微結晶シリコン の意味・用法を知る

ここで、太陽電池素子には、単結晶シリコン基板や多結晶シリコン基板を用いて作製する結晶シリコン太陽電池の他、アモルファスシリコンや 微結晶シリコン をガラス等の基板上に１μｍ程度若しくはそれ以下の極薄のシリコン膜を成形して作成する薄膜系の太陽電池素子がある。

• 公開日：2017/06/29
• 出典：太陽電池モジュール用の封止材シート及びそれを用いた太陽電池モジュール
• 出願人：大日本印刷株式会社

ｎ型単結晶シリコン基板１の第１主面１Ａに、順次積層された非晶質シリコンｉ層２１１および 微結晶シリコン 系薄膜ｉ層２１３を介して、不純物元素としてリンを含有する微結晶シリコンｎ層２２が形成されており、この微結晶シリコンｎ層２２に含有されるリン原子濃度が、微結晶シリコンｉ層２１２と、微結晶シリコンｎ層２２との界面で最大となるようにしている。

• 公開日：2015/10/22
• 出典：太陽電池およびその製造方法
• 出願人：三菱電機株式会社

本発明は、低流量の水素ガスで 微結晶シリコン の形成が可能なＰＣＶＤ法を提供し、より廉価な微結晶シリコン太陽電池を提供することを目的とする。

• 公開日：2013/09/05
• 出典：太陽電池の製造方法
• 出願人：株式会社ＩＨＩ

高結晶化度の成長初期層および発電層を実現し、発電効率に優れた光起電力装置およびその製造方法を得ることを目的として、第１電極層２と、半導体膜からなり光電変換を行う光電変換層３と、導電膜からなる第２電極層９とを基板１上にこの順で備えた光起電力装置であって、前記光電変換層３は、前記第１電極層２側に形成された微結晶ゲルマニウムを含む成長初期層５と、前記成長初期層５上に形成された 微結晶シリコン 系薄膜からなる発電層６と、を有する。

• 公開日：2013/03/28
• 出典：光起電力装置およびその製造方法
• 出願人：三菱電機株式会社

プラズマＣＶＤ法により移動する基板上に 微結晶シリコン を含む堆積膜を形成する方法において、プラズマ状態の変化を少なくし、長時間安定なプラズマ状態を維持することを目的とする。

• 公開日：2008/06/12
• 出典：堆積膜形成方法及び光起電力素子の形成方法
• 出願人：キヤノン株式会社

この発明は、 微結晶シリコン 系材料を用いた場合に、より効率的に電流を得るための積層型太陽電池構造を提供することを目的とする。

• 公開日：2003/04/04
• 出典：積層型太陽電池装置
• 出願人：三洋電機株式会社

本発明は、結晶系薄膜半導体を光電変換層とする光起電力装置に関し、特に 微結晶シリコン を光電変換層に用いた集積型光起電力装置に関する。

• 公開日：2005/04/14
• 出典：光起電力装置の製造方法
• 出願人：三洋電機株式会社

シリコン系非単結晶半導体からなるｐ型層、ｉ型層、ｎ型層を有するｐｉｎ接合の構成素子を複数積層した積層型光起電力素子であって、光入射側の第一のｐｉｎ接合のｉ型層として非晶質シリコンを用い、第二のｐｉｎ接合のｉ型層として 微結晶シリコン を用い、第三のｐｉｎ接合のｉ型層として微結晶シリコンを用いている。

• 公開日：1999/09/07
• 出典：積層型光起電力素子
• 出願人：キヤノン株式会社

ｐ型薄膜半導体層３、ｉ型薄膜半導体層４、ｎ型薄膜半導体５を備え、ｉ型層４が非晶質半導体層で形成されている光起電力装置であって、ｎ型層５がｉ型層側から非晶質シリコン部５１、高水素希釈条件で形成された 微結晶シリコン 部５２、低水素希釈条件で形成された微結晶シリコン部５３、の順で積層して形成されている。

• 公開日：2001/10/12
• 出典：光起電力装置の製造方法
• 出願人：三洋電機株式会社

ただし、触媒（ニッケルなど ）を用いずに、多結晶シリコン又は 微結晶シリコン を製造することは可能である。

• 公開日：2021/01/07
• 出典：情報処理装置及び情報処理装置の駆動方法
• 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所