ルミ準位 の意味・用法を知る
ルミ準位 とは、薄膜トランジスタ やMOSIC,バイポーラ・MOSIC などの分野において活用されるキーワードであり、株式会社半導体エネルギー研究所 などが関連する技術を37件開発しています。
このページでは、 ルミ準位 を含む技術文献に基づき、その意味・用法のみならず、活用される分野や市場、法人・人物などを網羅的に把握することができます。
ルミ準位の意味・用法
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これにより、図5において、フェ ルミ準位 (Ef)は真性フ ェルミ準位(Ei)と同程度とすることができる。
- 公開日:2017/06/29
- 出典:液晶表示装置
- 出願人:株式会社半導体エネルギー研究所
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一般に、導体半導体接合においては、導体の仕事関数と半導体の電子親和力(あるいはフ ェ ルミ準位 )の関係によって、オーミック接合になったり、ショットキーバリヤ型接合に なったりする。
- 公開日:2016/07/21
- 出典:半導体装置の作製方法
- 出願人:株式会社半導体エネルギー研究所
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即ち、酸化物導電体は、縮退半導体であり、伝導帯端とフェ ルミ準位 とが一致または略一致していると推定される。
- 公開日:2019/05/16
- 出典:半導体装置
- 出願人:株式会社半導体エネルギー研究所
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即ち、酸化物導電体は、縮退半導体であり、伝導帯端とフ ェ ルミ準位 とが一致または略一致していると推定される。
- 公開日:2019/04/18
- 出典:表示装置の作製方法
- 出願人:株式会社半導体エネルギー研究所
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そうすることにより、フェ ルミ準位 (Ef)は真性フェルミ準位(Ei)と同じレベルにまですることができる。
- 公開日:2019/02/14
- 出典:半導体装置
- 出願人:株式会社半導体エネルギー研究所
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そうすることにより、フェ ルミ準位 (EF)は真性フェルミ準位(Ei)と同じレベルにまですることができる。
- 公開日:2019/01/10
- 出典:半導体装置の作製方法
- 出願人:株式会社半導体エネルギー研究所
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上記構成により、矢印で示すように、フェ ルミ準位 (Ef)は真性フェルミ準位(Ei)と同じレベルに限りなく近づけることがで きる。
- 公開日:2018/10/25
- 出典:半導体装置
- 出願人:株式会社半導体エネルギー研究所
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そうすることにより、フェ ルミ準位 (Ef)は真性フェルミ準位(Ei)と同じレベルにまでする、或いはそれに限 りなく近づけることができる。
- 公開日:2018/07/05
- 出典:半導体装置
- 出願人:株式会社半導体エネルギー研究所
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酸化物半 導体がn型である場合のフェ ルミ準位 (Ef)は、バンドギャップ中央に位置する真性フ ェルミ準位(Ei)から離れて、伝導帯寄りに位置している。
- 公開日:2018/03/01
- 出典:液晶表示パネルの作製方法
- 出願人:株式会社半導体エネルギー研究所
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そうすることにより、フ ェ ルミ準位 (Ef)は真性フェルミ準位(Ei)と同じレベルにまですることができる。
- 公開日:2018/02/15
- 出典:表示装置
- 出願人:株式会社半導体エネルギー研究所
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