N型 の意味・用法を知る

...ひとつのＥＳＤ保護素子として機能させる場合がある。このように、複数の保護素子セルを組み合わせたＥＳＤ保護素子においては、流れる電流が増大する上に、各保護素子セルに対して流れる電流の大きさが一様ではなくなる場合がある。このような場合には、各保護素子セルを構成するダイオードのＰ型伝導層（Ｐ型拡散領域）、Ｎ型伝導層（Ｎ型拡散領域）における電流密度、Ｐ型伝導層およびＮ型伝導層に接続される配線層の電流密度等を考慮したレイアウト設計が重要になる。

• 公開日：2016/10/13
• 出典：半導体素子、半導体装置および半導体素子のレイアウト方法
• 出願人：ラピスセミコンダクタ株式会社

駆動回路（１０）は、ノード（ｎ１１）とノード（ｎ１２）との間に、直列に接続されたＮ型トランジスタ（Ｔｎ１１，Ｔｎ１２）を備える。Ｎ型トランジスタ（Ｔｎ１１）は、同一のゲート長および同一のゲート幅を有する１個のフィン型トランジスタからなり、かつ、ゲートが入力ノード（ｎｉｎ１）に接続されている。Ｎ型トランジスタ（Ｔｎ１２）は、同一のゲート長および同一のゲート幅を有する２個のフィン型トランジスタからなり、かつ、ゲートが入力ノード（ｎｉｎ２）に接続されている。

• 公開日：2017/03/09
• 出典：半導体集積回路および論理回路
• 出願人：株式会社ソシオネクスト

順方向、逆方向のスキャン伝送に用いられ、カスケード接続する複数のＧＯＡユニットを含んでなり、Ｎを正の整数に設定し、第Ｎ段ＧＯＡユニットが複数のＮ型トランジスタと複数のＰ型トランジスタとを採用し、該第Ｎ段ＧＯＡユニットが伝送部分と、伝送制御部分と、データストレージ部分と、データ消去部分と、出力制御部分と、出力バッファ部分とを含み、伝送ゲートを採油して上下段への信号の伝送を行い、ＮＯＲゲートロジックユニットとＮＡＮＤゲートロジックユニットを採用して信号変換を行い、シーケンスインバータとインバータを使用して保存と伝送を行う。

• 公開日：2017/11/30
• 出典：低温ポリシリコン薄膜トランジスタＧＯＡ回路
• 出願人：深せん市華星光電技術有限公司

第一電源線と第二電源線の間に接続される基準電圧回路であって、前記基準電圧回路は、一端が前記第一電源線に接続された第一のスイッチ素子と、ゲートとソースを接続し、ドレインが前記第一のスイッチ素子の他端と接続された第一のＮ型デプレッションＭＯＳトランジスタと、ゲートが前記基準電圧回路の出力端子と接続し、ドレインが前記第一のＮ型デプレッションＭＯＳトランジスタのソースと接続し、ソースが前記第二電源線に接続された第一のＮ型エンハンスメントＭＯＳトランジスタと、前記第一のＮ型デプレッションＭＯＳトランジスタのゲートと前記第一のＮ型エンハンスメントＭＯＳトランジスタのゲートの間に接続された第二のスイッチ素子...

• 公開日：2016/09/05
• 出典：基準電圧回路および電子機器
• 出願人：エイブリック株式会社

...ートバイポーラトランジスタ（ＬＩＧＢＴ）が提供され、これは基板（１０）と、基板（１０）上のアノード端子及びカソード端子と、アノード端子とカソード端子との間に配置されたドリフト領域（３０）及びゲート（６１）とを備える。アノード端子は、基板（１０）上のＰ型埋め込み層（５２）と、Ｐ型埋め込み層（５２）上のＮ型バッファ領域（５４）と、Ｎ型バッファ領域（５４）の表面上のＰ＋コレクタ領域（５６）とを備える。ＬＩＧＢＴは、アノード端子に隣接するトレンチゲートをさらに備え、トレンチゲートは、Ｎ型バッファ領域（５４）及びＰ＋コレクタ領域（５６）の表面からＰ型埋め込み層（５２）まで貫通し、トレンチゲートは、トレン...

• 公開日：2018/02/22
• 出典：横型絶縁ゲートバイポーラトランジスタ及びその製造方法
• 出願人：シーエスエムシーテクノロジーズエフエイビー１カンパニーリミテッド

横型絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（ＬＩＧＢＴ）は、基板（１０）と、基板上に配置されたアノード端子と、基板上に配置されたカソード端子と、アノード端子とカソード端子との間のドリフト領域（３０）と、アノード端子と前記カソード端子との間のゲート（６２）と、を備え、アノード端子は、基板（１０）上に配置されたＮ型バッファ領域（５１）と、Ｎ型バッファ領域内に配置されたＰウェル（５３）と、Ｐウェル（５３）内に配置されたＮ−領域（５５）と、Ｐウェル（５３）の表面上に配置された２つのＰ＋浅い接合部（５７）と、２つのＰ＋浅い接合部（５７）の間に配置されたＮ＋浅い接合部（５９）と、を含む。

• 公開日：2018/03/01
• 出典：横型絶縁ゲートバイポーラトランジスタ
• 出願人：シーエスエムシーテクノロジーズエフエイビー１カンパニーリミテッド

本明細書では、第１の有機化合物および、第２の有機化合物の電子輸送性あるいは正孔輸 送性の特色に着目して、第１の有機化合物、及び第２の有機化合物をそれぞれ、Ｎ型ホス ト、Ｐ型ホストとも称する。Ｎ型ホスト、Ｐ型ホストのいずれか一方は蛍光を発する材料 であってもよい。また、発光層におけるＮ型ホストおよびＰ型ホストの比率は、いずれも １０％以上であることが好ましい。

• 公開日：2017/02/16
• 出典：発光素子、発光装置
• 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

電子輸送性の高い有機材料（Ｎ型有機材料）の層と正孔輸送性の高い有機材料（Ｐ型有機材料）の層との間にイリジウム錯体等の有機発光材料の極めて薄い膜（単分子膜等）を設ける。上記の構成では、有機発光材料の層において、Ｎ型有機材料のＬＵＭＯから有機発光材料のＬＵＭＯに電子が、Ｐ型有機材料のＨＯＭＯから有機発光材料のＨＯＭＯに正孔が、それぞれ注入されることにより、有機発光材料が励起状態となり、発光する。

• 公開日：2016/12/22
• 出典：発光素子
• 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

裏面側のＰ型コレクタ領域に接して、Ｎ−型ドリフト領域よりも高濃度のＮ型バッファ領域を有するＩＧＢＴ等において、Ｎ型バッファ領域近傍のＮ−型ドリフト領域に、Ｐ型コレクタ領域やＮ型バッファ領域の導入のためのイオン注入等による欠陥を残留させることにより、スイッチングスピードを改善するデバイス構成手法が知られている。このような構造は、オフ時に空乏層が結晶欠陥に接触することで、リーク電流が増加するという副作用をもたらすおそれがある。

• 公開日：2017/11/02
• 出典：半導体装置
• 出願人：ルネサスエレクトロニクス株式会社

半導体装置は、Ｎ型炭化珪素基板（１）のおもて面側にＮ型炭化珪素層（２）、Ｐ型領域（３）、Ｎ型ソース領域（４）、Ｐ型コンタクト領域（５）、ゲート絶縁膜（６）、ゲート電極（７）及びソース電極（８）を有する。半導体装置は、Ｎ型炭化珪素基板（１）の裏面にドレイン電極（９）を有する。半導体装置は、少なくともＮ型炭化珪素層（２）とＰ型領域（３）の底面との界面全体に、ライフタイムキラーを注入したライフタイムキラー導入領域（１０）を有する。ライフタイムキラーは、Ｎ型炭化珪素基板（１）のおもて面側に素子の表面構造を作製した後、ドレイン電極（９）を設ける前に、Ｎ型炭化珪素基板（１）の裏面側からヘリウムまたはプロト...

• 公開日：2017/04/27
• 出典：半導体装置及びその製造方法
• 出願人：富士電機株式会社