アルゴン の意味・用法を知る

プラズマ援用処理でシリコンウェーハから太陽電池を製造する方法であって、フッ素および窒素の混合物、フッ素および アルゴン の混合物、または、フッ素および窒素およびアルゴンの混合物から成るエッチングガスでウェーハをエッチングするステップを含み、前記ウェーハの表面をエッチングして前記表面を粗面化する、方法。

• 公開日：2017/01/19
• 出典：太陽電池の製造方法
• 出願人：ゾルファイフルーオルゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツング

２７０Ａ未満の電流値であっても、シールドガスにおける アルゴン の割合を低減しつつスプレー移行を実現することが可能な鋼材のＭＡＧ溶接方法を提供する。

• 公開日：2015/11/19
• 出典：鋼材のＭＡＧ溶接方法
• 出願人：岩谷産業株式会社

エチレンオキシドの製造プロセスにおける アルゴン パージ量を削減することが可能な技術の提供。

• 公開日：2015/11/09
• 出典：エチレンオキシドの製造方法
• 出願人：株式会社日本触媒

密閉状態の粉砕処理室１１内で希土類の磁石原料を粉砕して磁石粉末を生成する磁石原料粉砕手段１２と、粉砕処理室内に新規の アルゴン ガスを導入するアルゴンガス導入手段１３と、粉砕処理室から排出される排ガス中の磁石粉末を磁石で捕捉して排ガス中から磁石粉末を分離する磁石粉末分離手段１５と、磁石粉末分離手段で磁石粉末を分離した後の排ガスの成分を分析するガス分析手段１９と、ガス分析手段で分析したアルゴン成分の濃度があらかじめ設定されたアルゴン濃度以上のときに、前記排ガスを粉砕処理室内に導入するアルゴンガス循環手段２０とを備えている。

• 公開日：2015/07/30
• 出典：磁石粉砕装置
• 出願人：大陽日酸株式会社

アルゴン を２３０℃で水素により置換した。

• 公開日：2016/01/14
• 出典：フィッシャー・トロプシュ触媒の調製方法
• 出願人：サゾルテクノロジー（プロプライアタリー）リミティド

１０体積％以上２５体積％以下のフッ素（Ｆ２）、５体積％以上１５体積％以下の アルゴン （Ａｒ）、６５体積％以上８０体積％以下の窒素（Ｎ２）を含み、含有量が合計１００体積％となる、フッ素（Ｆ２）、窒素（Ｎ２）及びアルゴン（Ａｒ）からなる半導体ウェハのエッチング用気体混合物及びそれを使用する方法。

• 公開日：2016/05/19
• 出典：微小電気機械システムの生産方法
• 出願人：ゾルファイフルーオルゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツング

圧縮及び冷却された原料空気の深冷分離によって アルゴン 生成物を獲得するために構成された空気分離装置であって、空気分離装置は、高圧塔と、複数の部分から構成された低圧塔と、複数の部分から構成された粗アルゴン塔とを有し、低圧塔は、底部と、該底部から空間的に分離して配置された頂部とを有し、粗アルゴン塔は、底部と、該底部から空間的に分離して配置された頂部とを有し、高圧塔において、原料空気の少なくとも一部から酸素が富化された流れが獲得され、低圧塔において、酸素が富化された流れの少なくとも一部からアルゴンが富化された流れが獲得され、粗アルゴン塔において、アルゴンが富化された流れの少なくとも一部からアルゴンに富...

• 公開日：2016/05/26
• 出典：空気分離装置、アルゴンを含有する生成物を獲得する方法、及び、空気分離装置を建造する方法
• 出願人：リンデ・アクチエンゲゼルシャフト

このとき、後の白金拡散工程においてｐ+アノード層（７）の、ｎ-ドリフト層（６）とのｐｎ接合付近の電子進入領域内に白金原子（１１）が局在するよう、 アルゴン （８）の飛程はｐ+アノード層（７）の拡散深さ（Ｘｊ）より浅くする。

• 公開日：2017/04/27
• 出典：半導体装置および半導体装置の製造方法
• 出願人：富士電機株式会社

ガス導入口およびガス排気口を有する処理空間内に、回路素子を搬入する工程と、ガス排気口に設けられた排気バルブを開度１００％に設定して、処理空間内を排気する工程と、処理空間内の圧力が第一設定値に達した後、排気バルブの開度を１００％からα％、ただしα＜１００、に変更するとともに、処理空間内に アルゴン とフルオロカーボンとを含むガスを導入する工程と、ガスが導入された処理空間内の圧力が第二設定値に達した後、処理空間内に高周波電界を発生させ、これにより生成したプラズマにより、回路素子をクリーニングする工程と、を具備する、プラズマクリーニング方法。

• 公開日：2014/09/18
• 出典：プラズマクリーニング方法およびプラズマクリーニング装置
• 出願人：パナソニックＩＰマネジメント株式会社

一対の電極間において、シリコン基板の一方の面に形成された第１の半導体層と、該半導体層上に形成された第２の半導体層と、シリコン基板の他方の面に形成された第３の半導体層と、該シリコン半導体層に接する第４の半導体層と、を有し、第１の半導体層及び第３の半導体層は、 アルゴン を含む原料ガスを用いたプラズマＣＶＤ法で形成する。

• 公開日：2016/06/16
• 出典：光電変換装置の作製方法
• 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所