N型 の意味・用法を知る

...陽電池の箔ベースのメタライゼーション手法、及びそれにより得られる太陽電池について説明する。方法は、金属箔の第１表面をパターニングして、金属箔に複数の交互に設けられた溝及び隆起を提供することを含む。非導電性材料領域が、金属箔の溝に形成される。金属箔を、基板の中又は上方に配設された複数の交互に設けられたＮ型及びＰ型の半導体領域の上方に配置して、交互に設けられたＮ型及びＰ型の半導体領域の間の位置と位置合わせをした非導電性材料領域を提供し、かつ交互に設けられたＮ型及びＰ型の半導体領域と位置合わせをした隆起を提供する。金属箔の隆起を、交互に設けられたＮ型及びＰ型半導体領域に接着させる。非導電性材料領域と...

• 公開日：2017/12/21
• 出典：太陽電池及び方法
• 出願人：サンパワーコーポレイション

ゲルマニウム層コンタクトが無いシリコン上ゲルマニウム光検出器のための方法及びシステムが開示され、Ｎ型シリコン層、ゲルマニウム層、Ｐ型シリコン層、及び前記Ｎ型シリコン層と前記Ｐ型シリコン層それぞれ上の金属コンタクトを備える光検出器を有する半導体ダイにおいて、光信号を受け取り；前記ゲルマニウム層において光信号を吸収し；吸収した光信号から電気信号を生成し；及び前記Ｎ型シリコン層及びＰ型シリコン層を介して前記光検出器外に電気信号を伝送することを含む。光検出器は、水平又は垂直接合ダブルヘテロ構造を含み、ゲルマニウム層がＮ型及びＰ型シリコン層の上方に在り得る。ｉ型シリコン層が、Ｎ型シリコン層とＰ型シリコン...

• 公開日：2016/06/20
• 出典：ゲルマニウム層コンタクトが無いシリコン上ゲルマニウム光検出器のための方法及びシステム
• 出願人：ラクステラ・インコーポレイテッド

以下の説明では信号電荷を電子として説明するが、信号電荷を正孔としてもよく、その場合には以下に説明する導電型は、Ｎ型をＰ型に、Ｐ型をＮ型に読み替えればよい。

• 公開日：2017/06/15
• 出典：光電変換装置およびその製造方法
• 出願人：キヤノン株式会社

太陽電池の箔ベースのメタライゼーションに対する手法及び結果として得られる太陽電池について説明する。例えば、太陽電池を製造する方法には、複数の交互に設けられたＮ型及びＰ型半導体領域を基板内又は基板の上側に形成することが伴う。本方法にはまた、交互に設けられたＮ型及びＰ型半導体領域のうちの隣接する領域間にペーストを形成することが伴う。本方法にはまた、ペーストを硬化させて、交互に設けられたＮ型及びＰ型半導体領域間の位置に位置合わせされた非導電性材料領域を形成することが伴う。本方法にはまた、交互に設けられたＮ型及びＰ型半導体領域に金属箔を接着させることが伴う。本方法にはまた、交互に設けられたＮ型及びＰ型...

• 公開日：2017/12/14
• 出典：太陽電池の箔ベースのメタライゼーションに対するレーザ停止部層
• 出願人：サンパワーコーポレイション

膵臓リボヌクレアーゼ１（ＲＮａｓｅ １とも略す）のＮ型糖鎖修飾可能部位を測定することにより、肺癌を検出する。

• 公開日：2017/11/30
• 出典：肺癌を検出する方法及び検出用キット
• 出願人：東ソー株式会社

強度の低い素子のクラック等の発生を防止し、異なる材質からなるＰ型、Ｎ型の熱電変換素子の使用を可能にして、安定した性能の熱電変換モジュールを得る。

• 公開日：2017/04/06
• 出典：熱電変換モジュール及び熱電変換装置
• 出願人：三菱マテリアル株式会社

高耐圧を有する半導体装置をノイズやサージから守るＥＳＤ保護素子において、ゲート電極両端に形成されたＬＯＣＯＳ酸化膜下に第１のＮ型低濃度拡散層を電界緩和のオフセット層として設け、さらにドレイン側のＮ型高濃度拡散層下に第２のＮ型低濃度拡散層および第３の低濃度拡散層を設けブレークダウンのポイントを基板表面から基板深くに設定することで保持電圧を動作電圧以上まで上昇させ、Ｖｄｄ電源端子に大きな正電荷のノイズが印加された場合でも、素子サイズを大きくしなくても、ノイズを逃がすことを可能にする。

• 公開日：2018/04/05
• 出典：半導体装置
• 出願人：エイブリック株式会社

これまでに、例えば非特許文献１に示すようなＰＩＮ型Ｇｅフォトディテクタが報告されている。

• 公開日：2017/12/14
• 出典：半導体装置及びその製造方法、光インターコネクトシステム
• 出願人：富士通株式会社

本発明の半導体装置の第１の実施例であるＮ型ＭＯＳトランジスタを示す模式的断面図である。 本発明の半導体装置の第２の実施例であるＰ型ＭＯＳトランジスタを示す模式的断面図である。 本発明の半導体装置の第３の実施例であるＮ型ＭＯＳトランジスタを示す模式的断面図である。 本発明の半導体装置の第４の実施例であるＮ型ＭＯＳトランジスタを示す模式的断面図である。 （ａ）は、本発明の半導体装置の第１の実施例であるＮ型ＭＯＳトランジスタの製造過程を示す模式的断面図である。（ｂ）は、本発明の半導体装置の第１の実施例であるＮ型ＭＯＳトランジスタの図５（ａ）に続く製造過程を示す模式的断面図である。 （ａ）は、本発明の...

• 公開日：2017/09/21
• 出典：半導体装置および半導体装置の製造方法
• 出願人：エイブリック株式会社

結晶シリコンを用いて太陽電池の受光面をパッシベーションする方法、及び得られる太陽電池が記載されている。ある例において、太陽電池は、受光面及を有するシリコン基板を備える。真性シリコン層が、シリコン基板の受光面の上方に配置される。Ｎ型のシリコン層が、真性シリコン層上に配置される。真性シリコン層及びＮ型のシリコン層の一方又は両方が、微結晶シリコン層又は多結晶シリコン層である。別の例では、太陽電池は、受光面を有するシリコン基板を備える。パッシベーション誘電体層が、シリコン基板の受光面上に配置される。Ｎ型の微結晶シリコン層又は多結晶シリコン層が、パッシベーション誘電体層上に配置される。

• 公開日：2017/08/31
• 出典：結晶シリコンを用いた太陽電池の受光面のパッシベーション
• 出願人：トータルマーケティングサービスィズ