RF電源 の意味・用法を知る

... 図２は、異常放電の発生順序を示す表である。 図３は、プレスパーク及びタウンゼント放電の発生によって現れる出力信号Ｓ１の波形を示す図である。 図４は、評価装置２６による評価結果を示す図であり、（ａ）は制御信号Ｓ２が活性化しても運転をそのまま継続したケースを示し、（ｂ）は制御信号Ｓ２の活性化に応答してＲＦ電源装置２１を停止させたケースを示している。 図５は、検出装置２５および制御装置２７の動作を説明するための第１のフローチャートである。 図６は、検出装置２５および制御装置２７の動作を説明するための第２のフローチャートである。 図７は、検出装置２５および制御装置２７の動作を説明するための第３のフロ...

• 公開日：2017/02/02
• 出典：放電分析方法及び放電分析装置
• 出願人：東京電子交易株式会社

本開示の実施形態は、整合ネットワークを介して処理チャンバに結合されたＲＦ電源を用いて、処理チャンバ内でプラズマ処理するための方法及び装置を含む。いくつかの実施形態では、本方法は、整合ネットワークは、ホールドモードにしながら、第１周波数でＲＦ電源によって処理チャンバにＲＦ電力を供給する工程と、プラズマを点火するために、第１期間の間、ＲＦ電源を用いて第１周波数を第２周波数に調整する工程と、プラズマを維持しながら、第２期間の間、ＲＦ電源を用いて第２周波数を既知の第３周波数に調整する工程と、ＲＦ電源によって供給されるＲＦ電力の反射電力を低減させるために、整合ネットワークの動作モードを自動同調モードに変...

• 公開日：2016/09/15
• 出典：プラズマチャンバ内での高速で再現性のあるプラズマの点火及び同調のための装置および方法
• 出願人：アプライドマテリアルズ，インコーポレイティド

上側チャンバ４１４を下側チャンバ４２０に流体連通させるプレートによって隔てられたウエハ処理装置であって、上側チャンバ４１４内の上側電極に接続された第１の高周波（ＲＦ）電源の電圧および周波数を設定する連続波（ＣＷ）コントローラ４２８と、下側チャンバ４２０内の下側電極に接続された第２のＲＦ電源によって生成されるパルスＲＦ信号の電圧、周波数、オン期間の持続時間及びオフ期間の持続時間を設定するパルスコントローラ４３０と、プレートを通して上側チャンバ４１４から下側チャンバ４２０に流れる種の流れを制御するために、ＣＷコントローラ４２８およびパルスコントローラ４３０のパラメータを設定するシステムコントローラ...

• 公開日：2018/03/08
• 出典：デュアルチャンバ構成のパルスプラズマチャンバ
• 出願人：ラムリサーチコーポレイション

...たウエハ処理装置が、連続波（ＣＷ）コントローラと、パルスコントローラと、システムコントローラと、を備える。ＣＷコントローラは、上側チャンバ内の上側電極に接続された第１の高周波（ＲＦ）電源の電圧および周波数を設定するよう動作可能なである。パルスコントローラは、下側チャンバ内の下側電極に接続された第２のＲＦ電源によって生成されるパルスＲＦ信号の電圧、周波数、オン期間の持続時間、および、オフ期間の持続時間を設定するよう動作可能である。さらに、システムコントローラは、チャンバの動作中にプレートを通して上側チャンバから下側チャンバに流れる種の流れを制御するために、ＣＷコントローラおよびパルスコントローラ...

• 公開日：2014/11/27
• 出典：デュアルチャンバ構成のパルスプラズマチャンバ
• 出願人：ラムリサーチコーポレイション

静電チャックの実施形態が、本明細書に提供される。いくつかの実施形態では、所定の幅を有する基板を支持及び保持するための静電チャックは、所定の幅を有する基板を支持するように構成された支持面を有する誘電体部材と、支持面の下の誘電体部材内に配置され、基板の前記所定の幅によって画定されるように、誘電体部材の中心から基板の外周部を越えた領域まで外側へと延びる電極と、電極に結合されたＲＦ電源と、電極に結合されたＤＣ電源を含むことができる。

• 公開日：2015/01/15
• 出典：静電チャック
• 出願人：アプライドマテリアルズ，インコーポレイティド

...節を行った後、バイアスマッチングネットワークを自動モードで維持しながらソースマッチングネットワークをホールドモードに変更し、ソースＲＦ電源について周波数チューニングをＯＮにし、一方、バイアスジェネレータについては周波数チューニングをＯＦＦのままにし、パルシングモードをソースＲＦ電源及び／又はバイアスＲＦ電源についてＯＮにし、バイアスＲＦ電源を周波数チューニングモードにする。

• 公開日：2014/11/27
• 出典：プラズマプロセスを実行するシステムをチューニングするための方法
• 出願人：アプライドマテリアルズ，インコーポレイティド

プラズマ処理装置は、ベースが含まれた反応チャンバを含み、異なるＲＦ周波数出力を有する複数のＲＦ電源がＲＦ電界を反応チャンバ内に加えることを含み、複数のＲＦ電源のうち、少なくとも一つのパルスＲＦ電源の出力は複数の状態を有し、処理方法は、マッチング周波数取得ステップとパルス処理ステップとを含み、マッチング周波数取得ステップにおいて、パルスＲＦ電源の出力状態を切り替えて反応チャンバにパルス処理ステップで現れる複数のインピーダンスを有させる。可変周波数のＲＦ電源の出力周波数を調節し、それを現れたインピーダンスとマッチングする。チューニング後の複数の出力周波数を複数のマッチング周波数として記憶して、後続...

• 公開日：2014/05/08
• 出典：プラズマ処理方法
• 出願人：中微半導体設備（上海）有限公司

ＲＦ電力が、異なる位相オフセットを伴って、プラズマチャンバの電極（２０〜２６）上の異なるＲＦ接続点（３１〜３４）に結合される。好ましくは、異なるＲＦ接続点および対応する位相オフセットの数が、少なくとも４であり、ＲＦ接続点の位置が、電極の２つの直交次元（例えばＸ軸およびＹ軸）に沿って分配される。好ましくは、各ＲＦ接続点への電力が、それぞれに対応するＲＦ電源（４１〜４４）によって供給され、その場合、各電源はその位相を、共通の基準ＲＦ発振器（７０）に同期させる。

• 公開日：2011/04/14
• 出典：ＲＦ電力をプラズマチャンバに結合するための装置
• 出願人：アプライドマテリアルズ，インコーポレイティド

ＲＦ駆動プラズマプロセスチャンバ内の異常状態を、可変周波数ＲＦ電源の周波数が設定した上下限外に移動したかどうかを検出することにより、検出する。

• 公開日：2008/04/17
• 出典：プラズマプロセス異常状態が発生した時に信号を生成する装置
• 出願人：アプライドマテリアルズ，インコーポレイティド

容量結合型プラズマＣＶＤ装置による成膜において、低周波ＲＦ電源をパルス制御することによって、アーク放電が発生する前に高温電子の密度を周期的に抑制し、これによってアーク放電の発生を抑制する。パルス制御は、電力供給を行うオン時間と、電力供給を停止するオフ時間とを一期間として電力供給を周期的に繰り返して行う。パルス制御は、電力供給を停止した後のプラズマ中の電子密度の低下において、電子密度が電力供給を停止してからアーク放電を発生する残留プラズマ閾値となるまでの時間と、電力供給を停止した後のプラズマ中の 高温電子の密度の低下において、電力供給を停止してから所定のプラズマ状態となるまでの時間との間の時間...

• 公開日：2011/06/30
• 出典：プラズマ成膜方法、およびプラズマＣＶＤ装置
• 出願人：株式会社島津製作所