Ir合金 の意味・用法を知る
Ir合金 とは、スパークプラグ や物理蒸着 などの分野において活用されるキーワードであり、石福金属興業株式会社 や株式会社デンソー などが関連する技術を1,063件開発しています。
このページでは、 Ir合金 を含む技術文献に基づき、その意味・用法のみならず、活用される分野や市場、法人・人物などを網羅的に把握することができます。
Ir合金の意味・用法
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単なる高温強度を高めるのではなく、高温下での塑性変形がしにくく、かつ、Ptの使用量を抑えて安価に製造できるIr合金ルツボを提供する。
- 公開日:2018/04/12
- 出典:イリジウム合金ルツボ
- 出願人:石福金属興業株式会社
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本発明は、Irに必須の添加元素であるCo及びWを添加したIr合金からなるプラグ電極用材料であって、前記Ir合金は、Coを10質量%〜30質量%、Wを5質量%〜10質量%、残部Irからなるプラグ電極用材料である。本発明に係るIr合金材料は、添加元素として、B、C、Re、Rh、Si、Ge、Al、V、Nb、Ta、Hf、Zr、Ti、La、Ce、Yを任意に添加することで、加工性、高温酸化特性を更に改善することができる。
- 公開日:2013/05/16
- 出典:点火プラグ電極用の材料
- 出願人:田中貴金属工業株式会社
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PtIr合金からなる心材に厚さ1μm以上のPt被覆層を形成し、心材のIrの酸化・消耗を効果的に抑制することによって、強度低下を防止する。
- 公開日:2010/06/17
- 出典:Pt被覆線及びその製造方法
- 出願人:石福金属興業株式会社
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加えて、各サンプルともに、チップをIr合金による形成するとともに、その外径を0.8mmとした。また、接地電極には突出部を設け、当該突出部をPt合金により形成するとともに、その外径を0.7mm、その高さを0.8mmとした。さらに、試験前における火花放電間隙の大きさを各サンプルともに0.8mmとした。
- 公開日:2015/02/23
- 出典:スパークプラグ
- 出願人:日本特殊陶業株式会社
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尚、中軸7や鍔部5Aを構成する金属材料は、上述したコバールに限定されるものではない。従って、例えば、所定の白金合金(例えば、Pt−20Ir合金等)から中軸7等を形成することとしてもよい。
- 公開日:2011/06/09
- 出典:スパークプラグ
- 出願人:日本特殊陶業株式会社
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Irを主成分とするIr合金を火花放電部電極材として接地電極に溶接してなる内燃機関用スパークプラグにおいて、該火花放電部電極材の脱落を防止し、プラグの長寿命化を図る。
- 公開日:2001/08/03
- 出典:内燃機関用スパークプラグ
- 出願人:株式会社デンソー
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スパッタリングの際のガス放出やパーティクルの発生が少なく、耐食性に優れ、磁気特性も良好な反磁性膜を形成するための磁性薄膜形成用Mn−Ir合金スパッタリングターゲットの製造方法を提供する。
- 公開日:2003/04/23
- 出典:磁性薄膜形成用Mn-Ir合金スパッタリングターゲットの製造方法
- 出願人:日鉱金属株式会社
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Ir原料に、Irと合金をつくり酸に溶解する金属を添加しIr合金を製造した後、該Ir合金を酸により浸出することによりIr以外の成分を溶解除去し、得られたIr残渣を脱ガス処理した後、電子ビーム溶解することを特徴とする高純度Ir材料の製造方法。白金族元素以外の不純物金属元素の含有量が合計で100ppm以下であり、酸素:50ppm以下、窒素:10ppm以下、S:10ppm以下、C:10ppm以下である薄膜形成用高純度Ir材料を得ることができる。
- 公開日:1999/09/28
- 出典:高純度Ir材料の製造方法
- 出願人:日鉱金属株式会社
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アルカリ金属元素含有率1ppm以下、放射性元素含有率各10ppb以下でありさらに炭素及びガス成分元素含有率が100ppm以下であることを特徴とする薄膜形成用高純度Ir材料。Ir原料に、Irと合金をつくり酸に溶解する金属を添加しIr合金を製造した後、該Ir合金を酸もしくは酸とアルカリで浸出することによりIr以外の成分を溶解除去し、得られたIr残渣を脱ガス処理した後、電子ビーム溶解することによって製造することができる。
- 公開日:1999/11/02
- 出典:薄膜形成用高純度Ir材料の製造方法
- 出願人:ジャパンエナジー電子材料株式会社
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酸素含有量が1000ppm以下、S含有量が300ppm以下、炭素含有量が100ppm以下、水素含有量が1ppm以下であることを特徴とする磁性薄膜形成用Mn−Ir合金スパッタリングターゲット。原料Mnを1250〜1500℃で予備溶解した後、1100〜1500℃で真空蒸留することによって得た高純度Mn材料と、原料Ir粉末を1000〜1500℃で脱ガス処理した後、電子ビーム溶解することによって得た高純度Ir材料とを溶解し合金化した後、鋳造することを特徴とする製造方法。
- 公開日:1999/09/28
- 出典:磁性薄膜形成用Mn-Ir合金スパッタリングターゲット及びMn-Ir合金磁性薄膜
- 出願人:ジャパンエナジー電子材料株式会社
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結晶、結晶のための後処理
- 目的・対象とする結晶の形態
- 結晶自体の特徴(クレーム)
- 材料1(元素状、合金)
- 材料2(酸化物)
- 材料3(複合酸化物)
- 材料4(酸素酸塩)
- 材料5(〜化物)
- 材料6(有機物)
- 固相成長
- 液相成長1(常温で液体の溶媒を使用する)
- 液相成長2(溶融溶媒を使用するもの)CG優先
- 液相成長3(融液の凝固によるもの)
- 液相成長4(ゾーンメルティング)
- 液相成長5(融液からの引き出し)
- 液相成長6(液相エピタキシャル)
- 気相成長1(蒸着、昇華)
- 気相成長2(CVD)
- 結晶成長共通1(成長条件の制御)固相成長を除く
- 結晶成長共通2(不純物のドーピング)
- 結晶成長共通3(原料の調製、原料組成)
- 結晶成長共通4(種結晶、基板)
- 結晶成長共通5(成長前の基板の処理、保護)
- 結晶成長共通6(基板への多層成長)
- 結晶成長共通7(装置、治具)
- 結晶成長共通8(検知、制御)
- 結晶成長共通9(特定の成長環境の付加)
- 後処理1(拡散源、その配置)
- 後処理2(後処理のための基板表面の前処理)
- 後処理3(気相からのドーピング)
- 後処理4(電磁波、粒子線照射によるドーピング)
- 後処理5(加熱、冷却処理)
- 後処理6(結晶の接合)
- 後処理7(エッチング、機械加工)
- 後処理8(電場、磁場、エネルギー線の利用)
- 後処理9(その他)
- 後処理10(装置、治具の特徴)
- 結晶の物理的、化学的性質等の評価、決定
- 用途
- 固相からの直接単結晶成長
- 単結晶成長プロセス・装置
- 圧力を加えるもの 例、水熱法
- 塩溶媒を用いるもの 例、フラックス成長
- るつぼ、容器またはその支持体
- ノ−マルフリ−ジングまたは温度勾配凝固
- ゾ−ンメルティングによる単結晶成長、精製
- 溶媒を用いるもの
- るつぼ、容器またはその支持体
- 誘導による溶融ゾ−ンの加熱
- 電磁波による加熱(集光加熱等)
- 制御または調整
- 材料またはヒ−タ−の移動機構、保持具
- 融液からの引出し(保護流体下も含む)
- 結晶化物質(原料)、反応剤の充填、添加
- 引出し方向に特徴
- 融液を入れるるつぼ、容器またはその支持体
- 融液、封止剤または結晶化した物質の加熱
- 制御または調整
- 融液、封止剤、結晶の回転、移動機構
- 種結晶保持器
- 種結晶
- 縁部限定薄膜結晶成長
- 液相エピタキシャル成長
- 特殊な物理的条件下での単結晶成長
- PVD
- イオン化蒸気の凝縮
- 分子線エピタキシャル法
- CVD
- エピタキシャル成長法、装置
- 製造工程
- 反応室
- 反応室または基板の加熱
- 基板保持体またはサセプタ
- 基板とガス流との関係
- ガスの供給・排出手段;反応ガス流の調節
- 制御または調節
- 基板
- 特殊な物理的条件下での単結晶成長