窒化チタン の意味・用法を知る
窒化チタン とは、半導体の電極 や半導体集積回路装置の内部配線 などの分野において活用されるキーワードであり、京セラ株式会社 や日本電気株式会社 などが関連する技術を10,525件開発しています。
このページでは、 窒化チタン を含む技術文献に基づき、その意味・用法のみならず、活用される分野や市場、法人・人物などを網羅的に把握することができます。
窒化チタンの意味・用法
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半導体素子製造において、銅または銅合金やコバルトまたはコバルト合金のダメージを抑制しつつ、 窒化チタン ハードマスクを除去する洗浄用液体組成物およびそれを用いた洗浄方法、並びに半導体素子の製造方法を提供することを目的とする。
- 公開日:2017/04/20
- 出典:半導体素子の洗浄用液体組成物、半導体素子の洗浄方法および半導体素子の製造方法
- 出願人:三菱瓦斯化学株式会社
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建築用途(例えば建物の屋根、壁、又は窓)での使用のためのフィルムは、高分子材料と添加剤とを含有し、前記高分子材料はフルオロポリマーであり、前記添加剤は 窒化チタン 及び酸化タングステンから選択される。
- 公開日:2017/10/19
- 出典:高分子材料
- 出願人:カララントクロマティックスアーゲー
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なお、COはエッチングガスの成分、またはフォトレジストの成分‘C’と被エッチング膜であるシリコン酸化膜(SiO2)の成分‘O’の反応生成物であり、CNはエッチングガスの成分、またはフォトレジストの成分‘C’と上層のバリアメタルBMである 窒化チタン (TiN)膜の成分‘N’の反応生成物である。
- 公開日:2017/03/02
- 出典:半導体装置の製造方法およびドライエッチングの終点検出方法
- 出願人:ルネサスエレクトロニクス株式会社
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本発明は、N−メチルモルホリンN−オキシド(N−methyl morpholine N−oxide)および水を含むタングステン膜エッチング液組成物、これを用いた電子デバイスの製造方法およびこれから製造された電子デバイスに関し、 窒化チタン 系金属または炭化アルミニウムチタン膜をエッチングせず、タングステン系金属のみを選択してエッチングする効果を奏する。
- 公開日:2017/06/15
- 出典:タングステン膜エッチング液組成物、これを用いた電子デバイスの製造方法および電子デバイス
- 出願人:東友ファインケム株式会社
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表面に 窒化チタン および/またはフォトレジストエッチ残留材料を有するマイクロ電子デバイスの表面からの窒化チタンおよび/またはフォトレジストエッチ残留材料の金属伝導、例えば、タングステンおよび銅、ならびに絶縁材料に対する選択的除去に有用な半水溶性組成物。
- 公開日:2016/04/04
- 出典:窒化チタンを選択的にエッチングするための組成物および方法
- 出願人:インテグリス・インコーポレーテッド
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金属導体、例えば、タングステンおよび絶縁体材料と比較して、 窒化チタン および/またはフォトレジストエッチング残渣材料をその上に有するマイクロエレクトロニクスデバイスから窒化チタンおよび/またはフォトレジストエッチング残渣材料を選択的に除去するために有用な組成物。
- 公開日:2015/03/02
- 出典:窒化チタンを選択的にエッチングするための組成物および方法
- 出願人:インテグリス・インコーポレーテッド
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PVD 窒化チタン と、Cu、Co、CVD窒化チタン、誘電体材料、低−k誘電体材料、及びそれらの組み合わせからなる群より選択される第2の材料とを含む半導体デバイスから、PVD窒化チタン(TiN又はTiNxOy、x=0〜1.3かつy=0〜2)を選択的に除去するための組成物であって、1〜20wt%の過酸化物、1〜5wt%の塩基、0.1〜1wt%の弱酸、0.5〜2wt%のアンモニウム塩、25〜5000ppmの腐食防止剤又は1〜15wt%の長鎖若しくは混合水酸化アルキルアンモニウム、10〜5000ppmの長鎖有機アミン又はポリアルキルアミン、及び残部は溶媒を含み、7〜11.5のpHを有する組成物。
- 公開日:2016/12/15
- 出典:窒化チタンハードマスク及びエッチ残留物除去
- 出願人:バーサムマテリアルズユーエス,リミティドライアビリティカンパニー
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Ti粉とcBN粉を原料として用いて、In−Situ反応(反応式以下の通りである)により 窒化チタン −二ホウ化チタン−立方晶窒化ホウ素複合材料を製造する方法において、(I)(ただし、xはcBNのモル含有比率であり、前記Ti粉と前記cBN粉の質量は下記の式により計算される。
- 登録日:2017/12/01
- 出典:窒化チタン-二ホウ化チタン-立方晶窒化ホウ素複合材料の製造方法
- 出願人:河海大学
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...表面と第二の表面との間に間隙が形成されるようにして静止構成要素の近傍に配置されている回転構成要素と、間隙の内部に配置されている液体金属と、第一の表面及び第二の表面の少なくとも一方に付着させられた濡れ防止皮膜とを含んでおり、濡れ防止皮膜は、第一の表面及び第二の表面の上述の少なくとも一方に付着させられた 窒化チタン と、窒化チタンに付着させられたチタン酸化物とを含んでいる。
- 公開日:2013/09/19
- 出典:液体金属軸受け用の濡れ防止皮膜及びその製造方法
- 出願人:ジエネラル・エレクトリツク・カンパニー
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このシステム及び方法は、 窒化チタン (TiN又はTiNxOy)ハードマスクを剥離するために及び窒化チタン(TiN又はTiNxOy)エッチング残渣を除去するためにこの水性組成物を使用する。
- 公開日:2015/07/02
- 出典:窒化チタンハードマスク用組成物及びエッチング残渣の除去
- 出願人:エアー.プロダクツ.アンド.ケミカルス.インコーポレーテッド
窒化チタンの使用状況 に関わる言及
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一方、チタンの中の窒素を除外した他の元素に対しては、定量的な分析結果を容易に提供するAES分析が一般化されている。従って、従来のAES分析には、更に 窒化チタン の中の窒素の定量分析を併用することができる分析方法の開発が要求されている。このような分析方法が開発されると、より一層、分析の容易、簡単化と、半導体装置の生産性の向上とが可能になる。
- 公開日: 1999/07/30
- 出典: 窒化チタン膜分析のためのオージェエレクトロンスぺクトロスコピの基準エネルギー設定方法及びこれを利用する窒化チタン膜の分析方法並びに窒化チタン膜を含む半導体装置の分析方法
- 出願人: 三星電子株式會社
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低屈折率透明薄膜層の材料としては例えば、酸化シリコン、 窒化チタン 、弗化マグネシウム、弗化バリウム、弗化カルシウム、弗化セリウム、弗化ハフニウム、弗化ランタン、弗化ナトリウム、弗化アルミニウム、弗化鉛、弗化ストロンチウム、弗化イッテリビウム等が挙げられる。
- 公開日: 2008/06/19
- 出典: ロール・ツー・ロール型のマグネトロン・スパッタ装置、積層体、光学機能性フィルタ、及び光学表示装置
- 出願人: 凸版印刷株式会社
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