一段階 の意味・用法を知る

本発明に係るセルロース類水溶液の製造方法は、加熱した水にセルロース類を投入して分散させる分散工程と、分散工程により得られた水溶液を冷却して、該水溶液中のセルロース類を溶解させる冷却工程と、冷却工程後の上記水溶液に対し、遠心分離を 一段階 以上行う遠心分離工程とを含む。

• 公開日：2014/01/09
• 出典：セルロース類水溶液の製造方法
• 出願人：株式会社クレハ

ＶＰによる 一段階 のトラフィック制御に係る設定、ＶＣによる一段階のトラフィック制御に係る設定、ＶＰかつＶＣによる二段階のトラフィック制御に係る設定を受け付け、受け付けられたＶＰによる一段階のトラフィック制御に係る設定からＶＰかつＶＣのトラフィックレートを指示する設定情報を登録し、ＶＣによる一段階のトラフィック制御に係る設定からＶＰかつＶＣのトラフィックレートを指示する設定情報を登録し、ＶＰかつＶＣによる二段階のトラフィック制御に係る設定からＶＰかつＶＣのトラフィックレートを指示する設定情報を登録する。

• 公開日：2008/02/07
• 出典：トラフィック制御プログラム、トラフィック制御装置およびトラフィック制御方法
• 出願人：富士通株式会社

請求項６又は７記載のキャピラリー束を製造するための請求項１４から２０までのいずれか１項記載の方法において、完全セラミックキャピラリー束の場合に、分離活性を有する膜（Ｍ）でのコーティングを、キャピラリー束の完成後に 一段階 で達成できることを特徴とする、キャピラリー束の製造方法。

• 公開日：2004/02/05
• 出典：分離モジュール並びにその製造方法及び使用方法
• 出願人：バイエルアクチエンゲゼルシヤフト

連続伝送成功回数が規定回数に達しても、伝搬路の状況に応じて 一段階 高い伝送速度への移行を抑制する。

• 公開日：2004/10/28
• 出典：無線パケット通信方法および無線パケット通信装置
• 出願人：東日本電信電話株式会社

スイッチング素子８の温度を検出する温度検出素子１３を備え、前記スイッチング素子８の駆動周波数を変化させることにより出力を複数段階で変化可能な誘導加熱調理器において、複数段階の温度レベルを設け、設定された段階の出力レベルで加熱開始後、前記温度検出素子１３により検出した検出温度が所定の段階の温度レベルを超えた場合、出力レベルの段階を 一段階 下げ、その後前記検出温度が現段階から一段階上昇する毎に出力レベルの段階を現段階から一段階下げ、前記検出温度が現段階から一段階低下する毎に出力レベルの段階を現段階から一段階上げる如く出力制御を行う制御部１４を備える。

• 公開日：2002/07/19
• 出典：誘導加熱調理器
• 出願人：日立アプライアンス株式会社

波高値Ａkから波高値Ａkより低い各波高値を順番に少なくとも１スロットずつ経て立ち下がる部分を有する所定の駆動波形に対して、前記発光素子を駆動するエネルギーを 一段階 増加した駆動波形が、前段の駆動波形の前記立ち下がる部分において波高値がＡ1であったスロットに続くスロットの波高値をＡ1に増加させた波形を有しており、以降前記発光素子を駆動するエネルギーを一段階ずつ増加した駆動波形が、前段の駆動波形において、前々段の駆動波形に対して波高値を一段階増加させたスロットの一つ手前のスロットの波高値を一段階増加させた波形を有することを特徴とする請求項１乃至４いずれかに記載の駆動回路。

• 公開日：2003/06/20
• 出典：駆動回路及び表示装置
• 出願人：キヤノン株式会社

図18 同製造工程の他の 一段階 を示す一部拡大断面図である。

• 公開日：1994/08/12
• 出典：プリント配線板及びその製造方法
• 出願人：ソニー株式会社

第１実施形態におけるＮＡＮＤ型フラッシュメモリ装置のメモリセル領域の一部の電気的構成を概略的に示す図 メモリセル領域の一部構造を概略的に示す平面図 （ａ）図２中Ａ−Ａ線に沿った模式的な縦断面図、（ｂ）図２中Ｂ−Ｂ線に沿った模式的な縦断面図 （ａ）製造工程の 一段階 の状態を図２中Ａ−Ａ線に沿って模式的に示す縦断面図、（ｂ）製造工程の一段階の状態を図２中Ｂ−Ｂ線に沿って模式的に示す縦断面図（その１） （ａ）製造工程の一段階の状態を図２中Ａ−Ａ線に沿って模式的に示す縦断面図、（ｂ）製造工程の一段階の状態を図２中Ｂ−Ｂ線に沿って模式的に示す縦断面図（その２） （ａ）製造工程の一段階の状態を図２中Ａ−Ａ線...

• 公開日：2013/06/20
• 出典：不揮発性半導体記憶装置の製造方法および不揮発性半導体記憶装置
• 出願人：株式会社東芝

火力アップキー４ａあるいは火力ダウンキー４ｂを第１の所定時間受け付けると加熱部１の火力を 一段階 変更し、火力ダウンキー４ｂのみを前記第１の所定時間より長い第２の所定時間以上受け付けた場合のみ、加熱部１の火力を一段階ずつ一定間隔でさらに一段階以上低下させる。

• 公開日：2013/01/31
• 出典：加熱調理器
• 出願人：パナソニック株式会社

従って、キャリブレーションに失敗したと判定した場合、キャリブレーション制御部３９は、ステップＳ１９で、露出値を現在の露出値より 一段階 高く設定して調整するが、既に最高値に設定されている場合は露出値を高くできない。

• 公開日：2015/09/24
• 出典：位置検出装置、及び、位置検出装置の制御方法
• 出願人：セイコーエプソン株式会社