N型 の意味・用法を知る

Ｎ型ＰｂＴｅを主な構成成分とする熱電変換材料と安定して接合可能で、高温環境下での使用時に熱電変換材料の変質が抑えられる電極材料を含む電極を有する熱電変換素子、およびそれを用いた熱電発電モジュールを提供する。

• 公開日：2017/05/18
• 出典：熱電変換素子、熱電変換モジュール
• 出願人：独立行政法人産業技術総合研究所

Ｎチャネル型ＭＯＳトランジスタを静電気保護素子とする半導体装置において、Ｎチャネル型ＭＯＳトランジスタはＮ型高濃度ドレイン領域から下方に向かって減少する３種類の異なる不純物濃度を有する縦方向の電界緩和領域と、Ｎ型高濃度ドレイン領域から前記チャネル領域に向かって減少する３種類の異なる不純物濃度を有する横方向の電界緩和領域と、縦方向の電界緩和領域と横方向の電界緩和領域とに接する最も不純物濃度の低い電界緩和領域とを有する構造とした。

• 公開日：2017/10/05
• 出典：半導体装置および半導体装置の製造方法
• 出願人：エイブリック株式会社

例えば、回路素子として、ラテラル型のＰＮＰバイポーラトランジスターを搭載した半導体装置が用いられている。このトランジスターは、Ｐ型の半導体基板に配置されたＮ型の埋め込み拡散層と、半導体基板上に配置されたＰ型のエピタキシャル層（半導体層）と、埋め込み拡散層とのコンタクトをとるために半導体層の表面から埋め込み拡散層まで延びるＮ型の不純物拡散領域（Ｎプラグ）と、埋め込み拡散層に達する深いＮウエルとを有している。

• 公開日：2017/06/15
• 出典：半導体装置及びその製造方法
• 出願人：セイコーエプソン株式会社

ソースおよびドレインの一方から他方への方向と前記他方から前記一方への方向とのいずれかに電流を供給するＮ型トランジスタと、ソースからドレインへ電流を供給するＰ型トランジスタと、前記Ｎ型トランジスタおよび前記Ｐ型トランジスタの両方の前記ドレインから供給される前記電流の方向に応じた論理値を記憶する記憶素子とを具備するメモリセル。

• 登録日：2020/03/17
• 出典：メモリセルおよび記憶装置
• 出願人：ソニー株式会社

ＥＳＤ保護素子としてＮＭＯＳを用いたオフトランジスタのドレインアクティブ領域内にＮ型とＰ型のドレイン領域を有し、Ｐ型ドレイン領域の電位はＰウェルまたはＰ型半導体基板の電位とし、ドレインアクティブ領域内のＰＮ接合による接合耐圧をＥＳＤ保護素子の耐圧とすることを特徴とするＥＳＤ保護素子。

• 公開日：2017/09/28
• 出典：ＥＳＤ保護素子を有する半導体装置
• 出願人：エイブリック株式会社

...。図３６ａに、トランジスタとしてＭＯＳ ＦＥＴを用いた従来のＣＭＯＳインバータ回路の典型的な例を示す。このＣＭＯＳインバ ータ回路２００は、ハイレベル電源電位ＶＤＤとローレベル電源電位ＶＳＳとの間に直列 に接続された、しきい値電圧ＶＴＨＰを有するＰ型ＭＯＳＦＥＴ２０１としきい値電圧Ｖ ＴＨＮを有するＮ型ＭＯＳＦＥＴ２０２とを有する（通常ＶＴＨＰは負、ＶＴＨＮは正） 。Ｐ型ＭＯＳＦＥＴ２０１のソースはハイレベル電源電位ＶＤＤに接続され、Ｎ型ＭＯＳ ＦＥＴ２０２のソースはローレベル電源電位ＶＳＳに接続されている。両ＭＯＳＦＥＴ２ ０１、２０２のドレインは互いに接続され、その接続点Ｎ（ノード）は出力...

• 公開日：2017/06/01
• 出典：半導体装置
• 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

太陽電池を製造する方法であって、基板内、又は基板の上方に、複数の交互のＮ型及びＰ型半導体領域を形成する工程と、金属ホイルを前記複数の交互のＮ型及びＰ型半導体領域に接着させる工程と、前記複数の交互のＮ型及びＰ型半導体領域の間の位置に対応する、前記接着させられた金属ホイルの領域において、前記金属ホイルの下部を貫通しないようにレーザーアブレーションを行う工程と、前記レーザーアブレーションの後、前記複数の交互のＮ型及びＰ型半導体領域に対応する、残りの金属ホイルの領域を絶縁する工程と、を備える、方法。

• 登録日：2020/01/28
• 出典：太陽電池のホイルベースの金属被覆法
• 出願人：サンパワーコーポレイション

ＰｃｈＭＯＳＦＥＴ２０のＮ型ボディ層２１の表層部に埋込Ｎ型領域２１ａを備える。これにより、閾値電圧Ｖｔを低くすることが可能となる。また、Ｎ型ボディ層２１のうち埋込Ｎ型領域２１ａ以外の部分については、Ｎ型不純物濃度を比較的高いままにできるため、オン耐圧を確保した状態で閾値電圧Ｖｔを低下させることが可能となる。さらに、Ｎ型の活性層３３によってアキュムレーション領域が構成されているため、Ｐ型ドリフト層２３に部分的に高濃度な部分が形成されることはない。したがって、Ｐ型ドリフト層２３に部分的に高濃度になる部分が発生する場合のように、等電位線が集中する分布となって電界集中による耐圧低下が発生することを防止...

• 公開日：2017/10/12
• 出典：半導体装置およびその製造方法
• 出願人：株式会社デンソー

ESDイベントの種類に応じて、出力最終段の出力バッファを構成する N型 MOSトランジスタのゲートの電圧を制御し、そのESD耐圧を向上させることができるESD保護回路を提供する。

• 公開日：2017/09/07
• 出典：ＥＳＤ保護回路
• 出願人：株式会社メガチップス

上述の広範な用途が期待されている有機半導体デバイスに用いられる有機半導体材料は、有機半導体材料中を電荷が移動する事によって特性が発現する。また、移動する電荷の種類によって、２種に分けられる。すなわち、正の電荷である正孔が移動するＰ型有機半導体材料、及び負の電荷である電子が移動するＮ型有機半導体材料である。Ｐ型有機半導体材料、Ｎ型有機半導体材料のいずれにおいても、高い電荷移動度が要求される。また、有機半導体材料では、大気中でも半導体機能を安定に発現することも課題である。一般に有機半導体材料は、半導体中で輸送される正電荷（正孔）や負電荷（電子）などの電荷と、酸素分子や水分子との相互作用のため、有機...

• 公開日：2017/10/05
• 出典：有機半導体材料及び有機半導体デバイス
• 出願人：新日鉄住金化学株式会社