水素雰囲気 の意味・用法を知る
水素雰囲気 とは、粉末冶金 や硬質磁性材料 などの分野において活用されるキーワードであり、信越化学工業株式会社 や三菱マテリアル株式会社 などが関連する技術を34,539件開発しています。
このページでは、 水素雰囲気 を含む技術文献に基づき、その意味・用法のみならず、活用される分野や市場、法人・人物などを網羅的に把握することができます。
水素雰囲気の意味・用法
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希土類金属酸化物と、他の金属と、水素化又は窒化によって発熱する還元剤との還元拡散反応によって、希土類金属を含む合金粉末を製造する合金粉末製造方法に、前記希土類金属酸化物、他の金属及び還元剤を、 水素雰囲気 又は窒素雰囲気中で加熱する工程を備える。
- 公開日：2011/10/13
- 出典：合金粉末製造方法
- 出願人：国立大学法人北海道大学
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...れる少なくとも１種の元素を８重量％以下、残部Ｆｅ及び不可避的不純物からなる希土類焼結磁石において、該希土類焼結磁石体の表面に、金属メッキ層として、銅メッキ層、その上にニッケルメッキ層が形成され、該金属メッキ層を介して金属酸化物層及び／又は金属窒化物層を有する希土類焼結磁石を０．１ＭＰａを超える圧力の 水素雰囲気 中で用いることを特徴とするモーター用希土類焼結磁石の使用方法。
- 公開日：2007/11/15
- 出典：希土類焼結磁石の使用方法
- 出願人：信越化学工業株式会社
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Ｒ（但し、ＲはＳｍ又はＳｍを５０重量％以上含む２種以上の希土類元素）２０〜３０重量％、Ｆｅ１０〜４５重量％、Ｃｕ１〜１０重量％、Ｚｒ０．５〜５重量％、残部Ｃｏ及び不可避的不純物からなる希土類焼結磁石において、該希土類焼結磁石の表面にＣｏ、及び／又は、Ｃｏ及びＦｅ中にＳｍ2Ｏ3及び／又はＣｏＦｅ2Ｏ4が存在する複合組織層を有する希土類焼結磁石を、１ＭＰａを超える圧力の 水素雰囲気 中で用いることを特徴とするモーター用希土類焼結磁石の使用方法。
- 公開日：2007/11/15
- 出典：希土類焼結磁石の使用方法
- 出願人：信越化学工業株式会社
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ここで、水素吸蔵合金粉末に対する初期活性化処理とは、一般に、高温度や高真空に一 定時間保持したり、水素を吸収しやすい温度で長時間高圧力の 水素雰囲気 下で保持するよ うな処理のことをいうが、本発明のＴｉ−Ｆｅ系の合金粉末にあっては、真空引き状態において、室温（約２５℃）で０．５〜３ＭＰａ程度で水素加圧することにより、１回目から水素を安定して吸蔵する。
- 公開日：2007/10/04
- 出典：合金粉末の製造方法
- 出願人：那須電機鉄工株式会社
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鉄ニッケル磁性合金粉末と有機バインダーとを加熱混練し、射出成形して成形体を形成し、該射出成形体を脱バインダー処理して得られるグリーン成形体、又はこのグリーン成形体を焼成して得られる焼成体、又は鉄ニッケル磁性合金粉末を圧縮成形して得られるグリーン成形体、又はこのグリーン成形体を焼成して得られる焼成体を、第一熱処理段階として 水素雰囲気 中、１１００〜１３５０℃で２〜５時間熱処理し、次いで第二熱処理段階として水素雰囲気中、４３０〜６５０℃で１〜５時間熱処理することからなる鉄ニッケル磁性合金製品の製造方法。
- 公開日：2001/08/14
- 出典：鉄ニッケル磁性合金製品の製造方法
- 出願人：三井金属鉱業株式会社
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本発明のＳｍ2Ｃｏ17系焼結磁石により、 水素雰囲気 中においても、水素脆性を引き起こさない、モーター等に使用できる希土類焼結磁石を得ることが可能となる。
- 公開日：2007/05/10
- 出典：希土類焼結磁石の水素脆化の防止方法
- 出願人：信越化学工業株式会社
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質量％で、Ｃ：0.08％以下, Si：2.0 〜8.0 ％およびMn：0.005〜3.0 ％を含む溶鋼を用いて製造したスラブを、熱間圧延し、必要に応じて熱延板焼鈍を施したのち、１回または中間焼鈍を挟む２回以上の冷間圧延を施し、ついで低酸化性または非酸化性雰囲気中にて再結晶焼鈍を行い、再結晶焼鈍後のＣ量を 0.005〜0.025 ％の範囲としたのち、必要に応じて焼鈍分離剤に適用してから、最終仕上焼鈍を行い、この最終仕上焼鈍時 900℃以上の温度域にて分圧：10vol％以上の 水素雰囲気 を導入することにより、Ｃ量を 50ppm未満まで低減する。
- 公開日：2003/07/18
- 出典：下地被膜を有しない方向性電磁鋼板の製造方法
- 出願人：ＪＦＥスチール株式会社
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本発明のＲ2Ｆｅ14Ｂ系焼結磁石により、 水素雰囲気 中においても、水素脆性を引き起こさない、モーター等に使用できる希土類焼結磁石を得ることが可能となる。
- 公開日：2003/09/12
- 出典：希土類焼結磁石
- 出願人：信越化学工業株式会社
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一方、水蒸気改質器で緊急停止が生じる場合、 水素雰囲気 中で水素透過膜が冷却されることが予想される。
- 公開日：2004/03/11
- 出典：水素透過膜
- 出願人：株式会社日本製鋼所
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電極２０から芯線ホルダ２３を介して芯線ホルダ２４の頂部に保持されたシリコン芯線（不図示）に電流を供給し、ジュール熱によってシリコン芯線の表面を 水素雰囲気 中で９００℃〜１２００℃程度の温度範囲に加熱する。
- 公開日：2021/02/18
- 出典：多結晶シリコン製造装置
- 出願人：信越化学工業株式会社
水素雰囲気の問題点 に関わる言及
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結晶、結晶のための後処理
- 目的・対象とする結晶の形態
- 結晶自体の特徴（クレーム）
- 材料１（元素状、合金）
- 材料２（酸化物）
- 材料３（複合酸化物）
- 材料４（酸素酸塩）
- 材料５（〜化物）
- 材料６（有機物）
- 固相成長
- 液相成長１（常温で液体の溶媒を使用する）
- 液相成長２（溶融溶媒を使用するもの）ＣＧ優先
- 液相成長３（融液の凝固によるもの）
- 液相成長４（ゾーンメルティング）
- 液相成長５（融液からの引き出し）
- 液相成長６（液相エピタキシャル）
- 気相成長１（蒸着、昇華）
- 気相成長２（ＣＶＤ）
- 結晶成長共通１（成長条件の制御）固相成長を除く
- 結晶成長共通２（不純物のドーピング）
- 結晶成長共通３（原料の調製、原料組成）
- 結晶成長共通４（種結晶、基板）
- 結晶成長共通５（成長前の基板の処理、保護）
- 結晶成長共通６（基板への多層成長）
- 結晶成長共通７（装置、治具）
- 結晶成長共通８（検知、制御）
- 結晶成長共通９（特定の成長環境の付加）
- 後処理１（拡散源、その配置）
- 後処理２（後処理のための基板表面の前処理）
- 後処理３（気相からのドーピング）
- 後処理４（電磁波、粒子線照射によるドーピング）
- 後処理５（加熱、冷却処理）
- 後処理６（結晶の接合）
- 後処理７（エッチング、機械加工）
- 後処理８（電場、磁場、エネルギー線の利用）
- 後処理９（その他）
- 後処理１０（装置、治具の特徴）
- 結晶の物理的、化学的性質等の評価、決定
- 用途
- 固相からの直接単結晶成長
- 単結晶成長プロセス・装置
- 圧力を加えるもの 例、水熱法
- 塩溶媒を用いるもの 例、フラックス成長
- るつぼ、容器またはその支持体
- ノ−マルフリ−ジングまたは温度勾配凝固
- ゾ−ンメルティングによる単結晶成長、精製
- 溶媒を用いるもの
- るつぼ、容器またはその支持体
- 誘導による溶融ゾ−ンの加熱
- 電磁波による加熱（集光加熱等）
- 制御または調整
- 材料またはヒ−タ−の移動機構、保持具
- 融液からの引出し（保護流体下も含む）
- 結晶化物質（原料）、反応剤の充填、添加
- 引出し方向に特徴
- 融液を入れるるつぼ、容器またはその支持体
- 融液、封止剤または結晶化した物質の加熱
- 制御または調整
- 融液、封止剤、結晶の回転、移動機構
- 種結晶保持器
- 種結晶
- 縁部限定薄膜結晶成長
- 液相エピタキシャル成長
- 特殊な物理的条件下での単結晶成長
- ＰＶＤ
- イオン化蒸気の凝縮
- 分子線エピタキシャル法
- ＣＶＤ
- エピタキシャル成長法、装置
- 製造工程
- 反応室
- 反応室または基板の加熱
- 基板保持体またはサセプタ
- 基板とガス流との関係
- ガスの供給・排出手段；反応ガス流の調節
- 制御または調節
- 基板
- 特殊な物理的条件下での単結晶成長
