メモリ素子 の意味・用法を知る
メモリ素子 とは、半導体メモリ やリードオンリーメモリ などの分野において活用されるキーワードであり、三星電子株式會社 やシャープ株式会社 などが関連する技術を10,789件開発しています。
このページでは、 メモリ素子 を含む技術文献に基づき、その意味・用法のみならず、活用される分野や市場、法人・人物などを網羅的に把握することができます。
メモリ素子の意味・用法
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したがって、過消去による メモリ素子 の劣化を抑制し、信頼性の高いメモリ動作を行うことを可能にするスイッチ素子、およびそれを備えた記憶装置を提供する
- 公開日:2018/01/25
- 出典:スイッチ素子および記憶装置
- 出願人:ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社
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メモリ装置は、メモリセルにデータを書き込む際、メモリセルにのみ書き込み電流を流すことにより、メモリセル2aの メモリ素子 6をβ相の酸化チタンからλ相の酸化チタンに相転移させ、メモリ素子6の抵抗値を変えることでデータを書き込む。
- 公開日:2016/09/23
- 出典:メモリ、メモリ装置および揮発性記録媒体
- 出願人:国立大学法人東京大学
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出荷時の試験において動作マージンを確認することが可能な メモリ素子 の動作マージン確認装置を提供することを目的とする。
- 公開日:2017/05/25
- 出典:メモリ素子の動作マージン確認装置及び動作マージン確認方法
- 出願人:ファナック株式会社
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前記スイッチング素子は、静電容量式タッチスクリーンにより与えられる入力信号に応答して第1状態から第2状態に切換されるように構成され、第2状態にあると、静電容量式タッチスクリーンにより メモリ素子 から情報が読み取られることが可能にされる。
- 公開日:2017/08/17
- 出典:装置からの情報の読み取りを可能にする装置、方法、およびコンピュータプログラム
- 出願人:ノキアテクノロジーズオーユー
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異なるインピーダンス状態間でプログラム可能な メモリ素子 は、半金属又は半導体(半金属/半導体)から形成された第1の電極と、第2の電極と、第1及び第2の電極の間に配置され、絶縁材料から形成されたスイッチ層とを備え、半金属/半導体の原子は、電界の印加によって絶縁材料の導電率を可逆的に変化させる。
- 公開日:2016/06/16
- 出典:半金属及び/又は半導体の電極を備える不揮発性メモリ
- 出願人:アデストテクノロジーコーポレーション
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半導体 メモリ素子 の記憶データが部外者に漏洩することを阻止することのできるメモリ素子用の保管装置を提供する。
- 公開日:2016/11/17
- 出典:メモリ素子用の保管装置
- 出願人:株式会社リニア・サーキット
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回路(1)であって可変利得を有する1つの第1の増幅器(5)と、出力信号を供給するように構成された、可変利得を有する1つの第2の増幅器(6)と,前記第1の増幅器(5)の可変利得および前記第2の増幅器(6)の可変利得を調整するように構成された1つの制御部(8)と,前記出力信号のサンプル値を格納するように構成された1つの メモリ素子 (9)と,前記回路(1)の1つの出力ポート(3)を、前記第2の増幅器(6)かまたは前記メモリ素子(9)に接続するように構成されている1つのスイッチ部(10)と,を備えることを特徴とする回路。
- 登録日:2018/11/30
- 出典:回路および回路を動作する方法
- 出願人:TDK株式会社
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性能を向上させる メモリ素子 を有する半導体装置を提供する。
- 公開日:2015/03/19
- 出典:半導体装置およびその製造方法
- 出願人:ルネサスエレクトロニクス株式会社
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前記少なくとも1つの入/出力ポートを前記少なくとも1つの メモリ素子 に電気的に接続するチャネルを更に含む、請求項16に記載の不揮発性メモリシステム。
- 登録日:2018/08/17
- 出典:デュアルモードピン配列を有するフラッシュメモリコントローラ
- 出願人:ノヴァチップスカナダインコーポレイテッド
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タイミングスキューがレベリング基準テーブルに登録されたデータ関連信号基準ディレイ値の中で該当基準ディレイ値を所定許容範囲以上に外れた場合に、該当基準ディレイ値に基づいて該当 メモリ素子 に伝送されるデータ関連信号のディレイが調節される。
- 公開日:2015/07/30
- 出典:ターゲットモジュールのライトレベリングを制御するライトレベリング制御回路及びそれにしたがうライトレベリング制御方法
- 出願人:三星電子株式會社
メモリ素子の原理 に関わる言及
メモリ素子の問題点 に関わる言及
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しかし、この メモリ素子 は、陽極層、陰極層のほかに、スイッチング層、ホール注入輸送層、電子注入輸送層を有する多層構造のため、製造に要する工程数が多くなってしまうという問題があった。
- 公開日: 2009/09/24
- 出典: メモリ素子
- 出願人: 学校法人早稲田大学
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また、書き込み不良の発生率は メモリ素子 の製造工程の影響を強く受けることがある。基板に複数のメモリ素子を形成する場合、ある基板においてだけメモリ素子の不良が多く発生する場合もある。
- 公開日: 2010/09/09
- 出典: OTPメモリの検査方法、OTPメモリの作製方法、および半導体装置の作製方法
- 出願人: 株式会社半導体エネルギー研究所
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このように形成された相変化特性及び電気的な特性に優れた相変化物質層が、相変化 メモリ素子 の記録層として適用されれば、素子の集積化が可能になり、高容量及び高速作動が可能である。
- 公開日: 2007/07/26
- 出典: 相変化物質薄膜の形成方法及びそれを利用した相変化メモリ素子の製造方法
- 出願人: 三星電子株式會社
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従来、ロジック素子と メモリ素子 とが混在されるメモリ回路を試験するためには、メモリ試験専用の試験パターン発生装置を保有した試験装置において不良解析と併せて試験する方式が一般的である。
- 公開日: 1998/01/16
- 出典: 半導体集積回路の試験方法及び試験装置
- 出願人: 富士通株式会社
メモリ素子の特徴 に関わる言及
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可変抵抗素子又は相変化素子を用いた抵抗変化型 メモリ素子 において、抵抗変化型メモリ素子の抵抗状態を高い状態から低い状態に変化させる動作は、セット動作とよばれる。抵抗変化型メモリ素子の抵抗状態を低い状態から高い状態にする変化させる動作は、リセット動作とよばれる。
- 公開日: 2012/05/10
- 出典: 抵抗変化型メモリ
- 出願人: 株式会社東芝
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大容量主記憶装置と中央処理装置とから構成されるデータ処理装置では、主記憶装置が大容量であり、コストの点から、主記憶装置の素子として高速の メモリ素子 を使用することができない。これから、主記憶装置の処理速度は、中央処理装置の要求を満足できなくなり、中央処理装置の処理時間のかなりな部分が主記憶装置の応答待ちに費やされることになる。
- 公開日: 1996/09/27
- 出典: データ処理装置
- 出願人: 富士通株式会社
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磁気 メモリ素子 及びその情報の書き込み及び読み取り方法を提供する。反強磁性層上に形成された固定層、情報保存層及び自由層を備え、情報保存層は、SAF構造で形成される磁気メモリ素子である。
- 公開日: 2009/10/29
- 出典: 磁気メモリ素子及びその情報の書き込み及び読み取り方法
- 出願人: 三星電子株式會社
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絶縁膜MDは、 メモリ素子 MCのゲート絶縁膜用の絶縁膜であり、内部に電荷蓄積部を有する絶縁膜である。また、絶縁膜MDは、容量素子CPの容量絶縁膜用の絶縁膜でもある。すなわち、絶縁膜MDは、メモリ素子MCのゲート絶縁膜用の絶縁膜と、容量素子CPの容量絶縁膜用の絶縁膜とを兼ねている。
- 公開日: 2014/09/18
- 出典: 半導体装置およびその製造方法
- 出願人: ルネサスエレクトロニクス株式会社