ギャップフィル の意味・用法を知る

また、キャップ膜としての第２絶縁膜３０は、成膜速度が速くボイド抑制の薄膜化の限界が３０ｎｍであり、 ギャップフィル まで行う場合には１０００ｎｍで十分であるため、前記膜厚の範囲としている。

• 公開日：2008/07/24
• 出典：半導体装置の製造方法および半導体装置
• 出願人：シャープ株式会社

従来のＣＭＰ（chemical mechanical polishing：化学機械的研磨)工程は、塩基性スラリー（slurry）を用いてプラグを隔離させる方法でプラグ材料と、ワードライン（word line）のハードマスク層に用いられる窒化膜と、平坦化及び ギャップフィル （gap fill）材料に用いられる酸化膜を研磨する工程の際、窒化膜とプラグ材料及び酸化膜のエッチング選択比の差により窒化膜に比べてプラグ材料と酸化膜がディッシングされる現象が誘発され、他の酸化膜をさらに蒸着しなければならない工程上の問題点がある。

• 公開日：2003/04/11
• 出典：半導体素子の形成方法
• 出願人：現代電子産業株式会社

ギャップフィル ムと接着剤の接触によるインダクタンスの低下を抑制して、生産性を向上したトランスを提供することを目的としている。

• 公開日：2003/10/31
• 出典：トランス
• 出願人：パナソニック株式会社

...必要に応じて作成することができる。例えば、データセットの作成には、代表的な集団、またはその選択されたサブセット内のそれぞれの対象からバイオマーカーレベル値を作成することを含んでもよい。しかし、未加工のバイオマーカーレベルデータ単独では、モデルを訓練する目的に完全には有用でない場合がある。したがって、 ギャップフィル 手法（例えば、最近傍内挿または他のパターン認識）、品質検査、様々な式（例えば、統計的分類アルゴリズム）を使用したデータの組み合せ、正規化、および／または変換、例えば、モデル要件を満たすためにデータの分布を変化させるための対数関数（例えば、底１０、自然対数など）などの、様々なデータ作成方...

• 公開日：2019/09/05
• 出典：肝疾患関連バイオマーカーおよびその使用方法
• 出願人：深じぇん市絵云生物科技有限公司

また、第１絶縁層１３１と離隔距離ｄ４を有することによって第２絶縁層１３２の ギャップフィル （Ｇａｐ−ｆｉｌ）特性が向上し得る。

• 公開日：2019/08/08
• 出典：半導体素子
• 出願人：エルジーエレクトロニクスインコーポレイティド

また、第１絶縁層１３１と離隔距離ｄ４を有することによって第２絶縁層１３２の ギャップフィル （Ｇａｐ−ｆｉｌ）特性が向上し得る。

• 公開日：2019/08/08
• 出典：半導体素子
• 出願人：エルジーエレクトロニクスインコーポレイティド

別の例として、図８及び図９に関して示され、本明細書においてさらに説明されるように、ギャップフィラー材料（例えば、軟質 ギャップフィル パッド）は、モジュールの角部に置くことが望ましい場合がある（例えば輸送及び振動における付加的な制動のため）。

• 公開日：2019/07/18
• 出典：熱界面材料構造体、それを含む装置、および、その形成方法
• 出願人：インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイーシヨン

さらに、ＰＥＣＶＤによりＴＥＯＳを使用して堆積される膜については、 ギャップフィル および共形性（ｃｏｎｆｏｒｍａｌｉｔｙ）はこれらの低堆積温度で、より良好である。

• 公開日：2019/07/18
• 出典：薄膜トランジスター機器上にケイ素含有膜を製造する方法
• 出願人：バーサムマテリアルズユーエス，リミティドライアビリティカンパニー

前記加熱電極層上において、前記加熱電極層に垂直にオーバーラップされるように配置され、前記第１メモリセルピラーと前記第２メモリセルピラーとの間に介在された ギャップフィル 絶縁ピラーと、前記加熱電極層と前記ギャップフィル絶縁ピラーとの間に介在された絶縁スペーサと、をさらに含み、前記絶縁スペーサは、前記第１側壁に接する第１部分と、前記第２側壁に接する第２部分と、を含むことを特徴とする請求項１５に記載のメモリ素子。

• 公開日：2019/01/17
• 出典：メモリ素子及びその製造方法
• 出願人：三星電子株式會社

本発明に係る重合体をレジスト下層膜用材料として用いる場合、ベーキング工程中にピンホールおよびボイドの形成や厚さのばらつきがほとんどない略均一な薄膜を形成することができるだけでなく、下部基板（または膜）に段差が存在する場合、あるいはパターンを形成する場合、優れた ギャップフィル および平坦化特性を提供することができる。

• 公開日：2018/08/09
• 出典：レジスト下層膜用組成物およびこれを用いたパターン形成方法
• 出願人：三星エスディアイ株式会社