Cu合金 の意味・用法を知る

Ｒｕを含むＣｕ合金に対し、Ｒｕの溶解度を向上させ、該Ｃｕ合金中の金属含有量の正確な測定を行うことのできる、Ｒｕを含むＣｕ合金の均質化方法を提供する。

• 公開日：2017/02/09
• 出典：Ｒｕを含むＣｕ合金の均質化方法
• 出願人：田中貴金属工業株式会社

Ｃｕ合金芯材と、前記Ｃｕ合金芯材の表面に形成されたＰｄ被覆層とを有する半導体装置用ボンディングワイヤにおいて、前記ボンディングワイヤがＧａ、Ｇｅから選ばれる１種以上の元素を含み、ワイヤ全体に対する前記元素の濃度が合計で０．０１１〜１．５質量％であることを特徴とする半導体装置用ボンディングワイヤ。

• 公開日：2017/02/16
• 出典：半導体装置用ボンディングワイヤ
• 出願人：日鉄マイクロメタル株式会社

熱伝導性、表面の平坦性および熱安定性が優れたＣｕ合金膜、およびそのＣｕ合金膜をスパッタ法によって成膜することができるＣｕ合金スパッタリングターゲットを提供する。

• 公開日：2017/05/25
• 出典：Ｃｕ合金スパッタリングターゲット及びＣｕ合金膜
• 出願人：三菱マテリアル株式会社

使用済みのスパッタリングターゲットの一例を示す斜視図である。 エロージョン領域の部分拡大断面図である。 工程Ａの一例を説明するための部分拡大断面図である。 工程Ｂの一例を説明するための部分拡大断面図である。 工程Ｂの一例を説明するための平面図である。 実施例１のＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ合金スパッタリングターゲットを光学顕微鏡で観察した画像である。 比較例１のＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ合金スパッタリングターゲットを光学顕微鏡で観察した画像である。 実施例２のＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ合金スパッタリングターゲットを光学顕微鏡で観察した画像である。 実施例３のＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ合金スパッタリングターゲットを光学顕微鏡で観察した画...

• 公開日：2015/07/02
• 出典：スパッタリングターゲットの再生方法及び再生スパッタリングターゲット
• 出願人：株式会社フルヤ金属

ＣｕまたはＣｕ合金からなる導電性基材上にＮｉまたはＮｉ合金からなる第一下地層、ＣｕＳｎ化合物からなる中間層、ＳｎまたはＳｎ合金からなる表面層の順に各層が形成されたＳｎめっき材であって、該Ｓｎめっき材は圧延方向に対して垂直方向の断面を見たときに、前記第一下地層と前記中間層の界面長さ２０μｍ当たりに、長さ０．１μｍ以上のボイドを１〜１５個有する、Ｓｎめっき材、及びその製造方法と用途。

• 公開日：2017/01/12
• 出典：耐熱性に優れためっき材の製造方法
• 出願人：古河電気工業株式会社

...例を示す概略図である。 接合前スパッタリングターゲットの別の例を示す概略図である。 工程Ａについて、接合ターゲットが角板型である場合について説明するための図であり、（ａ）は接合前スパッタリングターゲットの一例を示す概略図であり、（ｂ）は接合ターゲットの一例を示す概略図である。 実施例１のＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ合金スパッタリングターゲットを光学顕微鏡で観察した画像である。 比較例１のＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ合金スパッタリングターゲットを光学顕微鏡で観察した画像である。 実施例２のＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ合金スパッタリングターゲットを光学顕微鏡で観察した画像である。 実施例３のＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ合金スパッタリングターゲッ...

• 公開日：2015/07/02
• 出典：スパッタリングターゲットの製造方法及びスパッタリングターゲット
• 出願人：株式会社フルヤ金属

例えば抵抗器に用いられる金属板抵抗体などに好適であって、製造工程およびその後の取り扱い時に皺や折れが発生し難くなるとともに、２０℃〜１５０℃の広い温度範囲においてＴＣＲを有することができるＣｕ合金材およびその製造方法を提供する。

• 公開日：2016/05/09
• 出典：Ｃｕ合金材およびその製造方法
• 出願人：日立金属株式会社

厚み方向における組成均一性の高いＩｎ−Ｃｕ合金スパッタリングターゲット部材を提供する。

• 公開日：2017/06/15
• 出典：Ｉｎ－Ｃｕ合金スパッタリングターゲット及びその製造方法
• 出願人：ＪＸ金属株式会社

電気比抵抗を低く維持しつつ、樹脂系フィルムやガラス基板などのタッチパネルセンサー基板との密着性に優れ、光の反射率も低く、タッチパネルのセンサー電極や配線として好適なＣｕ合金膜、このようなＣｕ合金膜を製造するためのＣｕ合金ターゲット用材料及びＣｕ合金ターゲット、並びに、このようなＣｕ合金膜を用いたタッチパネルを提供すること。

• 公開日：2015/09/03
• 出典：Ｃｕ合金ターゲット用材料、Ｃｕ合金ターゲット、Ｃｕ合金膜及びタッチパネル
• 出願人：大同特殊鋼株式会社

基板に形成されたトレンチおよびビアに対し、良好な埋め込み性でかつ効率よくＣｕまたはＣｕ合金を埋め込んで、低抵抗のＣｕ配線を形成する。

• 公開日：2016/09/05
• 出典：Ｃｕ配線の形成方法および半導体装置の製造方法
• 出願人：東京エレクトロン株式会社