ギャップフィル の意味・用法を知る

また、キャップ膜としての第２絶縁膜３０は、成膜速度が速くボイド抑制の薄膜化の限界が３０ｎｍであり、 ギャップフィル まで行う場合には１０００ｎｍで十分であるため、前記膜厚の範囲としている。

• 公開日：2008/07/24
• 出典：半導体装置の製造方法および半導体装置
• 出願人：シャープ株式会社

従来のＣＭＰ（chemical mechanical polishing：化学機械的研磨)工程は、塩基性スラリー（slurry）を用いてプラグを隔離させる方法でプラグ材料と、ワードライン（word line）のハードマスク層に用いられる窒化膜と、平坦化及び ギャップフィル （gap fill）材料に用いられる酸化膜を研磨する工程の際、窒化膜とプラグ材料及び酸化膜のエッチング選択比の差により窒化膜に比べてプラグ材料と酸化膜がディッシングされる現象が誘発され、他の酸化膜をさらに蒸着しなければならない工程上の問題点がある。

• 公開日：2003/04/11
• 出典：半導体素子の形成方法
• 出願人：エスケーハイニックス株式会社

ギャップフィル ムと接着剤の接触によるインダクタンスの低下を抑制して、生産性を向上したトランスを提供することを目的としている。

• 公開日：2003/10/31
• 出典：トランス
• 出願人：パナソニック株式会社

本発明に係る重合体をレジスト下層膜用材料として用いる場合、ベーキング工程中にピンホールおよびボイドの形成や厚さのばらつきがほとんどない略均一な薄膜を形成することができるだけでなく、下部基板（または膜）に段差が存在する場合、あるいはパターンを形成する場合、優れた ギャップフィル および平坦化特性を提供することができる。

• 公開日：2018/08/09
• 出典：レジスト下層膜用組成物およびこれを用いたパターン形成方法
• 出願人：サムスンエスディアイカンパニーリミテッド

第１領域Ｉにおいて、第１フィン型活性領域Ｆ１上には、第１インターフェース膜５２２Ａ、第１高誘電膜５２４Ａ、第１エッチング停止層５２６Ａ、第１仕事関数調節層５２８、第２仕事関数調節層５２９及び第１ ギャップフィル ゲート膜５３０Ａが順に積層された第１ゲート構造物ＧＡが、前記第１フィン型活性領域Ｆ１の延長方向に交差する方向（図５Ａないし図５Ｃにおいて、Ｘ方向）に延長されている。

• 公開日：2018/06/14
• 出典：スズ化合物、その合成方法、ＡＬＤ用スズ前駆体化合物、及びスズ含有物質膜の形成方法
• 出願人：三星電子株式會社

ゲート構造体４２０において、第１金属含有層４２６Ａ、第２金属含有層４２６Ｂ及び ギャップフィル 金属層４２８は、ゲート電極４２０Ｇを構成する。

• 公開日：2018/03/29
• 出典：アルミニウム化合物、及びそれを利用した薄膜形成方法、並びに集積回路素子の製造方法
• 出願人：三星電子株式會社

（評価２： ギャップフィル （Ｇａｐ−ｆｉｌｌ）特性） パターンが形成されたシリコンウエハ上に、比較例１および２、および実施例１〜７によるシリカ膜形成用組成物を塗布して、ベーク工程を経て薄膜を形成した。

• 公開日：2018/03/08
• 出典：シリカ膜形成用組成物、およびシリカ膜
• 出願人：サムスンエスディアイカンパニーリミテッド

ゲート構造体４２０において、第１金属含有層４２６Ａ、第２金属含有層４２６Ｂ、及び ギャップフィル 金属層４２８は、ゲート電極４２０Ｇを構成する。

• 公開日：2018/01/18
• 出典：アルミニウム化合物とそれを利用した薄膜形成方法及び集積回路素子の製造方法
• 出願人：三星電子株式會社

たとえば、入力データは、エッチング、ＣＭＰ、 ギャップフィル 、ブランケット、ＲＴＰなどに関するステップ中にプロセス機器７２０から収集されてよく、たとえばプロセス持続時間、温度、圧力、ＲＦ周波数などのプロセス変数を含んでよい。

• 公開日：2017/12/07
• 出典：半導体製造プロセスのための改善されたプロセス制御技術
• 出願人：ストリームモザイク，インコーポレイテッド

一部の実施形態では、誘電体膜は、エッチングストッパー、ｌｏｗ−ｋスペーサ又は ギャップフィル タとして用いられうる。

• 公開日：2017/08/24
• 出典：トレンチの側壁又は平坦面に選択的に窒化ケイ素膜を形成する方法
• 出願人：エーエスエムアイピーホールディングビー．ブイ．