N型 の意味・用法を知る

横型絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（ＬＩＧＢＴ）は、基板（１０）と、基板上に配置されたアノード端子と、基板上に配置されたカソード端子と、アノード端子とカソード端子との間のドリフト領域（３０）と、アノード端子と前記カソード端子との間のゲート（６２）と、を備え、アノード端子は、基板（１０）上に配置されたＮ型バッファ領域（５１）と、Ｎ型バッファ領域内に配置されたＰウェル（５３）と、Ｐウェル（５３）内に配置されたＮ−領域（５５）と、Ｐウェル（５３）の表面上に配置された２つのＰ＋浅い接合部（５７）と、２つのＰ＋浅い接合部（５７）の間に配置されたＮ＋浅い接合部（５９）と、を含む。

• 公開日：2018/03/01
• 出典：横型絶縁ゲートバイポーラトランジスタ
• 出願人：シーエスエムシーテクノロジーズエフエイビー１カンパニーリミテッド

本明細書では、第１の有機化合物および、第２の有機化合物の電子輸送性あるいは正孔輸 送性の特色に着目して、第１の有機化合物、及び第２の有機化合物をそれぞれ、Ｎ型ホス ト、Ｐ型ホストとも称する。Ｎ型ホスト、Ｐ型ホストのいずれか一方は蛍光を発する材料 であってもよい。また、発光層におけるＮ型ホストおよびＰ型ホストの比率は、いずれも １０％以上であることが好ましい。

• 公開日：2017/02/16
• 出典：発光素子、発光装置
• 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

電子輸送性の高い有機材料（Ｎ型有機材料）の層と正孔輸送性の高い有機材料（Ｐ型有機材料）の層との間にイリジウム錯体等の有機発光材料の極めて薄い膜（単分子膜等）を設ける。上記の構成では、有機発光材料の層において、Ｎ型有機材料のＬＵＭＯから有機発光材料のＬＵＭＯに電子が、Ｐ型有機材料のＨＯＭＯから有機発光材料のＨＯＭＯに正孔が、それぞれ注入されることにより、有機発光材料が励起状態となり、発光する。

• 公開日：2016/12/22
• 出典：発光素子
• 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

裏面側のＰ型コレクタ領域に接して、Ｎ−型ドリフト領域よりも高濃度のＮ型バッファ領域を有するＩＧＢＴ等において、Ｎ型バッファ領域近傍のＮ−型ドリフト領域に、Ｐ型コレクタ領域やＮ型バッファ領域の導入のためのイオン注入等による欠陥を残留させることにより、スイッチングスピードを改善するデバイス構成手法が知られている。このような構造は、オフ時に空乏層が結晶欠陥に接触することで、リーク電流が増加するという副作用をもたらすおそれがある。

• 公開日：2017/11/02
• 出典：半導体装置
• 出願人：ルネサスエレクトロニクス株式会社

半導体装置は、Ｎ型炭化珪素基板（１）のおもて面側にＮ型炭化珪素層（２）、Ｐ型領域（３）、Ｎ型ソース領域（４）、Ｐ型コンタクト領域（５）、ゲート絶縁膜（６）、ゲート電極（７）及びソース電極（８）を有する。半導体装置は、Ｎ型炭化珪素基板（１）の裏面にドレイン電極（９）を有する。半導体装置は、少なくともＮ型炭化珪素層（２）とＰ型領域（３）の底面との界面全体に、ライフタイムキラーを注入したライフタイムキラー導入領域（１０）を有する。ライフタイムキラーは、Ｎ型炭化珪素基板（１）のおもて面側に素子の表面構造を作製した後、ドレイン電極（９）を設ける前に、Ｎ型炭化珪素基板（１）の裏面側からヘリウムまたはプロト...

• 公開日：2017/04/27
• 出典：半導体装置及びその製造方法
• 出願人：富士電機株式会社

フォトリレー１０は、第１の発光素子を構成する発光素子１１と、第１の受光素子を構成する受光素子１２と、第１のＭＯＳトランジスタを構成するＮ型ＭＯＳトランジスタ１３、１４と、を備える。発光素子１１には、例えば、裏面発光型のＬＥＤ(Light Emitting Diode)を適用できる。図２に示すように、発光素子１１のアノードは端子５０に接続され、発光素子１１のカソードは端子５１に接続されている。

• 公開日：2017/06/22
• 出典：光結合装置
• 出願人：株式会社東芝

半導体基板と、前記半導体基板上に形成され、電圧により光の位相が変化する光導波路に含まれる半導体多層構造とを備え、前記半導体多層構造は、Ｐ型クラッド層及びＮ型クラッド層と、前記Ｐ型クラッド層と前記Ｎ型クラッド層との間に挟まれる多重量子井戸構造とを備え、前記多重量子井戸構造は、第１バンドギャップを有する第１バリア層と、前記第１バリア層の前記Ｎ型クラッド層側の部分と接続され、前記第１バンドギャップよりも小さい第２バンドギャップを有する中間層と、前記中間層の前記Ｎ型クラッド層側の部分と接続され、前記第２バンドギャップよりも小さい第３バンドギャップを有するウェル層と、前記ウェル層の前記Ｎ型クラッド層側の...

• 公開日：2016/12/01
• 出典：半導体光変調器及び光モジュール
• 出願人：三菱電機株式会社

第１のカレントミラー回路４１ａは、カレント用第１乃至第３のＮ型ＭＯＳトランジスタ１３ａ〜１３ｃ（１４ａ〜１４ｃ，１５ａ〜１５ｃ，１６ａ〜１６ｃ）を有して構成されたものとなっている。 カレント用第１のＮ型ＭＯＳトランジスタ１３ａ（１４ａ，１５ａ，１６ａ）は、そのゲートとドレインが相互に接続されて、いわゆるダイオード接続状態とされると共に、カレント用第２及び第３のＮ型ＭＯＳトランジスタ１３ｂ，１３ｃ（１４ｂ，１４ｃ、１５ｂ，１５ｃ、１６ｂ，１６ｃ）のゲートと相互に接続されている一方、カレント用第１乃至第３のＮ型ＭＯＳトランジスタ１３ａ〜１３ｃ（１４ａ〜１４ｃ，１５ａ〜１５ｃ，１６ａ〜１６ｃ）の...

• 公開日：2016/03/07
• 出典：シリーズレギュレータ
• 出願人：新日本無線株式会社

本発明の一態様は、Ｐ型ウェル１２と、Ｐ型ウェル１２に形成されたＮ型低濃度拡散層１８と、Ｎ型低濃度拡散層１８の表面に形成されたＰ型表面拡散層１６と、Ｎ型低濃度拡散層１８の側面とＰ型ウェル１２との境界に形成されたＰ型高濃度ウェル１５と、を具備する固体撮像装置である。

• 公開日：2016/04/11
• 出典：固体撮像装置及びその製造方法
• 出願人：セイコーエプソン株式会社

ここで図５に示すように、一画素を深溝により分離することで隣り合う画素同士で発生した光電荷の混同を防ぎ、光電荷の混同を防ぐことができる。 図５は一般的なトレンチゲート電極を備える半導体装置の構成を示す上面概略図であり、後述する図１、図２、図３および図４は図５におけるＡ−Ａ’断面の構成を示す図である。 図５に示すように、画素アレイ領域およびトレンチゲート電極取り出し部において、図面垂直方向に深く形成された溝（トレンチ）に形成された深溝埋め込みポリシリコン９が形成されていて、一画素を深溝により分離しながら、Ｎ型ゲート電極３と共にゲート電極として機能する。

• 公開日：2015/07/27
• 出典：半導体装置および半導体装置の製造方法
• 出願人：株式会社リコー