N型 の意味・用法を知る

以下の説明では信号電荷を電子として説明するが、信号電荷を正孔としてもよく、その場合には以下に説明する導電型は、Ｎ型をＰ型に、Ｐ型をＮ型に読み替えればよい。

• 公開日：2017/06/15
• 出典：光電変換装置およびその製造方法
• 出願人：キヤノン株式会社

太陽電池の箔ベースのメタライゼーションに対する手法及び結果として得られる太陽電池について説明する。例えば、太陽電池を製造する方法には、複数の交互に設けられたＮ型及びＰ型半導体領域を基板内又は基板の上側に形成することが伴う。本方法にはまた、交互に設けられたＮ型及びＰ型半導体領域のうちの隣接する領域間にペーストを形成することが伴う。本方法にはまた、ペーストを硬化させて、交互に設けられたＮ型及びＰ型半導体領域間の位置に位置合わせされた非導電性材料領域を形成することが伴う。本方法にはまた、交互に設けられたＮ型及びＰ型半導体領域に金属箔を接着させることが伴う。本方法にはまた、交互に設けられたＮ型及びＰ型...

• 公開日：2017/12/14
• 出典：太陽電池の箔ベースのメタライゼーションに対するレーザ停止部層
• 出願人：サンパワーコーポレイション

膵臓リボヌクレアーゼ１（ＲＮａｓｅ １とも略す）のＮ型糖鎖修飾可能部位を測定することにより、肺癌を検出する。

• 公開日：2017/11/30
• 出典：肺癌を検出する方法及び検出用キット
• 出願人：東ソー株式会社

強度の低い素子のクラック等の発生を防止し、異なる材質からなるＰ型、Ｎ型の熱電変換素子の使用を可能にして、安定した性能の熱電変換モジュールを得る。

• 公開日：2017/04/06
• 出典：熱電変換モジュール及び熱電変換装置
• 出願人：三菱マテリアル株式会社

高耐圧を有する半導体装置をノイズやサージから守るＥＳＤ保護素子において、ゲート電極両端に形成されたＬＯＣＯＳ酸化膜下に第１のＮ型低濃度拡散層を電界緩和のオフセット層として設け、さらにドレイン側のＮ型高濃度拡散層下に第２のＮ型低濃度拡散層および第３の低濃度拡散層を設けブレークダウンのポイントを基板表面から基板深くに設定することで保持電圧を動作電圧以上まで上昇させ、Ｖｄｄ電源端子に大きな正電荷のノイズが印加された場合でも、素子サイズを大きくしなくても、ノイズを逃がすことを可能にする。

• 公開日：2018/04/05
• 出典：半導体装置
• 出願人：エイブリック株式会社

これまでに、例えば非特許文献１に示すようなＰＩＮ型Ｇｅフォトディテクタが報告されている。

• 公開日：2017/12/14
• 出典：半導体装置及びその製造方法、光インターコネクトシステム
• 出願人：富士通株式会社

本発明の半導体装置の第１の実施例であるＮ型ＭＯＳトランジスタを示す模式的断面図である。 本発明の半導体装置の第２の実施例であるＰ型ＭＯＳトランジスタを示す模式的断面図である。 本発明の半導体装置の第３の実施例であるＮ型ＭＯＳトランジスタを示す模式的断面図である。 本発明の半導体装置の第４の実施例であるＮ型ＭＯＳトランジスタを示す模式的断面図である。 （ａ）は、本発明の半導体装置の第１の実施例であるＮ型ＭＯＳトランジスタの製造過程を示す模式的断面図である。（ｂ）は、本発明の半導体装置の第１の実施例であるＮ型ＭＯＳトランジスタの図５（ａ）に続く製造過程を示す模式的断面図である。 （ａ）は、本発明の...

• 公開日：2017/09/21
• 出典：半導体装置および半導体装置の製造方法
• 出願人：エイブリック株式会社

結晶シリコンを用いて太陽電池の受光面をパッシベーションする方法、及び得られる太陽電池が記載されている。ある例において、太陽電池は、受光面及を有するシリコン基板を備える。真性シリコン層が、シリコン基板の受光面の上方に配置される。Ｎ型のシリコン層が、真性シリコン層上に配置される。真性シリコン層及びＮ型のシリコン層の一方又は両方が、微結晶シリコン層又は多結晶シリコン層である。別の例では、太陽電池は、受光面を有するシリコン基板を備える。パッシベーション誘電体層が、シリコン基板の受光面上に配置される。Ｎ型の微結晶シリコン層又は多結晶シリコン層が、パッシベーション誘電体層上に配置される。

• 公開日：2017/08/31
• 出典：結晶シリコンを用いた太陽電池の受光面のパッシベーション
• 出願人：トータルマーケティングサービスィズ

Ｎ型ＰｂＴｅを主な構成成分とする熱電変換材料と安定して接合可能で、高温環境下での使用時に熱電変換材料の変質が抑えられる電極材料を含む電極を有する熱電変換素子、およびそれを用いた熱電発電モジュールを提供する。

• 公開日：2017/05/18
• 出典：熱電変換素子、熱電変換モジュール
• 出願人：独立行政法人産業技術総合研究所

Ｎチャネル型ＭＯＳトランジスタを静電気保護素子とする半導体装置において、Ｎチャネル型ＭＯＳトランジスタはＮ型高濃度ドレイン領域から下方に向かって減少する３種類の異なる不純物濃度を有する縦方向の電界緩和領域と、Ｎ型高濃度ドレイン領域から前記チャネル領域に向かって減少する３種類の異なる不純物濃度を有する横方向の電界緩和領域と、縦方向の電界緩和領域と横方向の電界緩和領域とに接する最も不純物濃度の低い電界緩和領域とを有する構造とした。

• 公開日：2017/10/05
• 出典：半導体装置および半導体装置の製造方法
• 出願人：エイブリック株式会社