シリコン基板 の意味・用法を知る

シリコン基板 を有する液体吐出ヘッドであって、前記シリコン基板の第一の面上に形成された絶縁層Ａと、前記絶縁層Ａ上に形成された、金属酸化物を含む保護層Ａと、前記保護層Ａ上に前記保護層Ａと直接接触して形成され、有機樹脂を含み液体の流路の一部を形成する構造体と、前記シリコン基板の前記第一の面とは反対側の第二の面上に形成された、前記液体を吐出するために利用されるエネルギーを発生する素子と、を有することを特徴とする液体吐出ヘッド。

• 公開日：2017/12/07
• 出典：液体吐出ヘッドおよびその製造方法、並びに記録方法
• 出願人：キヤノン株式会社

太陽電池素子１は、結晶系の シリコン基板 １０と、シリコン基板１０の第１主面上に形成された、リンを不純物として含むＰドープシリコン酸化物層２０と、Ｐドープシリコン酸化物層２０の上に形成された非晶質シリコン層３０とを備える。

• 公開日：2017/08/10
• 出典：太陽電池素子および太陽電池モジュール
• 出願人：パナソニックＩＰマネジメント株式会社

図５Ｄは、図５Ｃに示す シリコン基板 の裏面にｐ型非晶質半導体層が形成された状態の断面図である。

• 公開日：2016/06/20
• 出典：光電変換装置
• 出願人：シャープ株式会社

第１面及び当該第１面に対向する第２面を有する基部と、前記基部の前記第１面側に形成されてなる複数の微細凸部とを備える微細凸状構造体を製造する方法であって、シリカ粒子を含む硬化性樹脂を シリコン基板 の第１面上に塗布する樹脂塗布工程と、前記シリコン基板の前記第１面上に塗布された前記硬化性樹脂を硬化させる樹脂硬化工程と、前記硬化させた硬化性樹脂を除去し、前記シリカ粒子を前記第１面上に残存させる樹脂除去工程と、前記シリカ粒子が残存する前記シリコン基板の前記第１面に対して臭化水素（ＨＢｒ）をエッチングガスとして用いるエッチング処理を施す第１エッチング工程と、前記エッチング処理が施された前記基板の前記第１面上...

• 公開日：2018/03/01
• 出典：微細凹凸構造体、並びに微細凸状構造体及び微細凹状構造体の製造方法
• 出願人：大日本印刷株式会社

所望する程度に低いコンタクト抵抗と所望する程度に高い開放電圧を示すセルを形成可能な シリコン基板 を製造できる、シリコン基板の製造方法を提供すること。

• 公開日：2018/03/29
• 出典：シリコン基板の製造方法
• 出願人：株式会社カネカ

本発明の単結晶磁気抵抗素子は、 シリコン基板 １１と、このシリコン基板１１に積層されたＢ２構造の下地層１２と、当該Ｂ２構造の下地層１２に積層された第１の非磁性層１３と、下部強磁性層１４及び上部強磁性層１６、並びに当該下部強磁性層１４と当該上部強磁性層１６の間に設けられた第２の非磁性層１５を有する積層体層を少なくとも一つ有する巨大磁気抵抗効果層１７と、を備える

• 公開日：2017/06/08
• 出典：単結晶磁気抵抗素子、その製造方法及びその使用方法
• 出願人：国立研究開発法人物質・材料研究機構

前記単結晶希土類酸化物の第１層(12)は シリコン基板 (10)に隣接してシリコン基板(10)の格子定数に近い第一の格子定数を有し、希土類酸化物の第１層(12)の上面に隣接して、選択されたIII-N材料(18)の格子定数に近い第２の格子定数を有する。

• 公開日：2017/01/26
• 出典：応力を緩和するアモルファスＳｉＯ２中間層
• 出願人：アイキューイーピーエルシー

シリコン基板 を移動させた場合には、画像処理部が、移動検出部により検出されたシリコン基板の移動方向および移動量に基づいて、第１カメラにより撮影し画像記憶部に記憶した第１の第１アライメントマーク１０１ａの画像の第１表示部９ａにおける表示位置を、シリコン基板の移動に同期させて移動させる。

• 公開日：2017/10/12
• 出典：基板の位置決め方法および基板の位置決め装置
• 出願人：株式会社大日本科研

ＳＯＩ基板の加工方法は、 シリコン基板 、酸化シリコン層、及びシリコン層を含むＳＯＩ基板において、シリコン基板が配置された面側から酸化シリコン層を露出する開口部を形成し、開口部が形成された面側から、酸化シリコン層を等方性の第１エッチングでエッチングし、第１エッチングの後に、開口部が形成された面側から異方性の第２エッチングでエッチングすることで、シリコン層の開口部が形成された面側を露出する。

• 公開日：2017/08/10
• 出典：ＳＯＩ基板、ＳＯＩ基板の加工方法、絞り装置及びその製造方法
• 出願人：大日本印刷株式会社

シリコン基板 （Ｗ１）の表面側にガラス基板（Ｗ２）が接着された積層ウェーハ（Ｗ）の加工方法であり、赤外線が透過しにくい不透過層（１４）が形成されたシリコン基板の裏面側から、デバイスが形成されていない外周余剰領域を切り込んでシリコン基板を露出させ、外周余剰領域で露出したシリコン基板の上方に赤外線カメラを位置づけてシリコン基板の表面側の分割予定ラインを検出してアライメントを実施し、シリコン基板用の第１切削ブレードで分割予定ラインに沿って切り込んでシリコン基板を分割し、ガラス基板用の第２切削ブレードでシリコン基板を分割した溝に沿って切り込んでガラス基板を分割する構成にした。

• 公開日：2018/03/15
• 出典：積層ウェーハの加工方法
• 出願人：株式会社ディスコ