メモリ素子 の意味・用法を知る

有利には、回転周波数補正作動装置が設けられており、この回転周波数補正作動装置は、回転周波数補正装置を作動させるために、該回転周波数補正装置に接続することができる。回転周波数補正作動装置は、例えば電気的に回転数補正装置と接続可能な外部の電子 メモリ素子 であってよい。回転周波数補正作動装置が回転数補正装置に接続されると直ちに、定格回転周波数が回転数補正装置又は回転周波数補正作動装置にメモリされた値だけ低下される。

• 公開日： 2008/05/15
• 出典： 高速回転式の真空ポンプ
• 出願人： ライボルトゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツング

しかし、この メモリ素子 は、陽極層、陰極層のほかに、スイッチング層、ホール注入輸送層、電子注入輸送層を有する多層構造のため、製造に要する工程数が多くなってしまうという問題があった。

• 公開日： 2009/09/24
• 出典： メモリ素子
• 出願人： 学校法人早稲田大学

また、書き込み不良の発生率は メモリ素子 の製造工程の影響を強く受けることがある。基板に複数のメモリ素子を形成する場合、ある基板においてだけメモリ素子の不良が多く発生する場合もある。

• 公開日： 2010/09/09
• 出典： ＯＴＰメモリの検査方法、ＯＴＰメモリの作製方法、および半導体装置の作製方法
• 出願人： 株式会社半導体エネルギー研究所

このように形成された相変化特性及び電気的な特性に優れた相変化物質層が、相変化 メモリ素子 の記録層として適用されれば、素子の集積化が可能になり、高容量及び高速作動が可能である。

• 公開日： 2007/07/26
• 出典： 相変化物質薄膜の形成方法及びそれを利用した相変化メモリ素子の製造方法
• 出願人： 三星電子株式會社

従来、ロジック素子と メモリ素子 とが混在されるメモリ回路を試験するためには、メモリ試験専用の試験パターン発生装置を保有した試験装置において不良解析と併せて試験する方式が一般的である。

• 公開日： 1998/01/16
• 出典： 半導体集積回路の試験方法及び試験装置
• 出願人： 富士通株式会社

可変抵抗素子又は相変化素子を用いた抵抗変化型 メモリ素子 において、抵抗変化型メモリ素子の抵抗状態を高い状態から低い状態に変化させる動作は、セット動作とよばれる。抵抗変化型メモリ素子の抵抗状態を低い状態から高い状態にする変化させる動作は、リセット動作とよばれる。

• 公開日： 2012/05/10
• 出典： 抵抗変化型メモリ
• 出願人： 株式会社東芝

大容量主記憶装置と中央処理装置とから構成されるデータ処理装置では、主記憶装置が大容量であり、コストの点から、主記憶装置の素子として高速の メモリ素子 を使用することができない。これから、主記憶装置の処理速度は、中央処理装置の要求を満足できなくなり、中央処理装置の処理時間のかなりな部分が主記憶装置の応答待ちに費やされることになる。

• 公開日： 1996/09/27
• 出典： データ処理装置
• 出願人： 富士通株式会社

磁気 メモリ素子 及びその情報の書き込み及び読み取り方法を提供する。反強磁性層上に形成された固定層、情報保存層及び自由層を備え、情報保存層は、ＳＡＦ構造で形成される磁気メモリ素子である。

• 公開日： 2009/10/29
• 出典： 磁気メモリ素子及びその情報の書き込み及び読み取り方法
• 出願人： 三星電子株式會社

絶縁膜ＭＤは、 メモリ素子 ＭＣのゲート絶縁膜用の絶縁膜であり、内部に電荷蓄積部を有する絶縁膜である。また、絶縁膜ＭＤは、容量素子ＣＰの容量絶縁膜用の絶縁膜でもある。すなわち、絶縁膜ＭＤは、メモリ素子ＭＣのゲート絶縁膜用の絶縁膜と、容量素子ＣＰの容量絶縁膜用の絶縁膜とを兼ねている。

• 公開日： 2014/09/18
• 出典： 半導体装置およびその製造方法
• 出願人： ルネサスエレクトロニクス株式会社