アルゴン の意味・用法を知る

より具体的には、第１の誘電体層の成膜には、Ｓｉ−１０ｗｔ％Ａｌターゲットを使用し、放電ガスとして、 アルゴン と窒素の混合ガス（アルゴン：窒素＝３０：７０（ｓｃｃｍ））を使用した。

• 登録日：2020/03/09
• 出典：膜積層体および合わせガラス
• 出願人：旭硝子株式会社

硬質相と結合相とを含有する硬質合金からなる基体と、該基体の表面に位置し、ダイヤモンドライクカーボンを含有するＤＬＣ層とを具備する切削工具であって、前記ＤＬＣ層は、層状の第１領域と、該第１領域の上層に位置する層状の第２領域とを有し、前記第１領域は、 アルゴン の含有比率が０．２質量％〜１質量％であり、前記第２領域は、アルゴンの含有比率が０．１質量％未満である、切削工具。

• 登録日：2019/11/08
• 出典：切削工具
• 出願人：京セラ株式会社

プラズマ援用処理でシリコンウェーハから太陽電池を製造する方法であって、フッ素および窒素の混合物、フッ素および アルゴン の混合物、または、フッ素および窒素およびアルゴンの混合物から成るエッチングガスでウェーハをエッチングするステップを含み、前記ウェーハの表面をエッチングして前記表面を粗面化する、方法。

• 公開日：2017/01/19
• 出典：太陽電池の製造方法
• 出願人：ゾルファイフルーオルゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツング

２７０Ａ未満の電流値であっても、シールドガスにおける アルゴン の割合を低減しつつスプレー移行を実現することが可能な鋼材のＭＡＧ溶接方法を提供する。

• 公開日：2015/11/19
• 出典：鋼材のＭＡＧ溶接方法
• 出願人：岩谷産業株式会社

エチレンオキシドの製造プロセスにおける アルゴン パージ量を削減することが可能な技術の提供。

• 公開日：2015/11/09
• 出典：エチレンオキシドの製造方法
• 出願人：株式会社日本触媒

密閉状態の粉砕処理室１１内で希土類の磁石原料を粉砕して磁石粉末を生成する磁石原料粉砕手段１２と、粉砕処理室内に新規の アルゴン ガスを導入するアルゴンガス導入手段１３と、粉砕処理室から排出される排ガス中の磁石粉末を磁石で捕捉して排ガス中から磁石粉末を分離する磁石粉末分離手段１５と、磁石粉末分離手段で磁石粉末を分離した後の排ガスの成分を分析するガス分析手段１９と、ガス分析手段で分析したアルゴン成分の濃度があらかじめ設定されたアルゴン濃度以上のときに、前記排ガスを粉砕処理室内に導入するアルゴンガス循環手段２０とを備えている。

• 公開日：2015/07/30
• 出典：磁石粉砕装置
• 出願人：大陽日酸株式会社

アルゴン を２３０℃で水素により置換した。

• 登録日：2018/03/02
• 出典：フィッシャー・トロプシュ触媒の調製方法
• 出願人：サゾルテクノロジー（プロプライアタリー）リミティド

１０体積％以上２５体積％以下のフッ素（Ｆ２）、５体積％以上１５体積％以下の アルゴン （Ａｒ）、６５体積％以上８０体積％以下の窒素（Ｎ２）を含み、含有量が合計１００体積％となる、フッ素（Ｆ２）、窒素（Ｎ２）及びアルゴン（Ａｒ）からなる半導体ウェハのエッチング用気体混合物及びそれを使用する方法。

• 公開日：2016/05/19
• 出典：微小電気機械システムの生産方法
• 出願人：ゾルファイフルーオルゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツング

圧縮及び冷却された原料空気の深冷分離によって アルゴン を含有する生成物を獲得するために構成されている空気分離装置（１００）であって、前記空気分離装置（１００）は、高圧塔（１）と、複数の部分から構成された低圧塔と、複数の部分から構成された粗アルゴン塔とを有し、前記複数の部分から構成された低圧塔は、底部（２）と、該底部（２）から空間的に分離して配置された頂部（３）とを有し、前記複数の部分から構成された粗アルゴン塔は、底部（４）と、該底部（４）から空間的に分離して配置された頂部（５）とを有し、前記高圧塔（１）において、前記原料空気の少なくとも一部から、少なくとも１つの酸素が富化された流れ（ｄ）が獲得さ...

• 登録日：2017/12/15
• 出典：空気分離装置、アルゴンを含有する生成物を獲得する方法、及び、空気分離装置を建造する方法
• 出願人：リンデ・アクチエンゲゼルシャフト

第１導電型の第１半導体層と、前記第１半導体層の第１主面側の表面層内に選択的に形成された前記第１半導体層よりも高不純物濃度の第２導電型の第２半導体層と、前記第１半導体層と前記第２半導体層とのｐｎ接合から前記第１主面側に向かって前記第２半導体層よりも薄い厚さとなる所定の深さまでの領域内に形成された、 アルゴン を含むアルゴン導入領域と、を備え、前記第１半導体層から前記第２半導体層は、白金が拡散されており、前記アルゴン導入領域で最大濃度となる白金濃度分布を有することを特徴とする半導体装置。

• 登録日：2017/11/10
• 出典：半導体装置および半導体装置の製造方法
• 出願人：富士電機株式会社