不純物ドーピング の意味・用法を知る

第２導電型エミッタ層及び第１導電型バッファ層の 不純物ドーピング 量のバラツキが生じても、安定した通電損失が得られる高耐圧半導体装置を提供する。

• 公開日：2002/10/11
• 出典：高耐圧半導体装置
• 出願人：株式会社東芝

ここで、ＳｉＣエピタキシャルウェハの結晶成長に用いられる複数のガスを、「Ｓｉ系ガス」、「Ｃ系ガス」、「Ｃｌ系ガス」、「Ｎ系ガス」、「その他の 不純物ドーピング ガス」「その他のガス」の６つに区分する。

• 公開日：2018/01/11
• 出典：ガス配管システム、化学気相成長装置、成膜方法及びＳｉＣエピタキシャルウェハの製造方法
• 出願人：昭和電工株式会社

金属亜鉛ナノロッド・ナノワイヤを用いることは、 不純物ドーピング にも適している。

• 公開日：2008/12/25
• 出典：酸化亜鉛ナノ構造体の製造方法及びその接合方法
• 出願人：日本電気株式会社

高効率にしかも低温で不純物スピンオングラス膜等の堆積被膜による半導体素材への 不純物ドーピング を行うことを課題とする。

• 公開日：2008/09/25
• 出典：不純物のドーピング方法及びこれを用いた半導体装置の製造方法
• 出願人：国立大学法人東北大学

ＣＶＤ法等で、半導体膜形成時に同時に 不純物ドーピング を行って不純物含有半導体膜を形成する場合に、ドーピングガスの供給制御性を向上して、より急峻なドーパント濃度プロファイルを形成でき、素子の微細化及び特性の向上を図ることをも可能とする半導体膜形成方法を提供する。

• 公開日：1998/09/11
• 出典：半導体膜形成方法
• 出願人：ソニー株式会社

不純物ドーピング によって、シリコンハンドリングウェーハと、ハンドリングウェーハ上に形成される酸化膜と、不純物ドーピングした前記酸化膜上に形成した、均一の厚さを有するシリコンデバイス層と、不純物ドーピングした酸化膜上に形成した、前記酸化膜内への不純物拡散を防止する拡散停止膜とを含むことを特徴とする。

• 公開日：1998/02/03
• 出典：ＳＯＩ基板およびその製造方法
• 出願人：現代電子産業株式会社

ゲートバルブ９ｃを通して、半導体ウエハ１０を搬送室７から 不純物ドーピング 槽４内の液槽１７へ搬送した後、液供給バルブ１３を開けて不純物を含んだ液体を液槽１７へ供給する。

• 公開日：1997/01/28
• 出典：半導体集積回路装置の製造方法および製造装置
• 出願人：ルネサスエレクトロニクス株式会社

一度のパターン転写プロセスでチップ内に多種類の量の 不純物ドーピング を行うことができる多値不純物ドーピング方法。

• 公開日：1995/05/23
• 出典：半導体装置の製造方法
• 出願人：ルネサスエレクトロニクス株式会社

例えば 不純物ドーピング にはＧｅ、Ｓｎ、Ｓｉ、Ｚｎ、Ｍｇ等の元素を用いてもよいし、ブロック層や酸化物半導体薄膜層にはＩｎＧａＺｎＯなどの混晶を用いてもよい。

• 公開日：2020/03/05
• 出典：結晶性積層構造体および半導体装置
• 出願人：株式会社ＦＬＯＳＦＩＡ

なお、本発明はＳＯＩ基板、すなわち支持基板上の絶縁層(埋め込み酸化膜（ＢＯＸ））の上の表面が平坦なシリコン（Ｓｉ）層を用いる場合に限定されず、 不純物ドーピング （ｐｎ）制御が可能な他の表面が平坦な半導体材料層を含む基板（ウェハ等）を用いることができる。

• 公開日：2020/02/20
• 出典：光変調器
• 出願人：独立行政法人産業技術総合研究所