単結晶基板 の意味・用法を知る

切断面に割れや欠けを生じさせること無く 単結晶基板 を切断可能であり、かつ、切断時に単結晶基板に強いダメージが加わることが無い単結晶基板の切断装置、単結晶基板の切断方法を提供する。

• 公開日： 2011/10/20
• 出典： 単結晶基板の切断装置、および単結晶基板の切断方法
• 出願人： 新電元工業株式会社

反りが生じた種基板の主面にＧａＮ単結晶を結晶成長させると、その反り形状に基づいて種基板の主面にＧａＮ単結晶が結晶成長するため、ＧａＮ単結晶の結晶軸の配向性が悪くなり、結晶性の悪いＧａＮ 単結晶基板 が製造されてしまう問題が生じていた。

• 公開日： 2014/09/08
• 出典： 窒化物半導体基板の製造方法
• 出願人： シャープ株式会社

このようにすることで、Ｘ線が 単結晶基板 の内部を通過することによる、単結晶基板の厚みや単結晶基板内の欠陥に基づく分解能の低下を抑制することができ、高い分解能が得られる。

• 公開日： 2006/12/28
• 出典： 単結晶試料における面内配向した転位線を有する結晶欠陥のＸ線トポグラフによる撮影方法
• 出願人： 一般財団法人電力中央研究所

単結晶基板 の熱膨張係数がIII族窒化物単結晶層のそれより大きい場合は、単結晶基板に引っ張り応力が掛かり、後述するメカニズムによる応力集中が起こらない。その結果、単結晶基板のランダムな位置から破断が起こり、III族窒化物結晶体を大面積のまま採取することが困難となる。

• 公開日： 2010/11/11
• 出典： ＩＩＩ族窒化物結晶基板の製造方法
• 出願人： 株式会社トクヤマ

上記強誘電体単結晶のなかでも、組成を調節することによって屈折率を簡易に変化させることができることから、ニオブ酸リチウムータンタル酸リチウム固溶体から強誘電体単結晶薄膜を構成することが好ましい。強誘電体 単結晶基板 についても上記強誘電体単結晶薄膜と同様の強誘電体単結晶から構成することができる。

• 公開日： 2000/10/10
• 出典： 強誘電体単結晶薄膜の製造方法及び強誘電体単結晶薄膜
• 出願人： 日本碍子株式会社

線状機能体の形成に 単結晶基板 の段差を用いる上記方法を利用した場合、線状機能体の幅を著しく小さくできる。したがって、通常、線状機能体の一部除去により、孤立機能体の短辺を形成することになる。

• 公開日： 2002/03/15
• 出典： 機能素子の製造方法および機能素子
• 出願人： ＴＤＫ株式会社

また、ガーネット 単結晶基板 チップをメッシュ状容器に収納し、この容器を回転させながら単結晶原料融液に浸漬してガーネット単結晶基板チップの表面に磁性ガーネット単結晶膜を育成するので、同時に多量の単結晶基板チップの表面に磁性ガーネット単結晶膜を安定して析出させることができる。

• 公開日： 2002/01/29
• 出典： マイクロ波素子の製造方法
• 出願人： 株式会社村田製作所

ここで、上記形成手段を用いて 単結晶基板 の表面に微小孔又は微小突起を形成させれば、極めて正確な位置に当該微小孔又は微小突起のアレイ体を形成させることが出来ることから、上記予測結果を正確に当該単結晶基板の表面に反映させることが出来る。

• 公開日： 2007/07/12
• 出典： 単結晶基板表面に形成されるステップ構造のピン止め方法、及びピン止めされたステップ構造を有する単結晶基板
• 出願人： アダマンド並木精密宝石株式会社