ギャップフィル の意味・用法を知る

また、キャップ膜としての第２絶縁膜３０は、成膜速度が速くボイド抑制の薄膜化の限界が３０ｎｍであり、 ギャップフィル まで行う場合には１０００ｎｍで十分であるため、前記膜厚の範囲としている。

• 公開日：2008/07/24
• 出典：半導体装置の製造方法および半導体装置
• 出願人：シャープ株式会社

従来のＣＭＰ（chemical mechanical polishing：化学機械的研磨)工程は、塩基性スラリー（slurry）を用いてプラグを隔離させる方法でプラグ材料と、ワードライン（word line）のハードマスク層に用いられる窒化膜と、平坦化及び ギャップフィル （gap fill）材料に用いられる酸化膜を研磨する工程の際、窒化膜とプラグ材料及び酸化膜のエッチング選択比の差により窒化膜に比べてプラグ材料と酸化膜がディッシングされる現象が誘発され、他の酸化膜をさらに蒸着しなければならない工程上の問題点がある。

• 公開日：2003/04/11
• 出典：半導体素子の形成方法
• 出願人：現代電子産業株式会社

ギャップフィル ムと接着剤の接触によるインダクタンスの低下を抑制して、生産性を向上したトランスを提供することを目的としている。

• 公開日：2003/10/31
• 出典：トランス
• 出願人：パナソニック株式会社

本発明に係る重合体をレジスト下層膜用材料として用いる場合、ベーク工程中にピンホールおよびボイドの形成や厚さのばらつきをほとんど生じることなく、均一なレジスト下層膜を形成することができるだけでなく、下部基板（または膜）に段差が存在する場合、あるいはパターンを形成する場合、優れた ギャップフィル および平坦化特性を提供することができる。

• 公開日：2020/03/19
• 出典：レジスト下層膜用組成物およびこれを用いたパターン形成方法
• 出願人：三星エスディアイ株式会社

本明細書で使用する場合、用語「シーム」は、 ギャップフィル 金属に形成される縁の当接によって形成される線または一つもしくは複数のボイドを指すことができ、「シーム」は走査型透過電子顕微鏡法（ＳＴＥＭ）または透過電子顕微鏡法（ＴＥＭ）を使用して確認できるが、観察によって垂直なギャップフィル金属にはっきりした垂直な線または一つもしくは複数のボイド、または水平なギャップフィル金属にはっきりした水平な線または一つもしくは複数の水平なボイドが明らかになった場合、「シーム」が存在する。

• 公開日：2020/02/27
• 出典：周期的堆積プロセスによって基材の誘電体表面上にモリブデン金属膜を堆積させる方法および関連する半導体デバイス構造
• 出願人：アーエスエム・イーぺー・ホールディング・ベスローテン・フェンノートシャップ

上部支持膜ＵＳＰは内部空間ＩＮＳの上部を満たす ギャップフィル （ｇａｐｆｉｌｌ）特性を有する物質を含む。

• 公開日：2020/01/16
• 出典：半導体メモリ素子
• 出願人：三星電子株式會社

続いて、トレンチを ギャップフィル （ｇａｐ ｆｉｌｌ）するまでＳＯＤ酸化膜（１５）を形成した後、パッド窒化膜（１４）を研磨停止膜としてＳＯＤ酸化膜（１５）に対してＣＭＰ工程を行う。

• 公開日：2020/01/16
• 出典：エッチング用組成物及びこれを用いた半導体素子の製造方法
• 出願人：テクノセミケムシーオー．，エルティーディー．

それだけでなく、下部基板（または膜）に段差が存在する場合、またはパターンを形成する場合、優れた ギャップフィル および平坦化特性を提供することができる。

• 公開日：2019/12/19
• 出典：レジスト下層膜用組成物およびこれを用いたパターン形成方法
• 出願人：三星エスディアイ株式会社

次いで、トレンチを ギャップフィル するまでＳＯＤ酸化膜１５を形成した後、パッド窒化膜１４を研磨停止膜としてＳＯＤ酸化膜１５に対してＣＭＰ工程を行う。

• 公開日：2019/11/28
• 出典：エッチング液組成物及びシラン化合物
• 出願人：エスケーエネルギー株式会社

本発明による塗料は、パトロンフィルタ、ワイヤ ギャップフィル タ、ウェッジワイヤフィルタ、メタルエッジフィルタ、ＥＧＬＭ ｔｕｒｎｏｃｌｅａｎフィルタ（Ｃｕｎｏ）、ＤＥＬＴＡストレインフィルター（Ｃｕｎｏ）、及びＪｅｎａｇストレイナフィルタ（Ｊｅｎａｇ）を用いて、或いは振動濾過により、濾過し得る。

• 公開日：2019/11/28
• 出典：新規なポリシロキサン系汚損抑制塗装系
• 出願人：ヘンペルエイ／エス