N型 の意味・用法を知る

また、エッジ及び裏面に対するエッチングプロセスを増加することにより、ホウ素拡散過程において N型 シリコンウェハのエッジに拡散されたPN接合が除去され、完成したN型両面電池はエッジの漏電が発生するという問題を防止する。

• 公開日：2017/10/26
• 出典：Ｎ型両面電池のウェットエッチング方法
• 出願人：上海神舟新能源発展有限公司

負性抵抗回路は、第１端子と、第２端子との少なくとも２つの端子を備え、前記第１端子から前記第２端子に電圧降下を生じさせる電圧降下素子と、第１のＮ型ＭＯＳＦＥＴと、第２のＮ型ＭＯＳＦＥＴとを備え、前記第１のＮ型ＭＯＳＦＥＴのドレインと、前記第２のＮ型ＭＯＳＦＥＴのゲートと、前記電圧降下素子の前記第２端子とが互いに接続され、前記第１のＮ型ＭＯＳＦＥＴのゲートと、前記第２のＮ型ＭＯＳＦＥＴのソースとが互いに接続され、前記第１のＮ型ＭＯＳＦＥＴのソースは接地され、前記電圧降下素子の前記第１端子と、前記第２のＮ型ＭＯＳＦＥＴのドレインとが、電源電圧と接続される。

• 公開日：2016/12/22
• 出典：負性抵抗回路及び発振回路
• 出願人：学校法人日本大学

機能性素子は、導電性繊維状物質から成る紡績糸が、シート状もしくは帯状の絶縁性基材に縫い込まれた素子であって、紡績糸が導電性繊維状物質から成り、絶縁性基材の表面と裏面を交互に貫通するように縫い込まれ、π型熱電変換素子のセル直列構造が形成されたものである。導電性繊維状物質は、長手方向にＰ型特性とＮ型特性が交互に繰り返されるものであり、絶縁性基材の表面と裏面に交互に縫い込まれ、基材の厚み方向に折り返される際に、Ｐ型とＮ型が切り替わるようにする。

• 公開日：2018/03/08
• 出典：π型熱電変換素子のセル直列構造を有する機能性素子及びその作製方法
• 出願人：国立大学法人奈良先端科学技術大学院大学

また、本発明は、半導体基板のＮ型ドーピング領域にＰ型上部ドーピング領域とＰ型下部ドーピング領域を形成し、半導体基板の表面と平行でかつ狭い電流経路を提供している。従って、その分電流拡散を防止することができ、電流検出の感度を向上させる。そして、Ｐ型上部ドーピング領域によって半導体基板の表面に生成された各種の欠陥に関係なく、電極間に流れる電流の流れを向上させることができる。

• 公開日：2016/05/30
• 出典：マグネティックセンサーを有する半導体素子の製造方法
• 出願人：マグナチップセミコンダクター有限会社

フレキシブル回路デバイス３は、可撓性を有する基材３ａと、基材３ａ上に形成され、導電型がＮ型の有機半導体を備えたＮ型有機薄膜トランジスタと、導電型がＰ型の有機半導体を備え、Ｎ型薄膜トランジスタと相補的に配置されたＰ型有機薄膜トランジスタと、Ｎ型有機薄膜トランジスタ及びＰ型有機薄膜トランジスタとで構成され、入力する入力信号をクロック信号に同期させて順次シフトするとともに出力するシフト回路７とを有している。

• 公開日：2016/03/07
• 出典：フレキシブル回路デバイス及びそれを備える筋電位測定装置
• 出願人：旭化成メディカル株式会社

一組の対向する配線基板２Ａ，２Ｂの間に、Ｐ型熱電素子３及びＮ型熱電素子４を複数対組み合わせて配線基板２Ａ，２Ｂを介して直列に接続するとともに線状又は面状に配列してなる熱電変換モジュール１であって、線状又は面状の配列の外側端部に、Ｐ型熱電素子３及びＮ型熱電素子４のうち、強度が高い熱電素子が配置されている。

• 公開日：2016/09/29
• 出典：熱電変換モジュール
• 出願人：三菱マテリアル株式会社

糖タンパク質のＮ型糖鎖修飾可能部位に実際にＮ型糖鎖が付加している部位を検出する方法と、その部位においてＮ型糖鎖の付加状態を測定する方法を提供する。

• 公開日：2015/08/06
• 出典：Ｎ型糖鎖が付加している部位又はその割合の測定方法
• 出願人：東ソー株式会社

カスケード接続する複数のＧＯＡユニットを含んでなり、Ｎを正の整数に設定し、第Ｎ段ＧＯＡユニットが複数のＮ型トランジスタと複数のＰ型トランジスタとを採用し、該第Ｎ段ＧＯＡユニットが伝送部分と、伝送制御部分と、データストレージ部分と、データ消去部分と、出力制御部分と、出力バッファ部分とを含み、伝送ゲートを採油して上下段への信号の伝送を行い、ＮＯＲゲートロジックユニットとＮＡＮＤゲートロジックユニットを採用して信号変換を行い、シーケンスインバータとインバータを使用して保存と伝送を行う。

• 公開日：2017/11/24
• 出典：低温ポリシリコン薄膜トランジスタＧＯＡ回路
• 出願人：深せん市華星光電技術有限公司

光ダイオードは、アノード、カソード、及び前記アノードと前記カソードの間に位置する真性層、を含み、前記真性層は、Ｐ型有機半導体及びＮ型有機半導体を含み、前記真性層内における位置に応じて前記Ｐ型有機半導体の前記Ｎ型有機半導体に対する組成比率（以下、Ｐ／Ｎ組成比率という）が互いに異なる３つ以上の奇数個（Ｍを１以上の自然数として（２Ｍ＋１）個とする）の組成層が積層されてなり、前記３つ以上の奇数個の組成層のうち、前記アノードと近い組成層であるほどＰ／Ｎ組成比率が高まり、前記カソードと近い組成層であるほどＰ／Ｎ組成比率が低まり、中央層（第（Ｍ＋１）層）のＰ／Ｎ組成比率が１より大きく、第ｋ層（ｋ＝１乃至Ｍ）...

• 公開日：2017/10/26
• 出典：光ダイオード
• 出願人：三星電子株式會社

Cr N型 の窒化クロム層と少なくとも1種の金属Mからなる少なくとも1層の金属層を含有する硬質皮膜をピストンリング外周面に被覆する。

• 公開日：2016/10/20
• 出典：ピストンリング
• 出願人：株式会社リケン