マイクロ秒 の意味・用法を知る
マイクロ秒 とは、結晶、結晶のための後処理 やCVD などの分野において活用されるキーワードであり、ダウ・コーニング・コーポレイション やセイコーエプソン株式会社 などが関連する技術を3,819件開発しています。
このページでは、 マイクロ秒 を含む技術文献に基づき、その意味・用法のみならず、活用される分野や市場、法人・人物などを網羅的に把握することができます。
マイクロ秒の意味・用法
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装置であって、160 マイクロ秒 の短いフレーム間間隔(SIFS)時間と40マイクロ秒のクリアチャンネルアセスメント(CCA)時間に基づく開始時間に、サブ1ギガヘルツ(GHz)ワイヤレスネットワークを介して、フレームを送信するように構成された送信機を備え、前記開始時間はさらに、6マイクロ秒のエア伝搬時間に基づく、装置。
- 登録日:2017/12/15
- 出典:サブ1ギガヘルツワイヤレスネットワークに関するフレーム間間隔持続期間
- 出願人:クゥアルコム・インコーポレイテッド
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フラッシュ光照射時間は10 マイクロ秒 以上100マイクロ秒以下としている。
- 公開日:2014/04/17
- 出典:熱処理方法および熱処理装置
- 出願人:株式会社SCREENホールディングス
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前記CO2レーザは、パルスモードで動作し、9.3〜9.6マイクロメートルの波長と、約50 マイクロ秒 以下の上昇および下降時間とを有する光エネルギーを出力する、請求項1に記載のシステム。
- 公開日:2013/01/10
- 出典:中範囲のガス圧を用いる歯科用レーザシステム
- 出願人:モンティー,ネイサンポール
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前記1または複数のインタ・フレーム・タイミング・パラメータは、32 マイクロ秒 に等しいCCA−Time、2マイクロ秒に等しいRxTx−Turnaround−Time、1マイクロ秒に等しいAir−Propagation−Time、2マイクロ秒に等しいMAC−Processing−Delay、37マイクロ秒に等しいSlot−Time、37マイクロ秒に等しいSIFS時間、または111マイクロ秒に等しいDIFS時間のうちの少なくとも1つを備え、前記ダウン・クロックされた信号サンプルは、5MHzキャリアで送信される、請求項10に記載の装置。
- 公開日:2014/05/19
- 出典:40MHzチャネルのためのビット割当
- 出願人:クゥアルコム・インコーポレイテッド
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図11A,図11B,図11C,及び図11Dは,それぞれ周波数掃引速度を0.5 マイクロ秒 ,5マイクロ秒,50マイクロ秒,又は500μsマイクロ秒としたときのキャリブレーション用のデータを示す図である。
- 公開日:2009/11/12
- 出典:超高速光周波数掃引技術
- 出願人:独立行政法人情報通信研究機構
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このMGCR とM2tの期間は約45 マイクロ秒 と規定されている。
- 公開日:1995/08/11
- 出典:ゴースト除去方法および装置
- 出願人:日本放送協会
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得られるコーティングが0.5 マイクロ秒 〜1000マイクロ秒のキャリアライフタイムを有するように、シリコンカーバイドコーティングを基板上に堆積させる方法であって、a.ジクロロシランガス、メチルハイドロジェンジクロロシランガス、ジメチルジクロロシランガス、及びそれらの混合物から選択されるクロロシランガスと、炭素含有ガスと、水素ガスとを含む混合ガスを、単結晶シリコンカーバイド基板を含有する反応チャンバ内に導入すること、及びb.1200℃より高いが1800℃より低い温度に該基板を加熱すること、を含むが、但し、該反応チャンバ内の圧力は10torr〜250torrの範囲に維持されるものとする、シリコンカー...
- 公開日:2015/04/30
- 出典:キャリアライフタイムが改善された基板を製造する方法
- 出願人:ダウ・コーニング・コーポレイション
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得られるコーティングが0.5 マイクロ秒 〜1000マイクロ秒のキャリアライフタイムを有するように、シリコンカーバイドコーティングを基板上に堆積させる方法を提供する。
- 公開日:2013/03/07
- 出典:キャリアライフタイムが改善された基板を製造する方法
- 出願人:ダウ・コーニング・コーポレイション
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全細胞記録は-80mVに電位を固定して行い、30秒に一度の頻度で100 マイクロ秒 の刺激を加えた。
- 公開日:2020/03/26
- 出典:AMPA受容体に関連する疾患の予防及び/又は治療剤
- 出願人:公立大学法人横浜市立大学
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電力変換装置10の演算周期は、数十 マイクロ秒 〜数ミリ秒と非常に細かい。
- 公開日:2020/03/26
- 出典:電力変換装置、情報処理方法、及びプログラム
- 出願人:富士電機株式会社
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結晶、結晶のための後処理
- 目的・対象とする結晶の形態
- 結晶自体の特徴(クレーム)
- 材料1(元素状、合金)
- 材料2(酸化物)
- 材料3(複合酸化物)
- 材料4(酸素酸塩)
- 材料5(〜化物)
- 材料6(有機物)
- 固相成長
- 液相成長1(常温で液体の溶媒を使用する)
- 液相成長2(溶融溶媒を使用するもの)CG優先
- 液相成長3(融液の凝固によるもの)
- 液相成長4(ゾーンメルティング)
- 液相成長5(融液からの引き出し)
- 液相成長6(液相エピタキシャル)
- 気相成長1(蒸着、昇華)
- 気相成長2(CVD)
- 結晶成長共通1(成長条件の制御)固相成長を除く
- 結晶成長共通2(不純物のドーピング)
- 結晶成長共通3(原料の調製、原料組成)
- 結晶成長共通4(種結晶、基板)
- 結晶成長共通5(成長前の基板の処理、保護)
- 結晶成長共通6(基板への多層成長)
- 結晶成長共通7(装置、治具)
- 結晶成長共通8(検知、制御)
- 結晶成長共通9(特定の成長環境の付加)
- 後処理1(拡散源、その配置)
- 後処理2(後処理のための基板表面の前処理)
- 後処理3(気相からのドーピング)
- 後処理4(電磁波、粒子線照射によるドーピング)
- 後処理5(加熱、冷却処理)
- 後処理6(結晶の接合)
- 後処理7(エッチング、機械加工)
- 後処理8(電場、磁場、エネルギー線の利用)
- 後処理9(その他)
- 後処理10(装置、治具の特徴)
- 結晶の物理的、化学的性質等の評価、決定
- 用途
- 固相からの直接単結晶成長
- 単結晶成長プロセス・装置
- 圧力を加えるもの 例、水熱法
- 塩溶媒を用いるもの 例、フラックス成長
- るつぼ、容器またはその支持体
- ノ−マルフリ−ジングまたは温度勾配凝固
- ゾ−ンメルティングによる単結晶成長、精製
- 溶媒を用いるもの
- るつぼ、容器またはその支持体
- 誘導による溶融ゾ−ンの加熱
- 電磁波による加熱(集光加熱等)
- 制御または調整
- 材料またはヒ−タ−の移動機構、保持具
- 融液からの引出し(保護流体下も含む)
- 結晶化物質(原料)、反応剤の充填、添加
- 引出し方向に特徴
- 融液を入れるるつぼ、容器またはその支持体
- 融液、封止剤または結晶化した物質の加熱
- 制御または調整
- 融液、封止剤、結晶の回転、移動機構
- 種結晶保持器
- 種結晶
- 縁部限定薄膜結晶成長
- 液相エピタキシャル成長
- 特殊な物理的条件下での単結晶成長
- PVD
- イオン化蒸気の凝縮
- 分子線エピタキシャル法
- CVD
- エピタキシャル成長法、装置
- 製造工程
- 反応室
- 反応室または基板の加熱
- 基板保持体またはサセプタ
- 基板とガス流との関係
- ガスの供給・排出手段;反応ガス流の調節
- 制御または調節
- 基板
- 特殊な物理的条件下での単結晶成長
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気相成長(金属層を除く)
- 成長法
- 成長層の組成
- 導入ガス
- 成長条件(1)成膜温度T 請求項+実施例に記載されている成膜温度を全て付与する(除く従来例)
- 成長条件(2)成膜時の圧力P 請求項+実施例に記載されている成膜時の圧力を全て付与する(除く従来例)
- 被成膜面の組成・基板の特徴・ダミー基板・マスク
- 目的
- 半導体素子等への用途
- 機能的用途
- 半導体成長層の構造
- 半導体層の選択成長
- 絶縁体成長層の構造・絶縁体層の選択成長
- 装置の形式(1)基板支持の形態・成膜中の基板の運動 図面+詳細な説明に例示されている形式をすべて付与する(除く従来例)
- 装置の形式(2)成膜室の形態 図面+詳細な説明に例示されている形式をすべて付与する(除く従来例)
- 成膜一般
- 成膜室・配管構造・配管方法
- ガス供給・圧力制御
- ノズル・整流・遮蔽・排気口
- 排気・排気制御・廃ガス処理
- プラズマ処理・プラズマ制御
- 冷却
- 加熱(照射)・温度制御
- 基板支持
- 搬出入口・蓋・搬送・搬出入
- 測定・測定結果に基づく制御・制御一般
- 機械加工プロセスとの組み合わせ
- 他プロセスとの組合せ
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電気機械時計
- 目的(一般)
- 付加機能
- 表示
- 表示駆動手段
- 構造
- 部品・素子・材料
- 指針位置検出
- 回路
- 電源
- 目的(ステップモータ)
- ステップモータの用途
- ステップモータ周辺構成の材料
- ステップモータを有する時計の電源
- ステップモータを有する時計の表示形態
- ステップモータを有する時計の付加機能
- ステップモータおよびその周辺の構造
- ステップモータ制御回路
- 目的(時刻表示設定)
- 修正対象となる時計
- 修正用表示
- 駆動機構の停止・起動による修正
- 早送り修正
- 進み遅れ修正
- 操作部材による修正・修正制御
- 修正時の指針位置検出
- 外部信号による修正
- 目的(電源)
- 電源の種類
- 電池の使用形態
- 電池の形状
- 電池の配置・保持
- 電源に関する電気的接続・配線
- 電源回路
- 電源状態の表示
- 発電・充電
- 電源の開閉
- 電源が供給される回路
- 目的(時報・アラーム・タイマ)
- 時報・アラーム・タイマ装置の電源
- 時報・アラーム・タイマ装置の表示手段
- 時報・アラーム・タイマの付加機能・用途
- 音響的時報・アラーム・タイマ表示
- 音響以外の時報・アラーム・タイマ表示
- 時報・アラーム・タイマ音の制御
- 時報・アラーム・タイマの制御
- 時報・アラーム・タイマ時刻の検出
- 時報・アラーム・タイマの設定
- 時報・アラーム・タイマ制御・設定回路