技術的思想 の意味・用法を知る
技術的思想 とは、半導体集積回路装置の内部配線 や第1-3族元素を含む化合物及びその製造 などの分野において活用されるキーワードであり、三星電子株式會社 や株式会社ADEKA などが関連する技術を40,366件開発しています。
このページでは、 技術的思想 を含む技術文献に基づき、その意味・用法のみならず、活用される分野や市場、法人・人物などを網羅的に把握することができます。
技術的思想の意味・用法
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本発明の 技術的思想 による実施例によるランタン化合物の製造方法について説明するためのフローチャート。 本発明の技術的思想による実施例による薄膜形成方法について説明するためのフローチャート。 本発明の技術的思想による実施例による薄膜形成方法によって、ランタン酸化膜を形成するための例示的な方法について具体的に説明するためのフローチャート。 本発明の技術的思想による薄膜形成工程に使用される例示的な蒸着装置の構成を概略的に示した図。 本発明の技術的思想による薄膜形成工程に使用される例示的な蒸着装置の構成を概略的に示した図。 本発明の技術的思想による薄膜形成工程に使用される例示的な蒸着装置の構成を概略的に...
- 公開日:2017/01/26
- 出典:ランタン化合物及びその製造方法、ランタン前駆体組成物、並びにそれを利用した薄膜形成方法、及び集積回路素子の製造方法
- 出願人:三星電子株式會社
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本発明の 技術的思想 の一実施形態による電極連結構造体または半導体素子は、下部基板、前記下部基板の上に形成された下部絶縁層、及び前記下部絶縁層内に形成された下部電極構造体を含み、前記下部電極構造体は、下部電極バリア層及び前記下部電極バリア層上に形成された下部金属電極を含む下部素子、並びに上部基板、前記上部基板の下に形成された上部絶縁層、及び前記上部絶縁層内に形成された上部電極構造体を含み、前記下部電極構造体は、前記上部絶縁層の内部から下部表面下に延長された上部電極バリア層及び前記上部電極バリア層上に形成された上部金属電極を含む上部素子を含み、及び前記下部金属電極と前記上部金属電極が直接的に接触する...
- 公開日:2013/06/13
- 出典:銅を含む電極連結構造体
- 出願人:三星電子株式會社
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本発明の 技術的思想 の一実施形態に係る蒸しご飯の製造方法は、米の異物および状態を確認し、お米を選別する段階と、前記選別された米を洗浄する段階と、前記洗浄された米を水に浸漬した後、排水する段階と、前記浸水した後、排水させた米を1次蒸熟し、ご飯を製造する段階と、前記1次蒸熟して製造されたご飯に水および添加剤を混合する段階と、前記水と添加剤が混合されたご飯を2次蒸熟する段階と、前記2次蒸熟されたご飯を包装する段階を含むが、前記洗浄された米を水に浸漬した後、排水する段階は、前記米を2時間ないし3時間水に吸水させた上、排水する段階であり、前記浸水した後、排水させた米を1次蒸熟してご飯を製造する段階は、浸水...
- 公開日:2016/02/04
- 出典:蒸しご飯およびその製造方法
- 出願人:シルーカンパニーリミテッド
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本発明の 技術的思想 による銅めっき溶液は、水、銅供給源、電解物質、塩素イオン、第1添加剤、第2添加剤、および第3添加剤を含む。
- 公開日:2012/09/10
- 出典:銅めっき溶液およびこれを用いた銅めっき方法
- 出願人:三星電子株式會社
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以上において説明した本発明は、本発明が属する技術の分野における通常の知識を有する者であれば、本発明の 技術的思想 を逸脱しない範囲内で、様々な置換、変形及び変更が可能であるので、上述した実施例及び添付された図面に限定されるものではない。
- 公開日:2013/03/07
- 出典:ネッキング缶の製造装置
- 出願人:パセコ・カンパニー・リミテッド
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すなわち、本発明は、特定の実施の形態に関して特に図示し、且つ、説明されているが、本発明の 技術的思想 及び目的の範囲から逸脱することなく、以上に述べた実施形態に対し、形状、位置若しくは方向、その他の詳細な構成において、当業者が様々な変形を加えることができるものである。
- 公開日:2007/08/16
- 出典:息の計測器
- 出願人:ヤマハ株式会社
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本発明の 技術的思想 が解決しようとする技術的課題は、アルミニウムを含む薄膜を形成するための原料化合物として、アルミニウムを含む薄膜の形成時、優秀な段差被覆性(step coverage)、及び熱安定性を有しながら、揮発性が高く、優秀な工程安定性及び量産性を提供できるアルミニウム化合物を提供する
- 公開日:2018/03/29
- 出典:アルミニウム化合物、及びそれを利用した薄膜形成方法、並びに集積回路素子の製造方法
- 出願人:三星電子株式會社
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本発明の 技術的思想 の実施形態に係る受動ガーベッジコレクションを遂行するように構成されたソリッドステートドライブを含むシステムを示す。 図1のコンピュータの追加的な詳細を示す。 受動ガーベッジコレクションを遂行するように構成された図1のソリッドステートドライブの詳細を示す。 構成コマンドに続いてデータ要請を図1のソリッドステートドライブに伝送する図1のシステムを示す。 本発明の技術的思想の実施形態に係る図1のソリッドステートドライブがどのぐらい長く遊休状態であったかに基づいて受動ガーベッジコレクションを遂行するかを判別するのに使用される図3の比較器を示す。 本発明の技術的思想の実施形態に係る図1...
- 公開日:2017/09/21
- 出典:ソリッドステートドライブ、ガーベッジコレクションを遂行する方法、及びストレージ媒体を含む物品
- 出願人:三星電子株式會社
技術的思想の原理 に関わる言及
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かかる構成によれば、コストをかけずに、簡単且つ安全に制御棒案内管の底部を清掃することができる。なお、上述した制御棒案内管清掃装置における 技術的思想 に対応する構成要素やその説明は、当該制御棒案内管清掃方法にも適用される。
- 公開日: 2012/07/19
- 出典: 制御棒案内管清掃装置および制御棒案内管清掃方法
- 出願人: 東京電力株式会社
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以上、実施の形態および実施例について具体的に説明したが、本技術は、上述の実施の形態および実施例に限定されるものではなく、本技術の 技術的思想 に基づく各種の変形が可能である。
- 公開日: 2013/10/03
- 出典: 薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの製造方法および電子機器
- 出願人: 株式会社JOLED
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以上、本技術の実施形態および実施例について具体的に説明したが、本技術は、上述の実施形態および実施例に限定されるものではなく、本技術の 技術的思想 に基づく各種の変形が可能である。
- 公開日: 2014/03/17
- 出典: エッチング液、導電性素子の製造方法、および加工体の製造方法
- 出願人: ソニー株式会社
技術的思想の問題点 に関わる言及
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このように、本炉頂圧回収タービンの静翼へのダスト付着防止装置は、従来のダスト付着防止装置とはまったく異なる 技術的思想 に基づくものであり、この分野において飛躍的進歩が期待できるダスト付着防止装置である。
- 公開日: 2014/05/12
- 出典: 炉頂圧回収タービンの静翼へのダスト付着防止装置
- 出願人: 三井造船株式会社
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また、上記従来技術では衝撃吸収体を挿入するときの挿入力を少なくし、挿入後は、衝撃吸収体と他の部材を係止することにより、衝撃吸収体の外れを防止するという 技術的思想 であり、係合することで抜けにくくしているので、衝撃吸収体ががたつくという欠点がある。
- 公開日: 2010/05/20
- 出典: 衝撃吸収体を備えたキャリアプレートまたはストッパ部材およびそれを用いたウインドレギュレータ装置
- 出願人: 株式会社ハイレックスコーポレーション
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上述した円板状基板の内径測定装置の 技術的思想 に基づく構成要素やその説明は、当該内径測定方法、当該円板状基板の製造方法および当該磁気ディスク製造方法にも適用可能である。
- 公開日: 2009/01/15
- 出典: 円板状基板の内径測定装置、内径測定方法、円板状基板の製造方法および磁気ディスク製造方法
- 出願人: ホーヤランプーンリミテッド
技術的思想の特徴 に関わる言及
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また、上述したようなメモリ救済装置を利用して不良ラインを救済するメモリ救済方法も提供される。上述したメモリ救済装置における 技術的思想 に対応する構成要素やその説明は、当該メモリ救済方法にも適用可能である。
- 公開日: 2008/05/22
- 出典: メモリ救済装置およびメモリ救済方法
- 出願人: 横河電機株式会社
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加えて、上述の実施の形態では、基板処理装置は減圧乾燥処理を行う装置として説明されているが、搬送手段であるコンベアを、処理を行う収容容器外へと待避させることにより、処理容器を小型化する、という 技術的思想 は、減圧乾燥処理用の基板処理装置以外にも適用が可能である。
- 公開日: 2014/02/06
- 出典: 基板処理装置および基板処理システム
- 出願人: 株式会社SCREENホールディングス
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同様の方法を利用して他の買受呼値と売渡呼値の呼値残量も分析することができる。また、前述の 技術的思想 を利用すれば各呼値での締結量、取消量、新規数量などを算出することができる。
- 公開日: 2012/12/13
- 出典: 呼値残量の分析システム及び方法
- 出願人: ソフトブリッジカンパニーリミテッド
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第5-8族元素を含む化合物及びその製造
- 発明の種類
- 用途
- P群元素の結合状態に関与しない部分の反応(name reactionにはフリーワードも付与) 注;P群元素とは、P、As、Sb、Biをいう
- 精製;分離;安定化;その他の物理的処理
- 反応の促進・抑制(反応工学的手法によるもの→BD)
- 反応媒体,分離・精製・回収用溶媒
- 反応パラメーター
- 反応工学的手法
- 反応試剤(触媒として明らかなもの→BA01−BA85)
- P群元素の結合状態が変化する反応 注:(1)WA−29において、PはP群元素を、Xはハロゲン原子を表す。 (2)P群元素とは、P、As、Sb、Biを意味する。
- V群元素の化合物の構造 注:V群元素とは、V、Nb、Ta、Pa、Cr、Mo、W、U、Mn、Tc、Re、Fe、Co、Ni、Ru、Rh、Pd、Os、Ir、またはPtを意味する。