P型半導体 の意味・用法を知る

本発明における電子写真感光体は、導電性支持体とその上に配置される感光層とを有する。当該電子写真感光体の表面は、硬化物と、当該硬化物中に分散されているＰ型半導体粒子とを含有する層によって構成されている。上記硬化物は、グアナミン化合物およびメラミン化合物の一方または両方と、−ＯＨ、−ＯＲ、および−ＣＯＯＨからなる群から選ばれる一以上を有する電荷輸送化合物との反応生成物の構造を有する。なお、上記Ｒは炭素数１〜５のアルキル基を表す。

• 公開日：2016/08/22
• 出典：電子写真感光体、画像形成装置および画像形成方法
• 出願人：コニカミノルタ株式会社

有機感光体は、導電性支持体上に電荷発生層、電荷輸送層および保護層がこの順に積層された有機感光体において、前記保護層が、樹脂中にＰ型半導体微粒子および酸化銅（II）微粒子を含有するものであることを特徴とする。有機感光体においては、前記酸化銅（II）微粒子が、数平均一次粒径が１〜３００ｎｍのものであることが好ましい。また、前記酸化銅（II）微粒子が、前記Ｐ型半導体微粒子に対して０．０５〜５質量％含有されることが好ましい。

• 公開日：2016/06/23
• 出典：有機感光体
• 出願人：コニカミノルタ株式会社

電子写真感光体は、導電性支持体上に感光層が形成され、この感光層上に表面層が形成されてなる電子写真感光体において、前記表面層は、Ｐ型半導体微粒子および有機化合物よりなる電荷輸送剤を含有することを特徴とする。前記Ｐ型半導体微粒子が、ＣｕＡｌＯ2 、ＣｕＧａＯ2 およびＣｕＩｎＯ2 の少なくともいずれか一種からなることが好ましい。

• 公開日：2015/09/28
• 出典：電子写真感光体
• 出願人：コニカミノルタ株式会社

光ダイオードは、アノード、カソード、及び前記アノードと前記カソードの間に位置する真性層を含み、前記真性層はＰ型半導体及びＮ型半導体を含み、前記真性層内における位置に応じてＰ型半導体とＮ型半導体の組成比率が異なる。好ましくは、前記真性層内におけるＰ型半導体とＮ型半導体の組成比率は前記アノード及び前記カソードからの距離に応じて異なり、前記真性層内において、前記アノードと近いほどＰ型半導体の組成比が高まり、前記カソードと近いほどＮ型半導体の組成比が高まる。

• 公開日：2013/04/04
• 出典：光ダイオード
• 出願人：三星電子株式會社

単結晶基板２上に形成されたＰＮ接合酸化物薄膜を有する積層薄膜であって、前記ＰＮ接合酸化物薄膜におけるＮ型半導体酸化物薄膜６及びＰ型半導体酸化物薄膜７が（００ｋ）で表されるＣ軸配向にエピタキシャル成長した、ヘテロエピタキシャルＰＮ接合酸化物薄膜を有する積層薄膜１による。

• 公開日：2013/10/24
• 出典：ヘテロエピタキシャルＰＮ接合酸化物薄膜を有する積層薄膜
• 出願人：ＴＤＫ株式会社

電子写真感光体は、導電性支持体上に感光層が形成され、この感光層上に表面層が形成されてなる電子写真感光体において、前記表面層は、架橋性の重合性化合物を重合反応することによって得られる樹脂、Ｎ型半導体微粒子およびＰ型半導体微粒子を含有することを特徴とする。前記表面層において、前記Ｎ型半導体微粒子に対する前記Ｐ型半導体微粒子の割合が質量比（Ｐ型半導体微粒子の質量部数／Ｎ型半導体微粒子の質量部数）で、０．１以上０．８以下であることが好ましい。

• 公開日：2015/10/05
• 出典：電子写真感光体
• 出願人：コニカミノルタ株式会社

電子写真感光体と、これの表面を負帯電させる近接帯電方式の帯電手段と、電子写真感光体の表面に静電潜像を形成する露光手段と、静電潜像をトナーによって現像する現像手段と、トナー像を転写材に転写する転写手段と、トナー像を転写材上に定着させる定着手段と、電子写真感光体上の残留トナーを除去するクリーニング手段とを備え、電子写真感光体が、導電性支持体上に感光層が形成され、感光層上に保護層が形成されてなり、電子写真感光体を構成する保護層が、バインダー樹脂中にＰ型半導体粒子および絶縁性の架橋重合体よりなる架橋樹脂粒子が含有されてなるものであることを特徴とする。

• 公開日：2015/09/28
• 出典：画像形成装置
• 出願人：コニカミノルタ株式会社

有機Ｐ型半導体化合物５中に、無機Ｎ型半導体化合物粒子６が存在する光電変換活性層４を有する有機無機複合薄膜太陽電池１であって、有機Ｐ型半導体化合物５中に、更に無機Ｐ型半導体化合物粒子３が存在しており、無機Ｐ型半導体化合物粒子３の含有量が、有機Ｐ型半導体化合物５及び無機Ｐ型半導体化合物粒子３の合計に対して５〜５０重量％である有機無機複合薄膜太陽電池。

• 公開日：2013/05/20
• 出典：有機無機複合薄膜太陽電池
• 出願人：積水化学工業株式会社

無機Ｐ型半導体化合物粒子を含有する無機Ｐ型半導体化合物粒子分散液を塗工する工程、及び、塗工した無機Ｐ型半導体化合物粒子分散液に対して、照射強度が１０Ｊ／ｃｍ２以上、パルス幅が２ｍｓ以下のパルス光である白色光を照射することにより、光電変換層を形成する工程を有する光電変換層の製造方法。

• 公開日：2013/12/12
• 出典：光電変換層の製造方法
• 出願人：積水化学工業株式会社

有機Ｐ型半導体化合物５中に、無機Ｎ型半導体化合物粒子６が存在する光電変換活性層１１を有する有機無機複合薄膜太陽電池１０であって、前記光電変換活性層１１の光入射面側に、更に無機Ｐ型半導体化合物３を含有する光吸収層１２が形成されており、前記光吸収層１２は、厚みが２５〜１００ｎｍである。

• 公開日：2013/05/20
• 出典：有機無機複合薄膜太陽電池
• 出願人：積水化学工業株式会社