N型 の意味・用法を知る

カスケード接続する複数のＧＯＡユニットを含んでなり、Ｎを正の整数に設定し、第Ｎ段ＧＯＡユニットが複数のＮ型トランジスタと複数のＰ型トランジスタとを採用し、該第Ｎ段ＧＯＡユニットが伝送部分と、伝送制御部分と、データストレージ部分と、データ消去部分と、出力制御部分と、出力バッファ部分とを含み、伝送ゲートを採油して上下段への信号の伝送を行い、ＮＯＲゲートロジックユニットとＮＡＮＤゲートロジックユニットを採用して信号変換を行い、シーケンスインバータとインバータを使用して保存と伝送を行う。

• 公開日：2017/11/24
• 出典：低温ポリシリコン薄膜トランジスタＧＯＡ回路
• 出願人：深せん市華星光電技術有限公司

光ダイオードは、アノード、カソード、及び前記アノードと前記カソードの間に位置する真性層、を含み、前記真性層は、Ｐ型有機半導体及びＮ型有機半導体を含み、前記真性層内における位置に応じて前記Ｐ型有機半導体の前記Ｎ型有機半導体に対する組成比率（以下、Ｐ／Ｎ組成比率という）が互いに異なる３つ以上の奇数個（Ｍを１以上の自然数として（２Ｍ＋１）個とする）の組成層が積層されてなり、前記３つ以上の奇数個の組成層のうち、前記アノードと近い組成層であるほどＰ／Ｎ組成比率が高まり、前記カソードと近い組成層であるほどＰ／Ｎ組成比率が低まり、中央層（第（Ｍ＋１）層）のＰ／Ｎ組成比率が１より大きく、第ｋ層（ｋ＝１乃至Ｍ）...

• 公開日：2017/10/26
• 出典：光ダイオード
• 出願人：三星電子株式會社

Cr N型 の窒化クロム層と少なくとも1種の金属Mからなる少なくとも1層の金属層を含有する硬質皮膜をピストンリング外周面に被覆する。

• 公開日：2016/10/20
• 出典：ピストンリング
• 出願人：株式会社リケン

前記垂直磁界検出Ｎ型不純物領域は、正方形もしくは十字型の４回回転軸を有する垂直磁界感受部と、前記垂直磁界感受部の各頂点もしくは端部に配置された、垂直磁界検出制御電流入力端子及び垂直磁界ホール電圧出力端子となる同一形状の第１の表面Ｎ型高濃度不純物領域と、を有することを特徴とする請求項１記載のホール素子。

• 公開日：2016/07/25
• 出典：ホール素子
• 出願人：エイブリック株式会社

逆方向のスキャン伝送に用いられ、カスケード接続する複数のＧＯＡユニットを含んでなり、Ｎを正の整数に設定し、第Ｎ段ＧＯＡユニットが複数のＮ型トランジスタと複数のＰ型トランジスタとを採用し、該第Ｎ段ＧＯＡユニットが伝送部分と、伝送制御部分と、データストレージ部分と、データ消去部分と、出力制御部分と、出力バッファ部分とを含み、伝送ゲートを採油して上下段への信号の伝送を行い、ＮＯＲゲートロジックユニットとＮＡＮＤゲートロジックユニットを採用して信号変換を行い、シーケンスインバータとインバータを使用して保存と伝送を行う。

• 公開日：2018/01/18
• 出典：低温ポリシリコン薄膜トランジスタＧＯＡ回路
• 出願人：深せん市華星光電技術有限公司

半導体装置は、Ｎ型半導体層の表層部に設けられたＰ型ベース領域と、Ｐ型ベース領域の内側に設けられたＮ型エミッタ領域と、Ｎ型半導体層の表層部にＰ型ベース領域と離間して設けられたＰ型コレクタ領域と、Ｎ型半導体層の表面に設けられ、Ｐ型ベース領域およびＮ型エミッタ領域に接するゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜の上に設けられたゲート電極と、Ｎ型半導体層の内部の、Ｐ型ベース領域とＰ型コレクタ領域との間に設けられ、一端がＮ型半導体層の表層部に延在するＮ型半導体に接続され、且つＮ型半導体層の深さ方向に伸びる絶縁体を有する柱状構造物と、を含む。

• 公開日：2016/11/10
• 出典：半導体装置および半導体装置の製造方法
• 出願人：ラピスセミコンダクタ株式会社

優れた電気特性及び十分に低減された熱伝導率を有するＢｉＴｅ系のＮ型熱電変換材料の製造方法を提供する。

• 公開日：2017/06/22
• 出典：Ｎ型熱電変換材料の製造方法
• 出願人：トヨタ自動車株式会社

...ひとつのＥＳＤ保護素子として機能させる場合がある。このように、複数の保護素子セルを組み合わせたＥＳＤ保護素子においては、流れる電流が増大する上に、各保護素子セルに対して流れる電流の大きさが一様ではなくなる場合がある。このような場合には、各保護素子セルを構成するダイオードのＰ型伝導層（Ｐ型拡散領域）、Ｎ型伝導層（Ｎ型拡散領域）における電流密度、Ｐ型伝導層およびＮ型伝導層に接続される配線層の電流密度等を考慮したレイアウト設計が重要になる。

• 公開日：2016/10/13
• 出典：半導体素子、半導体装置および半導体素子のレイアウト方法
• 出願人：ラピスセミコンダクタ株式会社

駆動回路（１０）は、ノード（ｎ１１）とノード（ｎ１２）との間に、直列に接続されたＮ型トランジスタ（Ｔｎ１１，Ｔｎ１２）を備える。Ｎ型トランジスタ（Ｔｎ１１）は、同一のゲート長および同一のゲート幅を有する１個のフィン型トランジスタからなり、かつ、ゲートが入力ノード（ｎｉｎ１）に接続されている。Ｎ型トランジスタ（Ｔｎ１２）は、同一のゲート長および同一のゲート幅を有する２個のフィン型トランジスタからなり、かつ、ゲートが入力ノード（ｎｉｎ２）に接続されている。

• 公開日：2017/03/09
• 出典：半導体集積回路および論理回路
• 出願人：株式会社ソシオネクスト

順方向、逆方向のスキャン伝送に用いられ、カスケード接続する複数のＧＯＡユニットを含んでなり、Ｎを正の整数に設定し、第Ｎ段ＧＯＡユニットが複数のＮ型トランジスタと複数のＰ型トランジスタとを採用し、該第Ｎ段ＧＯＡユニットが伝送部分と、伝送制御部分と、データストレージ部分と、データ消去部分と、出力制御部分と、出力バッファ部分とを含み、伝送ゲートを採油して上下段への信号の伝送を行い、ＮＯＲゲートロジックユニットとＮＡＮＤゲートロジックユニットを採用して信号変換を行い、シーケンスインバータとインバータを使用して保存と伝送を行う。

• 公開日：2017/11/30
• 出典：低温ポリシリコン薄膜トランジスタＧＯＡ回路
• 出願人：深せん市華星光電技術有限公司