GaAs基板 の意味・用法を知る

ＧａＡｓ基板１１上に設けられた感磁部１２と、電極１３ａ〜１３ｄと、ＧａＡｓ基板１１の下面側に設けられた保護層４０と、を有するＧａＡｓホール素子１０と、ＧａＡｓホール素子１０の周囲に配置されたリード端子２２〜２５と、電極１３ａ〜１３ｄとリード端子２２〜２５とをそれぞれ電気的に接続する金属細線３１〜３４と、モールド部材５０と、を備える。リード端子２２及び２４並びにリード端子２３及び２５はＧａＡｓホール素子１０を挟んで対向する。保護層４０及びリード端子２２〜２５の下面はモールド部材５０から露出している。ＧａＡｓ基板１１中の炭素の濃度は１．５×１０１５ａｔｏｍｓ・ｃｍ−３以上１．０×１０１６ａｔｏｍｓ...

• 公開日：2017/07/06
• 出典：ホールセンサ
• 出願人：旭化成エレクトロニクス株式会社

ＧａＡｓ基板１１上に設けられた感磁部１２と、電極１３ａ〜１３ｄと、ＧａＡｓ基板１１の電極１３ａ〜１３ｄが設けられている面とは反対側の面側に設けられた保護層４０と、を有するＧａＡｓホール素子１０と、ＧａＡｓホール素子１０の周囲に配置されたリード端子２２〜２５と、電極１３ａ〜１３ｄとリード端子２２〜２５とをそれぞれ電気的に接続する金属細線３１〜３４と、これらをモールドするモールド部材５０と、を備える。保護層４０及びリード端子２２〜２５の第１面（即ち、金属細線３１〜３４と接続している面とは反対側の面）は、モールド部材５０の同一の面から露出している。ＧａＡｓ基板１１の抵抗率は、５．０×１０７Ω・ｃｍ以上である。

• 公開日：2016/02/04
• 出典：ホールセンサ
• 出願人：旭化成エレクトロニクス株式会社

ＧａＡｓ基板１０１の上にＩｎｚＧａ１−ｚＡｓバッファ層１０２、ＩｎｙＧａ１−ｙＡｓ擬似基板層１０３及びＡｌＡｓ／ＩｎｘＧａ１−ｘＡｓ半導体多層膜反射鏡１０４が積層されている。ＩｎｚＧａ１−ｚＡｓバッファ層１０２とＩｎｙＧａ１−ｙＡｓ擬似基板層１０３のＩｎ組成の間にはｙ＜ｚの関係がある。ＩｎｚＧａ１−ｚＡｓバッファ層１０２は臨界膜厚以上成長することで、転位をＧａＡｓ基板との界面のみに局在化させる。従来のＩｎＡｌＡｓ／ＩｎＧａＡｓ半導体多層膜反射鏡の場合の値に比べて２１％程度も熱抵抗を減少させる効果があることを意味しており、大幅に温度特性の改善が行える。

• 公開日：2014/09/11
• 出典：半導体多層膜反射鏡構造
• 出願人：東日本電信電話株式会社

そのような平面型光変調器として、特許文献１に記載のものが知られている。特許文献１に記載の平面型光変調器は、ｎ−ＧａＡｓ基板と、ｎ−ＧａＡｓ基板上に形成されたｉ−ＧａＡｓ層と、ｉ−ＧａＡｓ層上に形成されたショットキー電極と、ｎ−ＧａＡｓ基板のｉ−ＧａＡｓ層形成側とは反対側の面に形成されたオーミック電極と、によって構成されている。ショットキー電極は中央部に窓が開けられたリング状であり、オーミック電極も中央部に窓が開けられている。この平面型光変調器は、この窓部分から光を垂直に入射させ、オーミック電極とショットキー電極間に逆電圧を印加してｉ−ＧａＡｓ層の吸収係数を変化させることにより、光の強度を変化さ...

• 公開日：2013/09/05
• 出典：平面型光変調器
• 出願人：学校法人中部大学

前記基板は、ＧａＡｓ基板、Ｓｉ基板、サファイア基板、Ｇｅ基板、ＳｉＧｅ基板、ＳｉＣ基板、ＧａＮ基板、またはＳｉＣ上のＧａＮエピタキシャル基板のいずれかで形成されることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の半導体発光素子。

• 公開日：2014/11/13
• 出典：半導体発光素子
• 出願人：ローム株式会社

ＧａＡｓ基板を割る際に発生する結晶欠陥が発光層に影響を与えないようにすることができる半導体発光素子及びその製造方法を得る。

• 公開日：2013/09/26
• 出典：半導体発光素子の製造方法
• 出願人：三菱電機株式会社

ＧａＡｓ基板１と、ＧａＡｓ基板１上に設けられた発光部２と、発光部２上に設けられた歪調整層３とを備え、発光部２は、組成式（ＡｌＸＧａ１−Ｘ）ＹＩｎ１−ＹＰ（０≦Ｘ≦０．１、０．３７≦Ｙ≦０．４６）からなる歪発光層７を有し、歪調整層３は、発光波長に対して透明であると共にＧａＡｓ基板１の格子定数よりも小さい格子定数を有することを特徴とする発光ダイオード用エピタキシャルウェーハ１０を採用する。

• 公開日：2010/09/24
• 出典：発光ダイオード用エピタキシャルウェーハ
• 出願人：昭和電工株式会社

ＧａＡｓ基板１０１の上にＩｎ０．１２Ｇａ０．８８Ａｓバッファ層１０２、Ｉｎ０．１０Ｇａ０．９０Ａｓ擬似基板層１０３及びＡｌＡｓ／ＩｎｘＧａ１−ｘＡｓ半導体多層膜反射鏡１０４が積層されている。Ｉｎ０．１２Ｇａ０．８８Ａｓバッファ層１０２は臨界膜厚以上成長することで、転位をＧａＡｓ基板１０１との界面のみに局在化させている。本発明は、歪補償を行うことで、歪補償を行わなかった場合と比較して基板の反りの大幅な減少が可能となる。また、ＩｎＧａＡｓ層のＩｎ組成を調整することで、反り量を大きく変化させることができる。

• 公開日：2014/09/11
• 出典：半導体多層膜反射鏡構造
• 出願人：東日本電信電話株式会社

ＧａＡｓ基板１は互いに対向する第１及び第２の主面を有する。ＧａＡｓ基板１の第１の主面に信号線路３とパッド４が配置されている。パッド４は信号線路３に接続されている。パッド４上に半田バンプ５が配置されている。ＧａＡｓ基板１の第２の主面に接地導体６が配置されている。信号線路３と接地導体６がマイクロストリップ線路を構成する。接地導体６はパッド４に対向する領域に開口８を有する。

• 公開日：2014/02/06
• 出典：フリップチップ実装用半導体チップ
• 出願人：三菱電機株式会社

図１において、近接場光デバイス１００は、（ｉ）ガラス基板３２と、該ガラス基板３２の上に積層されたストッパ層３１と、該ストッパ層３１の上に積層された近接場光発生部１０と、を備えてなる部材と、（ｉｉ）ｎ−ＧａＡｓ基板２４と、該ｎ−ＧａＡｓ基板２４の上に積層された光源２０と、該光源２０の上に形成された第１電極４１と、ｎ−ＧａＡｓ基板２４の上に形成された第２電極４２と、を備えてなる部材と、が互いに貼り合わせ層５０を介して張り合わされることによって構成されている。尚、ｎ−ＧａＡｓ基板２４は、ｐ−ＧａＡｓ基板であってもよい。

• 公開日：2015/02/23
• 出典：近接場光デバイスの製造方法及び近接場光デバイス
• 出願人：パイオニア株式会社