CVD装置 の意味・用法を知る
CVD装置 とは、気相成長（金属層を除く） やＣＶＤ などの分野において活用されるキーワードであり、ルネサスエレクトロニクス株式会社 や株式会社日立国際電気 などが関連する技術を5,299件開発しています。
このページでは、 CVD装置 を含む技術文献に基づき、その意味・用法のみならず、活用される分野や市場、法人・人物などを網羅的に把握することができます。
CVD装置の意味・用法
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本発明は成膜時にウエハ裏面の内周部に放電痕が形成されることを抑制したＣＶＤ装置の提供を目的とする。
- 公開日：2017/12/28
- 出典：ＣＶＤ装置
- 出願人：三菱電機株式会社
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リチウムイオン二次電池の負極活物質として用いた際に、電池容量の増加、優れたサイクル特性及び安定した初期充放電特性を有するケイ素系負極活物質材料を、安価に安定して製造できるケイ素系負極活物質材料用ＣＶＤ装置を提供する。
- 公開日：2016/05/30
- 出典：ケイ素系負極活物質材料用ＣＶＤ装置、ケイ素系負極活物質材料の製造方法、非水電解質二次電池用負極の製造方法、及びリチウムイオン二次電池の製造方法
- 出願人：信越化学工業株式会社
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炉心管内での乱気流の発生を抑制することができ、炉心管内の温度ムラ及びカーボン源ガスの逆流を抑制することができ、膜質のばらつきが小さくかつ良質な導電性被膜の形成が可能なＣＶＤ装置を提供する。
- 公開日：2016/08/04
- 出典：ＣＶＤ装置、ケイ素系負極活物質材料の製造方法、非水電解質二次電池用負極の製造方法、及びリチウムイオン二次電池の製造方法
- 出願人：信越化学工業株式会社
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基板へのパーティクル汚染を低減できるＣＶＤ装置を提供する。本発明の一態様は、基板にＣＶＤ法により膜を成膜するＣＶＤ装置において、チャンバー１０１と、前記チャンバー内に配置され、前記基板を保持する基板ホルダー１０４と、前記チャンバー内に原料ガスを導入するガス導入機構と、を具備し、前記チャンバーの内面、前記基板ホルダー、前記チャンバー内に配置された防着板、前記チャンバー内に配置された治具および前記原料ガスを前記チャンバー内にシャワー状に導入するガスシャワー部材の少なくとも一つに、金属、セラミックス、プラスチックおよびサーメットのいずれかの材料からなる膜が形成されていることを特徴とするＣＶＤ装置である。
- 公開日：2015/07/30
- 出典：ＣＶＤ装置
- 出願人：アドバンストマテリアルテクノロジーズ株式会社
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膜上に付着し又は膜中に埋没したＳｉＣパーティクル等が低減されたＳｉＣエピタキシャル膜を作製することができるＣＶＤ装置を提供する。
- 公開日：2012/12/13
- 出典：炭化珪素膜のＣＶＤ装置
- 出願人：昭和電工株式会社
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基板を連続的に供給した場合でも、基板全体に均質なカーボンナノチューブを生成し得るＣＶＤ装置を提供する。
- 公開日：2011/09/01
- 出典：カーボンナノチューブ形成用ＣＶＤ装置
- 出願人：日立造船株式会社
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基板表面にカーボンナノチューブを効率的に形成し得るカーボンナノチューブ形成用ＣＶＤ装置を提供する。
- 公開日：2011/08/04
- 出典：カーボンナノチューブ形成用ＣＶＤ装置
- 出願人：日立造船株式会社
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１つの実施形態は、例えば、ＣＶＤ装置による成膜処理に対する新規な前処理を行うことができる基板処理装置及び成膜システムを提供することを目的とする。
- 公開日：2012/07/19
- 出典：基板処理装置、及び成膜システム
- 出願人：株式会社東芝
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、生産コストの高騰や、装置の大型化を招来することなく、サセプターの品質や生産性を飛躍的に向上させることができるＣＶＤ装置を提供することを目的とする。
- 公開日：2010/08/12
- 出典：ＣＶＤ方法
- 出願人：東洋炭素株式会社
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生産コストの高騰や、装置の大型化を招来することなく、サセプターの品質や生産性を飛躍的に向上させることができるＣＶＤ装置を提供することを目的とする。
- 公開日：2010/08/26
- 出典：ＣＶＤ装置
- 出願人：東洋炭素株式会社
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気相成長（金属層を除く）
- 成長法
- 成長層の組成
- 導入ガス
- 成長条件（１）成膜温度Ｔ 請求項＋実施例に記載されている成膜温度を全て付与する（除く従来例）
- 成長条件（２）成膜時の圧力Ｐ 請求項＋実施例に記載されている成膜時の圧力を全て付与する（除く従来例）
- 被成膜面の組成・基板の特徴・ダミー基板・マスク
- 目的
- 半導体素子等への用途
- 機能的用途
- 半導体成長層の構造
- 半導体層の選択成長
- 絶縁体成長層の構造・絶縁体層の選択成長
- 装置の形式（１）基板支持の形態・成膜中の基板の運動 図面＋詳細な説明に例示されている形式をすべて付与する（除く従来例）
- 装置の形式（２）成膜室の形態 図面＋詳細な説明に例示されている形式をすべて付与する（除く従来例）
- 成膜一般
- 成膜室・配管構造・配管方法
- ガス供給・圧力制御
- ノズル・整流・遮蔽・排気口
- 排気・排気制御・廃ガス処理
- プラズマ処理・プラズマ制御
- 冷却
- 加熱（照射）・温度制御
- 基板支持
- 搬出入口・蓋・搬送・搬出入
- 測定・測定結果に基づく制御・制御一般
- 機械加工プロセスとの組み合わせ
- 他プロセスとの組合せ
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結晶、結晶のための後処理
- 目的・対象とする結晶の形態
- 結晶自体の特徴（クレーム）
- 材料１（元素状、合金）
- 材料２（酸化物）
- 材料３（複合酸化物）
- 材料４（酸素酸塩）
- 材料５（〜化物）
- 材料６（有機物）
- 固相成長
- 液相成長１（常温で液体の溶媒を使用する）
- 液相成長２（溶融溶媒を使用するもの）ＣＧ優先
- 液相成長３（融液の凝固によるもの）
- 液相成長４（ゾーンメルティング）
- 液相成長５（融液からの引き出し）
- 液相成長６（液相エピタキシャル）
- 気相成長１（蒸着、昇華）
- 気相成長２（ＣＶＤ）
- 結晶成長共通１（成長条件の制御）固相成長を除く
- 結晶成長共通２（不純物のドーピング）
- 結晶成長共通３（原料の調製、原料組成）
- 結晶成長共通４（種結晶、基板）
- 結晶成長共通５（成長前の基板の処理、保護）
- 結晶成長共通６（基板への多層成長）
- 結晶成長共通７（装置、治具）
- 結晶成長共通８（検知、制御）
- 結晶成長共通９（特定の成長環境の付加）
- 後処理１（拡散源、その配置）
- 後処理２（後処理のための基板表面の前処理）
- 後処理３（気相からのドーピング）
- 後処理４（電磁波、粒子線照射によるドーピング）
- 後処理５（加熱、冷却処理）
- 後処理６（結晶の接合）
- 後処理７（エッチング、機械加工）
- 後処理８（電場、磁場、エネルギー線の利用）
- 後処理９（その他）
- 後処理１０（装置、治具の特徴）
- 結晶の物理的、化学的性質等の評価、決定
- 用途
- 固相からの直接単結晶成長
- 単結晶成長プロセス・装置
- 圧力を加えるもの 例、水熱法
- 塩溶媒を用いるもの 例、フラックス成長
- るつぼ、容器またはその支持体
- ノ−マルフリ−ジングまたは温度勾配凝固
- ゾ−ンメルティングによる単結晶成長、精製
- 溶媒を用いるもの
- るつぼ、容器またはその支持体
- 誘導による溶融ゾ−ンの加熱
- 電磁波による加熱（集光加熱等）
- 制御または調整
- 材料またはヒ−タ−の移動機構、保持具
- 融液からの引出し（保護流体下も含む）
- 結晶化物質（原料）、反応剤の充填、添加
- 引出し方向に特徴
- 融液を入れるるつぼ、容器またはその支持体
- 融液、封止剤または結晶化した物質の加熱
- 制御または調整
- 融液、封止剤、結晶の回転、移動機構
- 種結晶保持器
- 種結晶
- 縁部限定薄膜結晶成長
- 液相エピタキシャル成長
- 特殊な物理的条件下での単結晶成長
- ＰＶＤ
- イオン化蒸気の凝縮
- 分子線エピタキシャル法
- ＣＶＤ
- エピタキシャル成長法、装置
- 製造工程
- 反応室
- 反応室または基板の加熱
- 基板保持体またはサセプタ
- 基板とガス流との関係
- ガスの供給・排出手段；反応ガス流の調節
- 制御または調節
- 基板
- 特殊な物理的条件下での単結晶成長
