潜像をトナーによって現像する画像形成装置であって、前記光ビームが前記感光体上を走査する走査方向における光ビームに対する前記感光体の電位特性によるトナー像の濃度の 不均一性 を補正するための第１の補正データであって、前記走査方向における前記光ビームの複数の走査位置それぞれに対応させた前記第１の補正データを格納する第１の格納手段と、前記走査方向における前記光学部材の光学特性による前記感光体上に導かれた前記光ビームの光量変動を補正するための第２の補正データであって、...
- 公開日：2015/10/08
- 出典：画像形成装置および感光体を走査する光ビームの光量を制御するための補正データの生成方法
- 出願人：キヤノン株式会社
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回転電機の制振方法の実施形態の原理を説明するためのモデル図であって、回転電機の軸に垂直な断面図である。 回転電機の固定子にかかる電磁力の分布の例を示す図である。 回転電機の有限要素モデルを示す図であって、１個の 不均一性 があるタイプＡの場合を示す図である。 回転電機の有限要素モデルを示す図であって、１個の不均一性があるタイプＢの場合を示す図である。 回転電機の有限要素モデルを示す図であって、１個の不均一性があるタイプＣの場合を示す図である。 タイプＡ、Ｂ、Ｃの各モデルによる解析結果によって求まった固有振動数の減少率を示すグラフである。 回転電機の円環振動モードモデルによる解析結果の例を示す図であ...
- 公開日：2016/06/30
- 出典：回転電機制振方法および回転電機
- 出願人：東芝三菱電機産業システム株式会社
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磁気共鳴イメージングのＲＦシェーディング 不均一性 に対する空間的輝度補正を行なうこと。
- 公開日：2016/01/28
- 出典：磁気共鳴イメージングシステム
- 出願人：東芝メディカルシステムズ株式会社
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したがって、プラズマ処理チャンバにおける処理結果の方位 不均一性 を管理するための、改善された方法及び装置が望まれている
- 登録日：2018/01/26
- 出典：プラズマ処理システムにおいてＲＦ電流路を選択的に修正するための方法及び装置
- 出願人：ラムリサーチコーポレイション
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したがって、 不均一性 を制御することが、より進歩した技術ノードを費用効率よく大量生産することを可能にするための鍵である。
- 登録日：2018/01/19
- 出典：対称的なＲＦ供給のための周囲ＲＦフィードおよび対称ＲＦリターン
- 出願人：ラムリサーチコーポレイション
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請求項１に記載の構成要素を組み込んだプラズマ処理チャンバであって、前記基板支持体は、前記基板支持体にわたって横方向に分布する複数のヒータを有してクリティカルディメンション（ＣＤ）制御のために空間的温度プロファイルを調節するよう動作可能であるヒータ層を備え、前記基板支持体は、前記基板支持体にわたって横方向に分布する少なくとも９つの電流ループを備え、前記半導体基板の処理中に局所的な 不均一性 を補償するよう動作可能である、プラズマ処理チャンバ。
- 登録日：2018/01/12
- 出典：局所磁場を生成する基板支持体アセンブリの構成要素
- 出願人：ラムリサーチコーポレイション
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本発明は、 不均一性 によって損なわれる測定結果のより正確な評価を可能にする手段を提供する
- 登録日：2017/08/10
- 出典：光学的不均一性による分析評価
- 出願人：フィリップス・エレクトロニクス・ネムローゼ・フェンノートシャップ
不均一性の問題点 に関わる言及
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ヒトの顔面の特殊な事例において、顔の皮膚の温度の 不均一性 を利用する。特に、正常の環境温度条件において、顔面の若干のゾーンは、常に、周囲のゾーンよりも高温であると云う事実を利用する。
- 公開日： 2008/12/18
- 出典： 自動車の空調設備のための、生理学的データのセンサを備える制御システム
- 出願人： ヴァレオシステムテルミク
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また、透光性物質の表面から漏出した光の情報に基づいて透光性物質の 不均一性 の有無、種類、大きさを判別することにより、即座に所望の透光性物質を抽出することができ、透光性物質の生産性を向上できる。
- 公開日： 1999/09/07
- 出典： 透光性物質の不均一性検査方法及びその装置並びに透明基板の選別方法
- 出願人： ＨＯＹＡＴｅｃｈｎｏｓｕｒｇｉｃａｌ株式会社
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後処理の 不均一性 が小さくなるに従って、後処理の不均一性の相対性は低くなり、従来の言葉による記述で正確に表現することが更に困難となる。したがって、先行のウェーハ処理工程における更なる改善を上手く実施できるように後処理の不均一性を正確に表現する上で、従来の言葉による記述は不十分である。
- 公開日： 2011/11/10
- 出典： ウェーハについての不均一性の定量化および有意性の図解化のためのユーザインタフェース
- 出願人： ラムリサーチコーポレイション
不均一性の特徴 に関わる言及
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結晶、結晶のための後処理
- 目的・対象とする結晶の形態
- 結晶自体の特徴（クレーム）
- 材料１（元素状、合金）
- 材料２（酸化物）
- 材料３（複合酸化物）
- 材料４（酸素酸塩）
- 材料５（〜化物）
- 材料６（有機物）
- 固相成長
- 液相成長１（常温で液体の溶媒を使用する）
- 液相成長２（溶融溶媒を使用するもの）ＣＧ優先
- 液相成長３（融液の凝固によるもの）
- 液相成長４（ゾーンメルティング）
- 液相成長５（融液からの引き出し）
- 液相成長６（液相エピタキシャル）
- 気相成長１（蒸着、昇華）
- 気相成長２（ＣＶＤ）
- 結晶成長共通１（成長条件の制御）固相成長を除く
- 結晶成長共通２（不純物のドーピング）
- 結晶成長共通３（原料の調製、原料組成）
- 結晶成長共通４（種結晶、基板）
- 結晶成長共通５（成長前の基板の処理、保護）
- 結晶成長共通６（基板への多層成長）
- 結晶成長共通７（装置、治具）
- 結晶成長共通８（検知、制御）
- 結晶成長共通９（特定の成長環境の付加）
- 後処理１（拡散源、その配置）
- 後処理２（後処理のための基板表面の前処理）
- 後処理３（気相からのドーピング）
- 後処理４（電磁波、粒子線照射によるドーピング）
- 後処理５（加熱、冷却処理）
- 後処理６（結晶の接合）
- 後処理７（エッチング、機械加工）
- 後処理８（電場、磁場、エネルギー線の利用）
- 後処理９（その他）
- 後処理１０（装置、治具の特徴）
- 結晶の物理的、化学的性質等の評価、決定
- 用途
- 固相からの直接単結晶成長
- 単結晶成長プロセス・装置
- 圧力を加えるもの 例、水熱法
- 塩溶媒を用いるもの 例、フラックス成長
- るつぼ、容器またはその支持体
- ノ−マルフリ−ジングまたは温度勾配凝固
- ゾ−ンメルティングによる単結晶成長、精製
- 溶媒を用いるもの
- るつぼ、容器またはその支持体
- 誘導による溶融ゾ−ンの加熱
- 電磁波による加熱（集光加熱等）
- 制御または調整
- 材料またはヒ−タ−の移動機構、保持具
- 融液からの引出し（保護流体下も含む）
- 結晶化物質（原料）、反応剤の充填、添加
- 引出し方向に特徴
- 融液を入れるるつぼ、容器またはその支持体
- 融液、封止剤または結晶化した物質の加熱
- 制御または調整
- 融液、封止剤、結晶の回転、移動機構
- 種結晶保持器
- 種結晶
- 縁部限定薄膜結晶成長
- 液相エピタキシャル成長
- 特殊な物理的条件下での単結晶成長
- ＰＶＤ
- イオン化蒸気の凝縮
- 分子線エピタキシャル法
- ＣＶＤ
- エピタキシャル成長法、装置
- 製造工程
- 反応室
- 反応室または基板の加熱
- 基板保持体またはサセプタ
- 基板とガス流との関係
- ガスの供給・排出手段；反応ガス流の調節
- 制御または調節
- 基板
- 特殊な物理的条件下での単結晶成長
