窒化シリコン膜 の意味・用法を知る

窒化シリコン膜 を形成するための方法及び前駆体を提供する。

• 公開日：2016/04/25
• 出典：ＳｉＮの堆積
• 出願人：エーエスエムアイピーホールディングビー．ブイ．

これにより、ゲート電極Ｇ２の横に、 窒化シリコン膜 ＮＴ３および酸化シリコン膜ＯＸ５からなるサイドウォールＳＷ１を形成し、上記パターンの横に、窒化シリコン膜ＮＴ３、酸化シリコン膜ＯＸ４およびＯＸ５からなるサイドウォールＳＷ２を形成する。

• 公開日：2017/08/10
• 出典：半導体装置およびその製造方法
• 出願人：ルネサスエレクトロニクス株式会社

前記層間絶縁膜と前記パッシベーション膜との間に、絶縁性 窒化シリコン膜 をさらに備える請求項１から７のいずれか一項に記載の半導体装置。

• 公開日：2017/05/25
• 出典：半導体装置
• 出願人：富士電機株式会社

半導体装置は、基板２上に設けられた窒化物半導体を有するチャネル層３と、チャネル層３上に設けられ、チャネル層３よりも電子親和力が大きい窒化物半導体を有する電子供給層４と、電子供給層４上に設けられ、その膜厚が１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下の 窒化シリコン膜 あるいは酸化窒化シリコン膜からなる第１絶縁膜と、第１絶縁膜上に設けられ、その膜厚が２０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の酸化アルミニウム膜、窒化アルミニウム膜、酸化シリコン膜および酸化窒化アルミニウム膜の何れかからなる第２絶縁膜と、電子供給層４上に設けられたゲート電極８、ソース電極６及びドレイン電極７と、を備える。

• 公開日：2017/05/25
• 出典：半導体装置
• 出願人：住友電気工業株式会社

有機ＥＬ表示パネル１であって、基板１０１ａ上に形成された複数の表示素子と、複数の表示素子の上に配置された第１封止層１０８ＣＶＤ１と、第１封止層を被覆する緩衝層１０８ＣＶＤ２と、緩衝層を被覆する第２封止層１０８ＣＶＤ３とを備え、第１封止層、緩衝層、及び第２封止層は、 窒化シリコン膜 であり、緩衝層である窒化シリコン膜におけるアンモニアの脱離ガス量のピーク値は、第１封止層及び第２封止層である窒化シリコン膜におけるアンモニアの脱離ガス量のピーク値の１００倍を上回り１０００倍を下回る有機ＥＬ表示パネル。

• 公開日：2017/10/05
• 出典：有機ＥＬ表示パネル
• 出願人：株式会社ＪＯＬＥＤ

窒化シリコン膜 は水分の拡散係数が小さいことから、薄膜抵抗器の完成後に外部より僅かな水分が侵入しても薄膜抵抗材料との反応（電蝕）は抑制されるため抵抗値変動が小さくなる。

• 公開日：2017/08/03
• 出典：チップ抵抗器およびその製造方法
• 出願人：コーア株式会社

窒化シリコン膜 の積層構造の断面写真。

• 公開日：2017/12/28
• 出典：半導体装置
• 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

特に、ＭＩＳＦＥＴＱ１において、 窒化シリコン膜 ＳＮＦ１は、ゲート電極Ｇ１の側壁および高誘電率膜ＨＫの側面端部と直接接している。

• 公開日：2016/11/10
• 出典：半導体装置の製造方法
• 出願人：ルネサスエレクトロニクス株式会社

酸化物半導体膜の 窒化シリコン膜 と接していない領域（言い換えれば、ゲート絶縁膜およびゲート電極層と重畳する領域）はチャネル形成領域となる。

• 公開日：2017/09/21
• 出典：半導体装置の作製方法
• 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

そのため、 窒化シリコン膜 を自立膜として用いるために、厚膜化して膜強度を得ようとすると、ＥＵＶ光が透過するのが困難にある。

• 公開日：2016/08/22
• 出典：ペリクル膜の製造方法、ペリクルの製造方法、およびフォトマスクの製造方法
• 出願人：三井化学株式会社